IR推出采用 PQFN 封裝和銅夾技術的新產品
發布時間:2010-07-13
產品特性:
- 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產品組合
- 采用了5x6 mm PQFN封裝
- 優化銅夾和焊接芯片技術
應用範圍:
- 網絡和電信設備的DC-DC轉換器、AC-DC開關電源(SMPS)及電機驅動開關等開關應用
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產品組合,提供完整的中壓器件係列,它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優化銅夾和焊接芯片技術。
新的功率MOSFET采用了IR最新的矽技術來實現基準性能,適用於網絡和電信設備的DC-DC轉換器、AC-DC開關電源(SMPS)及電機驅動開關等開關應用。由於新器件滿足40V到250V的寬泛電壓,所以可提供不同水平的導通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg),為客戶的特定應用提供優化的性能和更低成本。
IR 亞洲區銷售副總裁潘大偉表示:“由於新器件的尺寸僅為0.9mm,並具有標準引腳,可提供高額定電流和低導通電阻,因此與需要多個並行元件的解決方案相比,具有更高的效率、功率密度和可靠性,因而非常適合電路板空間狹小的開關應用。”
所有器件都具有低熱阻(不到0.5 °C/W),符合MSL1 標準,所采用的環保材料既不含鉛、溴或鹵,也符合有害物質管製指令 (RoHS) 。
產品基本規格

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