中心議題：

• 厚膜和薄膜技術
• 各種技術的發展

當前的小型化趨勢將電阻器技術推到了極限。例如
，0201尺寸的片狀電阻器僅封裝就大約占到了元件總成本的60%。duimouxiezaidianlubanshangtongyixianglinweizhishiyongxiangtongdianzuzhideshejilaishuo，pianzhuangyuanjianzhenliekeyibangzhuhuanjiebujuhefengzhuangwenti。buguo，zhebingbushiyongyusuoyouchangshang。

厚hou膜mo和he薄bo膜mo技ji術shu的de最zui近jin發fa展zhan可ke以yi在zai給gei定ding的de芯xin片pian尺chi寸cun上shang實shi現xian更geng高gao的de額e定ding功gong率lv。眾zhong所suo周zhou知zhi，與yu厚hou膜mo電dian阻zu元yuan件jian相xiang比bi，薄bo膜mo電dian阻zu元yuan件jian具ju有you眾zhong多duo性xing能neng優you勢shi，而er厚hou膜mo電dian阻zu器qi唯wei一yi的de明ming顯xian優you勢shi就jiu是shi成cheng本ben。

借jie助zhu最zui新xin的de材cai料liao和he工gong藝yi進jin步bu，這zhe種zhong明ming顯xian的de成cheng本ben差cha別bie可ke被bei顯xian著zhu降jiang低di，這zhe很hen可ke能neng會hui對dui片pian狀zhuang電dian阻zu器qi市shi場chang產chan生sheng重zhong大da影ying響xiang。目mu前qian，一yi種zhong合he理li的de預yu期qi是shi
，容rong差cha1%、電阻溫度係數（TCR）為±100×10-6/℃的商品薄膜片狀電阻器的價位將與同等精度的厚膜電阻器的價位大致相同。

在硫含量較高的環境，例如汽車裝備、gongyeshebeihezhongxingnongyonghejianzhushebeizhong，youyuliuhuayindexingcheng
，changjiandehoumopianzhuangdianzuqihuichuxianzuzhipianyiwenti。liushenguodianducenghepingbiceng
，yuyinjiechuxingchengliuhuayin（如圖1所示）。

圖1硫滲過電鍍層和屏蔽層

，與銀接觸形成硫化銀

硫(liu)化(hua)銀(yin)是(shi)不(bu)導(dao)電(dian)的(de)

，而(er)持(chi)續(xu)暴(bao)露(lu)在(zai)硫(liu)環(huan)境(jing)中(zhong)將(jiang)意(yi)味(wei)著(zhe)更(geng)多(duo)硫(liu)化(hua)銀(yin)的(de)形(xing)成(cheng)
，直(zhi)到(dao)所(suo)有(you)的(de)銀(yin)都(dou)完(wan)全(quan)轉(zhuan)化(hua)成(cheng)硫(liu)化(hua)銀(yin)。導(dao)電(dian)層(ceng)將(jiang)因(yin)此(ci)被(bei)中(zhong)斷(duan)，而(er)該(gai)元(yuan)件(jian)將(jiang)變(bian)成(cheng)開(kai)路(lu)。對(dui)任(ren)何(he)汽(qi)車(che)或(huo)工(gong)業(ye)設(she)備(bei)製(zhi)造(zao)商(shang)而(er)言(yan)
，這(zhe)是(shi)一(yi)種(zhong)特(te)別(bie)令(ling)人(ren)沮(ju)喪(sang)的(de)現(xian)象(xiang)
，因(yin)為(wei)它(ta)是(shi)一(yi)種(zhong)在(zai)製(zhi)造(zao)時(shi)完(wan)全(quan)無(wu)法(fa)檢(jian)測(ce)的(de)潛(qian)在(zai)故(gu)障(zhang)。有(you)些(xie)汽(qi)車(che)和(he)工(gong)業(ye)設(she)備(bei)製(zhi)造(zao)商(shang)已(yi)經(jing)通(tong)過(guo)密(mi)封(feng)電(dian)子(zi)設(she)備(bei)，成(cheng)功(gong)地(di)阻(zu)止(zhi)了(le)硫(liu)化(hua)銀(yin)的(de)形(xing)成(cheng)

