使用和設計IGBT新方法
發布時間:2013-01-12 責任編輯:easonxu
【導讀】目前,在使用和設計IGBT的過程中,基本上都是采用粗放式的設計模式——所需餘量較大,係統龐大,但仍無法抵抗來自外界的幹擾和自身係統引起的各種失效問題。
IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS複合型功率器件。它結合功率MOSFET的工藝技術,將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個芯片中。該器件具有開關頻率高、輸入阻抗較大、熱穩定性好、驅動電路簡單、低飽和電壓及大電流等特性,被作為功率器件廣泛應用於工業控製、電力電子係統等領域(例如:伺服電機的調速、變頻電源)。為使我們設計的係統能夠更安全、更可靠的工作,對IGBT的保護顯得尤為重要。
目前,在使用和設計IGBT的過程中,基本上都是采用粗放式的設計模式——所(suo)需(xu)餘(yu)量(liang)較(jiao)大(da),係(xi)統(tong)龐(pang)大(da),但(dan)仍(reng)無(wu)法(fa)抵(di)抗(kang)來(lai)自(zi)外(wai)界(jie)的(de)幹(gan)擾(rao)和(he)自(zi)身(shen)係(xi)統(tong)引(yin)起(qi)的(de)各(ge)種(zhong)失(shi)效(xiao)問(wen)題(ti)。瞬(shun)雷(lei)電(dian)子(zi)公(gong)司(si)利(li)用(yong)在(zai)半(ban)導(dao)體(ti)領(ling)域(yu)的(de)生(sheng)產(chan)和(he)設(she)計(ji)優(you)勢(shi),結(jie)合(he)瞬(shun)態(tai)抑(yi)製(zhi)二(er)極(ji)管(guan)的(de)特(te)點(dian),在(zai)研(yan)究(jiu)IGBT失效機理的基礎上,通過整合係統內外部來突破設計瓶頸。本文將突破傳統的保護方式,探討IGBT係統電路保護設計的解決方案。
IGBT失效場合:來自係統內部,如電力係統分布的雜散電感、電機感應電動勢、負載突變都會引起過電壓和過電流;來自係統外部,如電網波動、電力線感應、浪湧等。歸根結底,IGBT失效主要是由集電極和發射極的過壓/過流和柵極的過壓/過流引起。
IGBT失效機理:IGBT由於上述原因發生短路,將產生很大的瞬態電流——在關斷時電流變化率di/dt過大。漏感及引線電感的存在,將導致IGBT集電極過電壓,而在器件內部產生擎住效應,使IGBT鎖定失效。同時,較高的過電壓會使IGBT擊穿。IGBT由於上述原因進入放大區, 使管子開關損耗增大。
IGBT傳統防失效機理:盡量減少主電路的布線電感量和電容量,以此來減小關斷過電壓;在集電極和發射極之間,放置續流二極管,並接RC電路和RCD電路等;在柵極,根據電路容量合理選擇串接阻抗,並接穩壓二極管防止柵極過電壓。
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IGBT失效防護
集電極過電壓、過電流防護,以IGBT變頻調速電源主電路為例(圖1)。
在集電極和發射極之間並接RC濾波電路,可有效地抑製關斷過電壓和開關損耗。但在實際應用中,由於DC電源前端的浪湧突波會使集電極過電壓,並使RC濾波電路部分的抑製效果生效,IGBT通常都會被擊穿或者短路。另外,在電機起動時,由於起動時的大電流,在主線路中分布的電感亦會造成較大程度的感應過電壓,使IGBT損壞。同時,電機勵磁造成的感應電動勢,對電路的破壞也相當地大——工程師們經常沒有考慮到這一點。

圖1:IGBT變頻調速電源主電路
上述情況,浪湧突波部分可以用防雷電路進行防護。瞬雷電子開發的藍寶寶浪湧抑製器(BPSS),在雷擊方麵既具有極大的過電流能力,又具有極低的殘壓。同時,針對電機部分,參照ISO7637的相關標準,該產品完全可以使用。而使用其他器件則不能同時達到上述兩種情況。具體問題有:壓敏電阻在ISO7637的長波(P5A)中容易失效,並且不宜長期使用;陶瓷放電管不能直接用於有源電路中,常因續流問題導致電路短路,並且抑製電壓過高。
柵極過電壓、過電流防護
傳統保護模式:防護方案防止柵極電荷積累及柵源電壓出現尖峰損壞IGBT——可在G極和E極之間設置一些保護元件,如下圖的電阻RGE的作用,是使柵極積累電荷泄放(其阻值可取5kΩ);兩個反向串聯的穩壓二極管V1和V2,是為了防止柵源電壓尖峰損壞IGBT。另外,還有實現控製電路部分與被驅動的IGBTzhijiandegelisheji,yijishejishihezhajidequdongmaichongdianludeng。ranerjishizheyang,zaishijishiyongdegongyehuanjingzhong,yishangfanganrengranjuyoubijiaogaodechanpinshixiaolv——有時甚至會超出5%。相關的實驗數據和研究表明:這和瞬態浪湧、靜電及高頻電子幹擾有著緊密的關係,而穩壓管在此的響應時間和耐電流能力遠遠不足,從而導致IGBT過熱而損壞。

圖2:傳統保護模式和新型保護模式電路對比
新型保護模式:將傳統的穩壓管改為新型的瞬態抑製二極管(TVS)。一般柵極驅動電壓約為15V,可以選型SMBJ15CA。該產品可以通過IEC61000-4-5浪湧測試10/700US 6kV。
TVS反應速度極快(達PS級),通流能力遠超穩壓二極管(可達上千安培),同時,TVS對靜電具有非常好的抑製效果。該產品可以通過 IEC61000-4-2接觸放電8kV和空氣放電15kV的放電測試。
將傳統電阻RG變更為正溫度係數(PPTC)保險絲。它既具有電阻的效果,又對溫度比較敏感。當內部電流增加時,其阻抗也在增加,從而對過流具有非常好的抑製效果。
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