“3英寸品僅為7萬日元左右”——用於功率元件的SiC底板不斷降價
發布時間:2010-01-08 來源:技術在線
新聞事件:
功率元件用SiC底板不僅品質不斷提高,價格也在不斷下降。雖然從事SiC功率元件的廠商增多帶來了需求擴大,但降價的主要原因在於提供好品質底板的廠商增多,“開始出現價格競爭”(多家底板廠商)。據某家底板廠商介紹,雖然價格根據結晶缺陷密度等品質而有所不同,但“直徑為3英寸(75mm)的產品在大量購買時價格已經隻有7萬日元左右。而去年還約為10萬日元”。也就是說,價格在以每年30%左右的幅度下降。
還有多家廠商在銷售“外延底板”,這種底板上不僅層疊有SiC底板,還層疊有外延層。日本國內的主要外延底板廠商是昭和電工。該公司已經上市4英寸外延底板。該公司是從其他公司采購SiC底板,層疊上外延層後銷售。
外延底板的價格方麵,“外延層的厚度為10μm左右,價格是3英寸底板的大約2倍”(多家外延底板廠商)。
SiC底板紛紛亮相研究會
在此背景下,與2009年12月17~18日舉行的“第18屆SiC及寬帶隙半導體研究會”同時舉辦的展會上,有多家企業展出了SiC底板(4H型)和外延底板。
東麗道康寧自信地表示“品質不亞於頂尖廠商(美國科瑞)”(解說員)(圖1、2)。該公司同時還在銷售美國道康寧的SiC底板(參閱本站報道)。3英寸的4H型SiC底板保證微管密度不超過3個/cm2。“實際上為大約0.2個/cm2”(該解說員)。2009年5月以後,通過大幅改善製造工藝底板品質得到了提高。除去微管,錯位等缺陷的密度在5000~7000個/cm2左右。底板表麵上的結晶缺陷占整個底板的5~15%。
除3英寸底板外,東麗道康寧還提供3英寸的外延底板。4英寸底板定於2010年1月、4英寸的外延底板定於7~9月銷售。而有關6英寸底板的銷售目標則是2011年供應樣品。
4英寸底板已不再特殊
SiC底板的大口徑化也在穩步推進,目前已有多家廠商在提供4英寸底板。此次展會的參展企業有諸如代表美國II-VI參展的II-VI日本法人公司和德國SiCrystal等(圖3)。II-VI日本展出了微管密度標準為1.3個/cm2、優質品為0個的“無微管”4H型SiC底板。微管除外的錯位等缺陷密度低於1萬個/cm2。
雖然尚無銷售計劃,但直徑5英寸的底板已經開發完成。今後將進一步增大直徑,目標是2012年左右銷售6英寸直徑的產品。另外,II-VI日本今後將進一步擴大業務。“力爭到2014~2015年左右,銷量達到現在的9倍”(II-VI日本的解說員)。另外,該公司表示沒有涉足外延底板的計劃。
德國SiCrystal的最大股東進入2009年以後變成了羅姆。但SiCrystal底板的銷售跟以前一樣,仍不僅限於羅姆。會場上,該公司的日本銷售代理店(Ceramic Forum)展出了4英寸底板等(圖4、5)。3英寸和4英寸底板的高端產品中微管密度保證低於3個/cm2。
此外,作為銷售代理,日本New Metals & Chemicals還展出了北京天科合達藍光半導體製造的SiC底板。

圖1:東麗道康寧展出的SiC底板 圖2:東麗道康寧的展板 圖3:美國II-VI的SiC底板
右為功率元件用4H型,左為高頻元件用6H型

圖4:SiCrystal的4英寸底板 圖5:Ceramic Forum的展板
- 功率元件用SiC底板品質不斷提高,價格也在不斷下降
- SiC底板紛紛亮相研究會
- 4英寸底板已不再特殊
功率元件用SiC底板不僅品質不斷提高,價格也在不斷下降。雖然從事SiC功率元件的廠商增多帶來了需求擴大,但降價的主要原因在於提供好品質底板的廠商增多,“開始出現價格競爭”(多家底板廠商)。據某家底板廠商介紹,雖然價格根據結晶缺陷密度等品質而有所不同,但“直徑為3英寸(75mm)的產品在大量購買時價格已經隻有7萬日元左右。而去年還約為10萬日元”。也就是說,價格在以每年30%左右的幅度下降。
還有多家廠商在銷售“外延底板”,這種底板上不僅層疊有SiC底板,還層疊有外延層。日本國內的主要外延底板廠商是昭和電工。該公司已經上市4英寸外延底板。該公司是從其他公司采購SiC底板,層疊上外延層後銷售。
外延底板的價格方麵,“外延層的厚度為10μm左右,價格是3英寸底板的大約2倍”(多家外延底板廠商)。
SiC底板紛紛亮相研究會
在此背景下,與2009年12月17~18日舉行的“第18屆SiC及寬帶隙半導體研究會”同時舉辦的展會上,有多家企業展出了SiC底板(4H型)和外延底板。
東麗道康寧自信地表示“品質不亞於頂尖廠商(美國科瑞)”(解說員)(圖1、2)。該公司同時還在銷售美國道康寧的SiC底板(參閱本站報道)。3英寸的4H型SiC底板保證微管密度不超過3個/cm2。“實際上為大約0.2個/cm2”(該解說員)。2009年5月以後,通過大幅改善製造工藝底板品質得到了提高。除去微管,錯位等缺陷的密度在5000~7000個/cm2左右。底板表麵上的結晶缺陷占整個底板的5~15%。
除3英寸底板外,東麗道康寧還提供3英寸的外延底板。4英寸底板定於2010年1月、4英寸的外延底板定於7~9月銷售。而有關6英寸底板的銷售目標則是2011年供應樣品。
4英寸底板已不再特殊
SiC底板的大口徑化也在穩步推進,目前已有多家廠商在提供4英寸底板。此次展會的參展企業有諸如代表美國II-VI參展的II-VI日本法人公司和德國SiCrystal等(圖3)。II-VI日本展出了微管密度標準為1.3個/cm2、優質品為0個的“無微管”4H型SiC底板。微管除外的錯位等缺陷密度低於1萬個/cm2。
雖然尚無銷售計劃,但直徑5英寸的底板已經開發完成。今後將進一步增大直徑,目標是2012年左右銷售6英寸直徑的產品。另外,II-VI日本今後將進一步擴大業務。“力爭到2014~2015年左右,銷量達到現在的9倍”(II-VI日本的解說員)。另外,該公司表示沒有涉足外延底板的計劃。
德國SiCrystal的最大股東進入2009年以後變成了羅姆。但SiCrystal底板的銷售跟以前一樣,仍不僅限於羅姆。會場上,該公司的日本銷售代理店(Ceramic Forum)展出了4英寸底板等(圖4、5)。3英寸和4英寸底板的高端產品中微管密度保證低於3個/cm2。
此外,作為銷售代理,日本New Metals & Chemicals還展出了北京天科合達藍光半導體製造的SiC底板。

圖1:東麗道康寧展出的SiC底板 圖2:東麗道康寧的展板 圖3:美國II-VI的SiC底板
右為功率元件用4H型,左為高頻元件用6H型

圖4:SiCrystal的4英寸底板 圖5:Ceramic Forum的展板
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