淺談因電遷移引發的半導體失效
發布時間:2024-02-28 來源:世健 責任編輯:lina
【導讀】半導體產品老化是一個自然現象,在電子應用中,基於環境、自然等因素,半導體在經過一段時間連續工作之後,其功能會逐漸喪失,這被稱為功能失效。半導體功能失效主要包括:腐蝕、載流子注入、電遷移等。其中,電遷移引發的失效機理最為突出。技術型授權代理商Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對這一現象進行了分析。
前言
半導體產品老化是一個自然現象,在電子應用中,基於環境、自然等因素,半導體在經過一段時間連續工作之後,其功能會逐漸喪失,這被稱為功能失效。半導體功能失效主要包括:腐蝕、載流子注入、電遷移等。其中,電遷移引發的失效機理最為突出。技術型授權代理商Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對這一現象進行了分析。
1、背景
從20世紀初期第一個電子管誕生以來,電子產品與人類的聯係越來越緊密,特別是進入21世shi紀ji以yi來lai,隨sui著zhe集ji成cheng電dian路lu的de飛fei速su發fa展zhan,人ren們men對dui電dian子zi產chan品pin的de需xu求qiu也ye變bian得de愈yu加jia豐feng富fu。隨sui著zhe電dian子zi產chan品pin的de普pu及ji,電dian子zi產chan品pin失shi效xiao率lv越yue來lai越yue高gao,質zhi量liang變bian差cha,新xin產chan品pin不bu耐nai用yong。
由於產品失效率的提高,許多學者參與到半導體失效分析的研究中。經過大量研究分析和仿真,學者總結出:youyudianliudezuoyong,daozhidaoxianzhongdejinshuyuanziyudianzitongguomocachanshengdianqianyiweiyixianxiangsuoyinfadeshixiaoshidianzichanpinshixiaomoshidezhuyaoyinsuzhiyi。dianqianyimanzushixiaofenbuhanshuquxian,chanpinshixiaomoshiyuchanpingongyi、工作溫度關係密切。
2、相關理論
電dian遷qian移yi現xian象xiang主zhu要yao發fa生sheng在zai半ban導dao體ti在zai通tong電dian狀zhuang態tai下xia,由you於yu電dian場chang作zuo用yong,原yuan子zi在zai與yu電dian子zi流liu的de帶dai動dong下xia,由you於yu摩mo擦ca,產chan生sheng移yi位wei現xian象xiang,這zhe一yi現xian象xiang被bei稱cheng為wei電dian遷qian移yi。
圖 1. 電遷移作用力引發半導體失效原理
如圖所示,在電場作用下,半導體在導通過程中,正電荷會同時受到靜電場力和電子高速運動衝擊所產生的風力作用。
由於電流密度增大,電子產生的風力會大於靜電場力,從而導致正電荷——也就是金屬原子,產生移位,這一現象稱為電遷移效應或電遷移現象。經過長期積累,半導體的部分連接就會形成不連貫的晶須(Hillock)或空洞(Void),最終導致半導體元器件失效。
圖 2.電遷移作用失效示意圖
James R.Black最早在1967年提出基於電遷移引起平均失效時間(MTTF)的數據擬合經驗模型,為失效分析具有裏程碑的意義。
按照Black模型公式:
半導體元器件的失效機理與材料、電子碰撞間隔平均自由時間、有效散射橫截麵積的因素常量A,電流密度j,絕對溫度T等因素相關。Blench和Korhonen等人進一步對電遷移物理模型進行完善。半導體元器件的失效機理單元模型壽命可靠度函數符合歐拉公式。
genjuyishanggongshi,dianliumiduyueda,bandaotiyuanqijiandexiangyingsudujiukuai,yuanjianshoumingjiuhuiyueduan,fanzhi,yuanjiandeshoumingjiuhuizengchang。yaomanzubandaotiyuanqijiandexiangyingsudu,zebandaotijiuxuyaojiaogaodecanzadu,lingyifangmian,tongguochanzabutongdecailiao、調整有效散射橫截麵積等因素也會對芯片的壽命產生影響。
