產品特性：

• 采用針對更高電壓器件優化的新型低導通電阻技術
• 在4.5V柵極驅動下額定導通電阻為8.5mΩ的80V MOSFET
• 符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定
  
  ，符合RoHS指令2002/95/EC

應用範圍：

• 更高電壓器件的優化

日前
，Vishay Intertechnology, Inc.宣布
，推出采用針對更高電壓器件優化的新型低導通電阻技術的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是業界首款在4.5V柵極驅動下就能導通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用熱增強型PowerPAK® SO-8封裝
，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ
、6.7mΩ和5.9mΩ的超低導通電阻。在4.5V柵極驅動下，該器件的典型導通電阻與柵極電荷的乘積為161，該數值是DC-DC轉換器應用中MOSFET的優值係數(FOM，單位是nC-mΩ)。

SiR880DP針對通信負載點應用的隔離式DC-DC轉zhuan換huan器qi中zhong初chu級ji側ce開kai關guan進jin行xing了le優you化hua。非fei常chang低di的de導dao通tong電dian阻zu意yi味wei著zhe可ke減jian少shao功gong率lv損sun耗hao和he實shi現xian更geng綠lv色se的de解jie決jue方fang案an，尤you其qi是shi在zai待dai機ji模mo式shi這zhe樣yang的de輕qing負fu載zai條tiao件jian下xia。

器件的4.5V電壓等級有助於實現更高頻率的設計
，在POL應用中大幅降低柵極驅動損耗

，並且可以使用電壓更低
、成本更低的5V PWM IC。截止目前，其他80V功率MOSFET還隻能在6V或更高的柵極驅動下才能導通。

SiR880DP經過了完備的Rg和UIS測試。這款采用PowerPAK SO-8封裝的MOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定
，符合RoHS指令2002/95/EC。