IGBT關斷損耗大
、拖尾是嚴重製約高頻運用的攔路虎。這問題由兩方麵構成：

1）IGBT的主導器件—GTR的基區儲存電荷問題。
2）柵寄生電阻和柵驅動電荷
，構成了RC延遲網絡，造成IGBT延遲開和關。

這裏，首先討論原因一的解決方法。解決電路見圖（1）。

IGBT的GTR是利用基區N型半導體，在開通時
，通過施加基極電流，使之轉成P型，將原來的PNP型阻擋區變為P-P-P通路。為保證可靠導通，GTR是過度開通的完全飽和模式。

所謂基區儲存效應造成的拖尾，是由於GTR過度飽和，基區N過度轉換成P型。在關斷時


，由於P型半導體需要複合成本征甚至N型，這一過程造成了器件的拖尾。

該電路采用準飽和驅動方式，讓IGBT工作在準飽和模式下。IGBT預進入飽和，驅動電壓就會被DC拉低，使之退出飽和狀態
，反之IGBT驅動電壓上升，VCE下降，接近飽和。對於標準IGBT，這電路可以保證，IGBT的導通壓降基本維持在3.5V水平
，即IGBT工作在準線性區。這樣IGBT的GTR的基極就不會被過驅動，在關斷時

，幾乎沒有複合過程。這樣器件的拖尾問題就幾乎解決了！現在，唯一存在的問題是IGBT的通態壓降略高。

這種方式已經在邏輯IC裏盛行。現在的超高速邏輯電路都采用這種結構
，包括電腦中的CPU！我們已享用此原理
，卻並不知道。

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