，但(dan)要(yao)將(jiang)該(gai)方(fang)法(fa)應(ying)用(yong)於(yu)所(suo)有(you)情(qing)況(kuang)並(bing)不(bu)可(ke)行(xing)，而(er)且(qie)這(zhe)並(bing)不(bu)是(shi)一(yi)種(zhong)能(neng)確(que)保(bao)防(fang)止(zhi)硫(liu)汙(wu)染(ran)的(de)可(ke)靠(kao)方(fang)法(fa)。

厚膜和薄膜

厚膜電阻器的內部端接通常都不同程度地采用了鍍銀/鈀工藝。這些相對廉價的端接材料具有更高的銀含量，但通常正是內部端接中的銀容易受到硫的汙染。

盡(jin)管(guan)有(you)可(ke)能(neng)找(zhao)到(dao)銀(yin)含(han)量(liang)更(geng)低(di)的(de)厚(hou)膜(mo)材(cai)料(liao)，但(dan)至(zhi)今(jin)為(wei)止(zhi)，這(zhe)些(xie)備(bei)選(xuan)材(cai)料(liao)都(dou)需(xu)要(yao)更(geng)高(gao)的(de)成(cheng)本(ben)，因(yin)此(ci)批(pi)量(liang)生(sheng)產(chan)似(si)乎(hu)不(bu)太(tai)可(ke)能(neng)。另(ling)一(yi)方(fang)麵(mian)，薄(bo)膜(mo)片(pian)狀(zhuang)電(dian)阻(zu)器(qi)使(shi)用(yong)濺(jian)射(she)的(de)、以鎳鉻鐵合金為主要材質的內部端接，不含銀且通常也不包含任何其他貴金屬。這意味著鎳鉻鐵合金薄膜材料的價位比那些金
、鈀或鉑含量更高的厚膜材料更為穩定。
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zhiyouneibuduanjiebubaohanyinhuotongzhicailiaodepianzhuangdianzuqi，huozhenaxieneibuduanjieyouliuwufashentoudezhongjiancengjiayibaohudepianzhuangdianzuqi，cainenggouwanquanbushouliuwurandeyingxiang。shichangshangcunzaijuyoujingzhenglidejiyuhoumodejiejuefangan，tamenyouyidingfangliuxiaoguo，danrengbunengwanquanbimianliuwuran——時間一長
，它們最終也會失效

，變成開路。

tongyang
，womenzhidao
，jindudebaohuxingdunhuacengdebuzhongheyekenenghuishideliuwurandeyingxianggengweiyanzhong。zaizhezhongqingkuangxia，jiangdijindugongyidesudukeyijiangzhezhongxiaoyingjiangzhizuidi，danzheyangzuoyehuizengjiazhizaochengbenbingjiangdizhizaochanneng。yinweibomoneibuduanjiebushouliuwurandeyingxiang，suoyizheyigongyidejingdubingbuzhongyao。

很明顯，就其內部端接而言，薄膜電阻器技術可以更好地抵抗硫汙染。除此之外，采用薄膜技術的電阻器也具有整體穩定性、更低的噪聲以及更低的寄生電容和電感（取決於電阻值）。圖2展示了常見的薄膜電阻器，它比厚膜片狀電阻器有顯著的改善，特別是它的電阻值較大。


圖2根據額定電阻值而變化的典型電流噪聲等級

在zai過guo去qu，這zhe種zhong電dian噪zao聲sheng更geng低di的de改gai進jin措cuo施shi隻zhi有you在zai高gao端duan音yin頻pin應ying用yong中zhong才cai能neng體ti現xian其qi重zhong要yao性xing。但dan是shi，厚hou膜mo電dian阻zu器qi難nan以yi滿man足zu目mu前qian最zui新xin的de高gao速su通tong信xin設she備bei，例li如ru路lu由you器qi
、網橋和DSL調tiao製zhi解jie調tiao器qi等deng對dui噪zao聲sheng的de要yao求qiu。許xu多duo因yin素su導dao致zhi厚hou膜mo電dian阻zu器qi的de噪zao聲sheng更geng大da，薄bo膜mo和he厚hou膜mo技ji術shu最zui顯xian著zhu的de一yi個ge差cha異yi體ti現xian在zai激ji光guang修xiu整zheng特te性xing上shang。一yi旦dan燒shao製zhi成cheng功gong，厚hou膜mo材cai料liao的de性xing狀zhuang實shi際ji上shang與yu玻bo璃li類lei似si。因yin此ci
，隨sui著zhe材cai料liao的de冷leng卻que，激ji光guang修xiu整zheng會hui在zai修xiu整zheng區qu域yu周zhou圍wei形xing成cheng許xu多duo細xi小xiao的de微wei裂lie痕hen。這zhe些xie微wei裂lie痕hen是shi寄ji生sheng電dian容rong和he錯cuo誤wu電dian流liu路lu徑jing的de一yi種zhong來lai源yuan
，所suo有you這zhe些xie都dou會hui固gu有you地di導dao致zhi對dui高gao速su通tong信xin信xin號hao的de處chu理li性xing能neng的de下xia降jiang。

