機遇與挑戰：

• TSV 3D IC技術發展速度相當緩慢
• TSV 3D IC麵臨諸多挑戰
• 2016年將完成多種半導體異質整合水平

 
TSV 3D IC技術雖早於2002年由IBM所提出，然而，在前後段IC製造技術水準皆尚未成熟情況下，TSV 3D IC技術發展速度可說是相當緩慢
，DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析，直至2007年東芝(Toshiba)將鏡頭與CMOS Image Sensor以TSV 3D IC技術加以堆棧推出體積更小的鏡頭模塊後，才正式揭開TSV 3D IC實用化的序幕。

於yu此ci同tong時shi，全quan球qiu主zhu要yao芯xin片pian製zhi造zao商shang製zhi程cheng技ji術shu先xian後hou跨kua入ru奈nai米mi級ji製zhi程cheng後hou，各ge廠chang商shang亦yi警jing覺jiao到dao除chu微wei縮suo製zhi程cheng技ji術shu將jiang麵mian臨lin物wu理li極ji限xian的de挑tiao戰zhan外wai

，研yan發fa時shi間jian與yu研yan發fa成cheng本ben亦yi將jiang隨sui製zhi程cheng技ji術shu的de進jin步bu而er上shang揚yang
，因yin此ci
，包bao括kuoIBM、三星電子(Samsung Electronics)、台積電(TSMC)、英特爾(Intel)、爾必達(Elpida)等芯片製造商皆先後投入TSV 3D IC技術研發。

至2011年第4季，三星與爾必達分別推出采TSV 3D IC同質整合技術高容量DRAM模塊產品

，並已進入送樣階段，台積電則以28奈米製程采半導體中介層(Interposer)2.5D技術為賽靈思(Xilinx)製作出新一代現場可程序邏輯門陣列(Field Programmable Gate Array；FBGA)產品。

然而
，柴煥欣說明，各主要投入TSV 3D IC半導體大廠除麵對晶圓薄型化、芯片堆棧、散熱處理等相關技術層麵的問題外，隨TSV 3D IC技術持續演進並逐漸導入實際製造過程中，前段與後段IC製程皆出現更多隱藏於製造細節上的問題。

加上就整體產業鏈亦存在從材料
、設計，乃至生產程序都尚未訂出共通標準，而晶圓代工業者與封裝測試業者亦無法於製程上成功銜接與彙整，都將是造成延誤TSV 3D IC技術發展與市場快速起飛重要原因。

綜合各主要芯片製造商技術藍圖規畫
，2011年TSV 3D IC是以同質整合的高容量DRAM產品為主，至2014年
，除將以多顆DRAM堆棧外，尚會整合一顆中央處理器或應用處理器的異質整合產品。柴煥欣也預估
，要至2016年，才有機會達到將DRAM
、RF
、NAND Flash、CPU等各種不同的半導體組件以TSV 3D IC技術整合於同1顆IC之中異質整合水平。