應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴充NGBTxx係列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS) 絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件
，推出9款新的高能效方案。

這些新器件提升係統總體開關能效，降低功率耗散，且提升係統可靠性。這些最新IGBT器件增添至安森美半導體現有超過30款的IGBT產品係列中
，將產品的額定電流能力提升至最高40 A。這些產品中包含專門針對太陽能及不間斷電源(UPS)應用高性能電源轉換的器件。

安森美半導體功率分立產品高級總監兼總經理John Trice說：“全(quan)球(qiu)能(neng)耗(hao)的(de)大(da)幅(fu)增(zeng)加(jia)及(ji)對(dui)經(jing)濟(ji)及(ji)環(huan)境(jing)預(yu)計(ji)帶(dai)來(lai)的(de)不(bu)利(li)影(ying)響(xiang)
，持(chi)續(xu)推(tui)動(dong)對(dui)更(geng)高(gao)性(xing)能(neng)功(gong)率(lv)分(fen)立(li)元(yuan)器(qi)件(jian)的(de)需(xu)求(qiu)。這(zhe)些(xie)新(xin)一(yi)代(dai)器(qi)件(jian)在(zai)提(ti)供(gong)高(gao)性(xing)價(jia)比(bi)及(ji)業(ye)界(jie)領(ling)先(xian)能(neng)效(xiao)的(de)同(tong)時(shi)無(wu)損(sun)強(qiang)固(gu)性(xing)。安(an)森(sen)美(mei)半(ban)導(dao)體(ti)專(zhuan)有(you)的(de)溝(gou)槽(cao)型(xing)場(chang)截(jie)止(zhi)技(ji)術(shu)能(neng)為(wei)工(gong)程(cheng)師(shi)在(zai)應(ying)用(yong)其(qi)電(dian)源(yuan)係(xi)統(tong)設(she)計(ji)時(shi)提(ti)供(gong)更(geng)豐(feng)富(fu)的(de)選(xuan)擇(ze)。”

第一組新IGBT是NGTB40N120FLWG、NGTB25N120FLWG及NGTB15N120FLWG。zhexiechanpincaiyongqianggujigaoxingjiabidegoucaoxingjishujiegou，weigaopinkaiguanyingyongtigongyouyidexingneng。dikaiguansunhaojichaokuaihuifuerjiguanshitamenfeichangshiheyugaopintaiyangneng
、UPS及逆變焊機應用。這些器件分別擁有40 A、25 A及15 A的額定集電極電流(IC)。三款器件均經過高度優化，用於頻率在10千赫茲(kHz)至40 kHz的開關應用
，提供低導通電壓(VCEsat)及低門電荷(Qg)特性，並具備超快恢複能力
，提供極低開關損耗，以保持低功率耗散。新IGBT器件都提供-55 °C至+150 °C的工作結溫。

第二組新器件也拓寬了安森美半導體的溝槽型場截止IGBT器件陣容，將產品額定電流能力提升至最高40 A。NGTB30N120LWG 及NGTB40N120LWG提供低Vcesat及強固的短路特性
，帶有快速恢複二極管，用於低頻(2 – 20 kHz)硬開關應用，如電機控製變頻應用。與這兩款器件相輔相成的是NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB20N120IHSWG及NGTB30N120IHSWG，這些器件具有均衡的開關及導電損耗，用於中等工作頻率(15 – 30 kHz)的電磁感應加熱及其它軟開關應用
，如電火鍋
、電飯煲及微波爐等電器。

封裝及價格

NGTB15N120FLWG、NGTB25N120FLWG

、NGTB40N120FLWG
、NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG
、NGTB30N120LWG、NGTB40N120LWG、NGTB30N120IHSWG及NGTB20N120IHSWG均采用緊湊的無鉛TO-247封裝，每批量10,000片的單價分別為2.00

、2.50、4.00、2.50、2.75
、3.00、3.25

、2.25及1.60美元。