中心議題：

• MOS管種類和結構
• MOS管導通特性
• MOS開關管損失
• MOS管驅動
• MOS管應用電路

在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的de導dao通tong電dian阻zu，最zui大da電dian壓ya等deng，最zui大da電dian流liu等deng，也ye有you很hen多duo人ren僅jin僅jin考kao慮lv這zhe些xie因yin素su。這zhe樣yang的de電dian路lu也ye許xu是shi可ke以yi工gong作zuo的de，但dan並bing不bu是shi優you秀xiu的de，作zuo為wei正zheng式shi的de產chan品pin設she計ji也ye是shi不bu允yun許xu的de。

下麵是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結
，其中參考了一些資料，非全部原創。包括MOS管的介紹，特性，驅動以及應用電路。

1，MOS管種類和結構

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被製造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型

，但實際應用的隻有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS
，或者PMOS指的就是這兩種。

至於為什麼不使用耗盡型的MOS管

，不建議刨根問底。

對於這兩種增強型MOS管
，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小
，且容易製造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。下麵的介紹中，也多以NMOS為主。

MOS管(guan)的(de)三(san)個(ge)管(guan)腳(jiao)之(zhi)間(jian)有(you)寄(ji)生(sheng)電(dian)容(rong)存(cun)在(zai)，這(zhe)不(bu)是(shi)我(wo)們(men)需(xu)要(yao)的(de)
，而(er)是(shi)由(you)於(yu)製(zhi)造(zao)工(gong)藝(yi)限(xian)製(zhi)產(chan)生(sheng)的(de)。寄(ji)生(sheng)電(dian)容(rong)的(de)存(cun)在(zai)使(shi)得(de)在(zai)設(she)計(ji)或(huo)選(xuan)擇(ze)驅(qu)動(dong)電(dian)路(lu)的(de)時(shi)候(hou)要(yao)麻(ma)煩(fan)一(yi)些(xie)，但(dan)沒(mei)有(you)辦(ban)法(fa)避(bi)免(mian)

，後(hou)邊(bian)再(zai)詳(xiang)細(xi)介(jie)紹(shao)。

在MOS管原理圖上可以看到
，漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管，在驅動感性負載（如馬達）
，這個二極管很重要。順便說一句，體二極管隻在單個的MOS管中存在，在集成電路芯片內部通常是沒有的。

2，MOS管導通特性

導通的意思是作為開關
，相當於開關閉合。

NMOS的特性，Vgs大於一定的值就會導通，適合用於源極接地時的情況（低端驅動），隻要柵極電壓達到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小於一定的值就會導通，適合用於源極接VCC時的情況（高端驅動）。但是
，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動
，但由於導通電阻大
，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。

3
，MOS開關管損失

不管是NMOS還是PMOS，導通後都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。

MOS在導通和截止的時候
，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快
，損失也越大。

導通瞬間電壓和電流的乘積很大


，造成的損失也就很大。縮短開關時間，可以減小每次導通時的損失

；降低開關頻率，可以減小單位時間內的開關次數。這兩種辦法都可以減小開關損失。
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4，MOS管驅動

跟雙極性晶體管相比，一般認為使MOS管導通不需要電流

，隻要GS電壓高於一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是

，我們還需要速度。

在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOSguandequdong，shijishangjiushiduidianrongdechongfangdian。duidianrongdechongdianxuyaoyigedianliu，yinweiduidianrongchongdianshunjiankeyibadianrongkanchengduanlu，suoyishunjiandianliuhuibijiaoda。xuanze/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。

第二注意的是，普遍用於高端驅動的NMOS，導通時需要是柵極電壓大於源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個係統裏
，要得到比VCCdadedianya，jiuyaozhuanmendeshengyadianlule。henduomadaqudongqidoujichengledianhebeng
，yaozhuyideshiyinggaixuanzeheshidewaijiedianrong
，yidedaozugoudeduanludianliuququdongMOS管。

上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓
，設計時當然需要有一定的餘量。而且電壓越高，導通速度越快
，導通電阻也越小。現在也有導通電壓更小的MOS管用在不同的領域裏，但在12V汽車電子係統裏
，一般4V導通就夠用了。

MOS管的驅動電路及其損失，可以參考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。講述得很詳細，所以不打算多寫了。

5
，MOS管應用電路

MOS管最顯著的特性是開關特性好
，所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中
，常見的如開關電源和馬達驅動，也有照明調光。