為wei了le降jiang低di激ji光guang修xiu整zheng對dui厚hou膜mo元yuan件jian的de影ying響xiang
，製zhi造zao商shang通tong常chang會hui增zeng加jia一yi層ceng絕jue緣yuan玻bo璃li來lai穩wen定ding激ji光guang修xiu整zheng。這zhe一yi層ceng包bao含han微wei量liang的de鉛qian
，而er且qie人ren們men深shen知zhi它ta對dui於yu保bao持chi厚hou膜mo電dian阻zu器qi長chang期qi可ke靠kao性xing的de重zhong要yao性xing；鑒於其重要性，這種絕緣玻璃層目前屬於RoHS標準的豁免項目。

但(dan)是(shi)，這(zhe)種(zhong)豁(huo)免(mian)今(jin)後(hou)是(shi)會(hui)繼(ji)續(xu)存(cun)在(zai)，抑(yi)或(huo)業(ye)界(jie)會(hui)要(yao)求(qiu)使(shi)用(yong)一(yi)種(zhong)不(bu)含(han)鉛(qian)的(de)激(ji)光(guang)修(xiu)整(zheng)穩(wen)定(ding)的(de)備(bei)選(xuan)方(fang)法(fa)，前(qian)景(jing)尚(shang)不(bu)明(ming)朗(lang)。薄(bo)膜(mo)技(ji)術(shu)可(ke)以(yi)提(ti)供(gong)一(yi)種(zhong)“更為綠色”或更為環保的電阻器

，因為它不需要使用幾乎所有厚膜芯片都會用到的含鉛玻璃。

發展

薄膜技術以及厚膜技術的一項最新發展是在給定的EIA標準片狀電阻器尺寸上獲得了更高的額定功率（如表1所示）。這一重要進步使得工程師能夠使設計小型化
，而無須犧牲功率處理能力。對於增強電流設計、減小未來設計的尺寸、產出更小的最終產品或在同尺寸產品中提供更多功能而言，這項突破都是至關重要的。


影響薄膜技術批量應用於片狀電阻器製造的最重要因素是它的成本。具有最差容差和TCR的薄膜片狀電阻器的常見價位要比最接近它的厚膜同類產品高10〜100倍(bei)。為(wei)了(le)減(jian)少(shao)這(zhe)種(zhong)差(cha)異(yi)，供(gong)應(ying)商(shang)需(xu)要(yao)對(dui)薄(bo)膜(mo)材(cai)料(liao)進(jin)行(xing)完(wan)全(quan)重(zhong)新(xin)設(she)計(ji)，以(yi)滿(man)足(zu)高(gao)速(su)低(di)成(cheng)本(ben)生(sheng)產(chan)的(de)需(xu)要(yao)。它(ta)還(hai)需(xu)要(yao)開(kai)發(fa)一(yi)種(zhong)高(gao)速(su)的(de)內(nei)聯(lian)式(shi)薄(bo)膜(mo)製(zhi)造(zao)工(gong)藝(yi)。降(jiang)低(di)成(cheng)本(ben)的(de)最(zui)後(hou)一(yi)步(bu)是(shi)將(jiang)對(dui)薄(bo)膜(mo)材(cai)料(liao)的(de)要(yao)求(qiu)從(cong)高(gao)精(jing)度(du)級(ji)別(bie)（0.1%的容差和25×10-6/℃的TCR）放寬到商用、通用和商品級別（1%容差和100×10-6/℃的TCR）。這3項進步可以同時應用於價格僅為常見商品厚膜片狀電阻器的10%〜20%的片狀電阻器。那可能是所有發展中最引人注目的一項。