更高效率更省空間 飛兆發布FDMF68xx Gen III XS DrMOS係列
發布時間:2012-04-18
產品特性:
- 能夠降低輸出感量和減少輸出電容器數目
- 可讓設計人員滿足嚴苛的節能標準
- 能夠節省多達50%的線路板空間
適用範圍:
- 適用於刀片式服務器、高性能筆記本電腦、遊戲主機和負載點模塊
新能源標準以及針對刀片式服務器、高性能筆記本電腦、遊戲主機和負載點(point-of-load)模塊的新係統規範,正在推動業界對更高效率、更大電流、更高開關頻率以及更大功率密度的需求。為了配合行業發展趨勢,飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出FDMF68xx Gen III DrMOS多芯片模塊(MCM)係列。
FDMF68xx係列經設計能夠降低輸出感量和減少輸出電容器數目,與普通分立器件解決方案相比,該係列能夠節省多達50%的線路板空間,並提高效率,以期滿足新能源標準要求。使用飛兆半導體的高性能PowerTrench® MOSFET技術,FDMF68xx係列能夠顯著減少開關振鈴(switch ringing),省去大多數降壓轉換器應用中使用的緩衝器電路。
Gen III DrMOS MCM係列能夠支持數字和模擬PWM控製器的3.3V和5V三態PWM輸入電壓,30V器件選項使得DrMOS能夠適應筆記本電腦或UltraBookTM 電源係統的要求。Gen III DrMOS係列在1MHz以上開關頻率下提供更高的效率,更高的最大負載電流和功率密度,該係列器件采用6x6mm2 PQFN封裝,能夠達到效率標準要求並提供每相高達60A的電流。
特性和優勢
• 峰值效率達93%; 30A效率達91%;500KHz頻率,12VIN,1VOUT
• 峰值效率達90%; 30A效率達88%;1MHz頻率,12VIN,1VOUT
• 大電流處理能力:結溫100°C時60A
• 能夠達到1.5MHz的開關頻率
• 省去典型設計中的散熱器
飛兆半導體Genernation III DrMOS係列器件提供業界領先技術,以應對現今設計所遇到的能效和外形尺寸挑戰。Genernation III DrMOS器件是飛兆半導體高能效的功率模擬、功率分立和光電子解決方案的一部分,能夠在功率敏感應用中實現最大節能。
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