3、常規解決方案
(1) 報廢機製
企業通常利用產品生命周期管理方式,通過對產品生命周期進行分析,為產品設計一個報廢界定時間。在汽車、水電氣表等行業采用這種方式比較常見。
(2) 係統冗餘
在保障性係統設計中,企業一般在報廢機製的基礎之上,還會通過采用雙備份冗餘設計、或者K/N表決冗餘,並加上係統修複的方式進行係統設計。
4、技術源頭控製
(1) 工藝控製理論
根據Black模型理論,當半導體采用寬線徑工藝,橫截麵積較大時,其芯片壽命會變長,產品平均失效時間MTTF會相對拉得更長。這也從側麵解釋了為什麼傳統工藝設計出來的產品可靠性更高。
(2) 差異化技術控製方法
在芯片原理設計中,采用不同的拓撲架構模型,通過差異化技術實現不同的控製方法也很常見,比如采用CMOS基本單元替代TTL基本單元、采用恒流源替代恒壓源來完成不同的產品拓撲模型。在ADC、DAC、運算放大器、比較器等模型設計中十分常見。
在一些設計場合,通過調整芯片輸入閾值,降低芯片靈敏度,或通過控製芯片切換頻率,降低電流密度,達到提高產品可靠性的目的。
zaihexinchulixinpianmoxingshejizhong,genjubutongdeyingyongchangjing,weilezhuiqiuchanpinchulisuduhekekaoxing,tongchanghuicaiyongbutongdegongyimoxingjinxingxinpianjiagousheji,birucongCMOS衍生出來的SRAM、DRAM、ROM、EEPROM、Flash等工藝用於不同的處理器產品架構中,會達到出不同的可靠性效果。
圖 3.不同工藝模型芯片單元架構
ROM工(gong)藝(yi)的(de)處(chu)理(li)器(qi)是(shi)一(yi)種(zhong)非(fei)常(chang)古(gu)老(lao)的(de)工(gong)藝(yi)產(chan)品(pin),隻(zhi)能(neng)燒(shao)錄(lu)一(yi)次(ci),雖(sui)然(ran)在(zai)某(mou)些(xie)應(ying)用(yong)場(chang)景(jing)還(hai)依(yi)然(ran)被(bei)大(da)量(liang)使(shi)用(yong)。但(dan)在(zai)目(mu)前(qian)主(zhu)流(liu)的(de)產(chan)品(pin)方(fang)案(an)應(ying)用(yong)中(zhong),基(ji)於(yu)SRAM和Flash工藝的MCU、MPU或FPGA處理器占據了絕大多數應用場景。
5、Microchip高可靠性Flash FPGA介紹
SRAM工藝的處理器是通過CMOS內部管道切換的方式工作,其產品處理速度較高,被眾多用戶接受。但是,CMOS工藝有一個致命缺陷,由於工藝原因,伴隨CMOS工藝製成芯片產生米勒效應極其容易受到外界幹擾,產生翻轉。另外,CMOS在翻轉過程中,內阻變小,電流密度過大,芯片長期在高電流密度下工作,會加速產品老化時間。
除了基於傳統CMOS的SRAM處理器之外,Microchip推出了一種基於疊柵MOS工藝的Flash架構FPGA處理器。
圖4.Flash架構FPGA與SRAM架構FPGA的差別
Microchip的FPGA 產品範圍覆蓋從低端到中端應用,其產品特點以抗單粒子翻轉、安全、低功耗和上電即工作著稱,廣泛應用於通信、國防和航空、工業嵌入式產品。Microchip 目前主推三大係列 FPGA:
支持5K-150K LE(Logic Elements)具有大量資源的低密度器件的IGLOO®2 係列;
支持5K-150K LE具有大量資源和 32 位硬核處理器內核(ARM Cortex-M3)的SmartFusion®2 SoC係列;
以及采用 28 納米工藝技術實現, 支持25K - 480K LE的高性能PolarFire™ FPGA 和 PolarFire™ SoC係列(Hard 5-Core RISC-V 600MHZ CPU)。
這三大係列FPGA除了具有抗幹擾、低功耗、上電啟動的特征外,還具有強大的DSP/數學模塊(18x18乘法器),可用於當前熱門的AI市場。
Microchip的這款Flash架構的FPGA最大的一個特點是電流密度小、抗幹擾能力強、動態切換不會出現電流波動,基於其低功耗的特點,可大大延長產品使用壽命。非常適合應用在高可靠性、低失效率應用場合,能高效改善因電遷移引發的半導體失效問題。其授權代理商Excelpoint世健可提供技術支持和指導。
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