大型銅柱的工藝挑戰

 

大型銅柱的區別在於其尺寸大小：它的高度和寬度是標準銅柱的5倍(bei)之(zhi)多(duo)。構(gou)建(jian)大(da)型(xing)銅(tong)柱(zhu)的(de)傳(chuan)統(tong)方(fang)法(fa)是(shi)采(cai)用(yong)常(chang)規(gui)電(dian)鍍(du)
，這(zhe)個(ge)過(guo)程(cheng)漫(man)長(chang)且(qie)緩(huan)慢(man)。而(er)最(zui)大(da)的(de)問(wen)題(ti)在(zai)於(yu)，此(ci)過(guo)程(cheng)通(tong)常(chang)會(hui)產(chan)生(sheng)不(bu)可(ke)接(jie)受(shou)的(de)不(bu)一(yi)致(zhi)結(jie)果(guo)。電(dian)鍍(du)銅(tong)柱(zhu)的(de)高(gao)度(du)會(hui)隨(sui)局(ju)部(bu)電(dian)流(liu)負(fu)載(zai)密(mi)度(du)的(de)不(bu)同(tong)而(er)變(bian)化(hua)，並(bing)可(ke)能(neng)在(zai)支(zhi)柱(zhu)頂(ding)部(bu)產(chan)生(sheng)一(yi)定(ding)程(cheng)度(du)的(de)隆(long)起(qi)或(huo)凹(ao)陷(xian)，而(er)不(bu)是(shi)所(suo)需(xu)的(de)平(ping)坦(tan)表(biao)麵(mian)（圖2）。這種高度與特征形狀的不一致，可能會需要額外的後續平麵化步驟（如CMP），並會導致連接不穩定
，降低設備性能，增加總體工藝時間和成本。

 

影響以上電鍍結果的單個晶片布局差異包括特征形狀、寬度
、深寬比以及周圍光阻的厚度和給定區域的特征密度。這些差異可能會演變成為晶圓、單個晶片或各個特征之間的差異。

 

jiejuezhegewentidefangfazhiyijiushizaimubiaohoudushangdianduduoyudejinshu，ranhounizhuandiandujihuayudianliufangxiang。zhejianghuishisuotianjiajinshu，yisuoxiaotongzhudegaodufenbu，huoshidaxingtongzhudedingbugengpingzheng。danzhezhongfangfakenengwufayouxiaotishengbutongchangdutongzhuchicundeyizhixing，erqietongchanghuidaozhibuliangbianxing，shidedaxingtongzhudebiaomiancucaoaoxian，bianyuanfushi。

 

圖2. 電鍍大型銅柱的常見差異包括電流負載問題、凹陷和凸起。

 

泛林集團的解決方案

 

泛林集團通過其獨有的Durendal®工藝解決這一問題。該工藝可以產出優質、光滑的大型銅柱頂部表麵，整個晶圓上的大型銅柱高度也非常均勻。整套Durendal®工藝可以在SABRE® 3D設備上實施完成。

 

圖3. 通過SABRE® 3D使用Durendal®工藝，產出尺寸均勻、高質量的大型銅柱。下方的圖片比較了晶圓邊緣（左側）與晶圓中心（右側）大型銅柱的高度差異。

 

Durendal®工藝提供了一種經濟高效的方式進行單個晶片堆疊，並能產出高良率以及穩固可靠的連接。在未來，我們期待Durendal®工藝能促進扇出型晶圓級封裝在單個晶片堆疊中得到更廣泛的應用。

(來源：作者：泛林集團)