【導讀】繼上一篇“正電壓浪湧對策”之後，本文將會通過示例來看針對負電壓浪湧的對策及其效果。

本文的關鍵要點

・通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負電壓浪湧，來防止SiC MOSFET的LS導通時，SiC MOSFET的HS誤導通。

・具體方法取決於各電路中所示的對策電路的負載。

・如果柵極驅動IC沒有控製功能，則很難通過米勒鉗位進行抑製。

・作為米勒鉗位的代替方案，通過結合使用鉗位肖特基勢壘二極管和誤導通抑製電容器
，與正浪湧之間取得平衡，從而達到優化的目的。

繼上一篇“正電壓浪湧對策”之後，本文將會通過示例來看針對負電壓浪湧的對策及其效果。

關於SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產生的浪湧，在之前發布的R課堂基礎知識 SiC功率元器件 應用篇的“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作”中已進行了詳細說明。

負電壓浪湧對策

下圖顯示了同步升壓電路中LS關斷時柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過。要想抑製事件（IV）
，即HS（非開關側）的VGS的負浪湧，正如在上一篇文章“浪湧抑製電路”的表格中所總結的，采用浪湧抑製電路的米勒鉗位用MOSFET Q2、或鉗位用SBD（肖特基勢壘二極管）D3是很有效的方法（參見下麵的驗證電路）。

下麵的電路是上一篇中用來驗證正浪湧對策的抑製電路。使用“（a）無抑製電路

、（b）僅有米勒鉗位用的MOSFET（Q2）、（c）僅有鉗位用的肖特基勢壘二極管、（d）僅有誤導通抑製電容器C1”這四種電路，通過“雙脈衝測試”確認了VGS的浪湧電壓。

下麵是雙脈衝測試中關斷時的波形、從上到下依次顯示了開關側柵極－源極電壓（VGS_HS）、非開關側柵極－源極電壓（VGS_LS）、漏極－源極電壓（VDS）和漏極電流（ID）。圖中一並列出了前述的抑製電路（a）
、（b）、（c）、以及同時具備抑製電路（b）和（c）的電路（e）的波形。

從這個波形圖中可以看出，除了沒有對策電路的（a）外
，其他任何一個抑製電路都可以消除負浪湧。

接下來，請看僅連接了誤導通抑製電容器C1的驗證電路（d）在雙脈衝測試中的關斷波形。電路圖與上麵給出的電路圖一樣。波形（a）是沒有C1的比較用波形，波形（b）、（c）和（d）是有C1、C1分別為2.2nF、3.3nF和4.7nF時的波形。與不加C1的（a）相比，加了C1的波形（b）、（c）、（d）中
，VGS_LS的負浪湧略有降低
，但效果並不明顯。因此
，作為對策，需要從抑製電路（b）和（c）中作出選擇
，但由於（c）不能抑製正浪湧
，所以最終選擇（b）。如果米勒鉗位控製困難且無法選擇抑製電路（b），則需要通過結合使用（c）和（d）來測試和優化整個係的效率。

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