三菱電機從上世紀90年代已經開始啟動SiC相關的研發工作。最初階段，SiC晶體的品質並不理想，適合SiC的器件結構和製造工藝仍處於探索階段
，但研發人員堅信SiC MOSFET是能夠最大限度發揮SiC材料優異物理性能的器件，因此一直致力於相關研發。

三菱電機於2003年開發出耐壓2kV的小芯片SiC MOSFET，並於2005年開發出耐壓1200V、電流10A的SiC MOSFET樣片。對10A的SiC MOSFET進行動態特性評估，結果表明
，與Si IGBT相比，開關損耗可顯著降低。隨後，三菱電機繼續開發大電流芯片
、3.3kV高耐壓芯片以及集成各種功能的SiC MOSFET器件，並將持續致力於開發高性能、高可靠性且易於使用的SiC MOSFET器件。

三菱電機集團內部擁有器件開發
、電力電子應用開發和係統開發等部門。利用這一優勢
，三菱電機在開發SiC芯片的同時，也率先著手開發SiC MOSFET逆變器。2007年，製造了應用SiC MOSFET的3.7kW逆變器，結果顯示可將逆變器損耗降低50%。2009年，製造出了11kW和20kW逆變器
，根據驅動條件的不同，逆變器損耗可降低70-90%。這一時期，SiC晶圓的品質得到加速改善，SiC工藝相關技術知識也在不斷積累，大家對SiC功率器件的實際期望也在不斷提高。然而

，由於擔心柵極氧化膜的可靠性，一些製造商對SiC MOSFET仍持懷疑態度。

圖3：SiC逆變器驅動電機的試驗平台

三菱電機很早就開始著手SiC器件應用的係統開發。2010年，三菱電機率先將采用SiC SBD的混合DIPIPM™應用到空調產品中並實現產品化。2011年，開發出1200A/1700V的大功率混合SiC模塊
，並將其應用於地鐵的主逆變器中。關於SiC MOSFET
，三菱電機於2013年將3.3kV全SiC模塊成功應用於軌道車輛主逆變器中，並實現產品化。3.3kV全SiC模塊已應用於包括高速列車在內的眾多軌道車輛主逆變器中，並已投入商業化運營。此外，三菱電機分別於2015年和2016年，將SiC MOSFET成功應用到工業用IPM和家電用DIPIPM™中，實現了產品化，有助於降低係統的損耗。尤其是SiC MOSFET在軌道車輛主逆變器中的應用，對行業產生了巨大影響，並加速了SiC MOSFET的產品化和普及。

圖7：家電用15A、25A/600V全SiC DIPIPM™

關於三菱電機SiC器件的開發和生產線，三菱電機於2000年建立了2英寸和3英寸的生產線，在2009年建立了4英寸生產線並實現了產品化。在2010年代後期，建立了6英寸生產線，也是目前的主要生產線。未來
，晶圓供應商和設備製造商都希望轉向8英寸晶圓生產線，三菱電機也正在開發8英寸生產線
，計劃於2026年開始運行。今後
，隨著SiC器件在電動汽車
、新能源等市場領域的大幅擴大，8英寸生產線的投入將有望大幅降低成本
、提高生產效率。