【導讀】nishifouzengjingjiangxindeshejihuoyuanqijianfanganshiweiyizhonggaijindeyouyidetidaifangan，danhoulaiquefaxiantayeyouchuhuyiliaodequedian
？zhexiefumianyinsushinikeyizuogengduodegongkelaiyugubinggengyouxiaopinggude？haishiguyihuozhishiyouyuqingkuangfuzaerbeimaidehenshende

？

用於測量負載電流的標準方法之一是在負載線中插入一個低阻值的電阻


，然後檢測其兩端電壓，如圖1所示，接下來就是歐姆定律的模擬或數字實現。

圖1：(a)可以將電流檢測電阻放置在電源軌和負載之間(高側)，或(b)放在負載和地之間(低側)。高側檢測更難實現，但其在許多情況下具有顯著的係統優勢。（圖片來源：ADI）

與許多工程決策一樣，選擇使用什麼電阻值是一種權衡。高阻值電阻會在其兩端產生較高的IR壓降和電壓，從而簡化電壓檢測並提高信噪比(SNR)。然而
，這卻會減少可能流向負載的功率
，而且這種耗散也可能導致電阻自熱
，從而帶來漂移和可靠性問題。

相比之下，低阻值電阻可以最大限度地降低這種壓降，但卻會帶來精度和SNR問題。較低的壓降也會受到檢測放大器電路(這類應用幾乎總是采用運算放大器設計)中缺陷的影響，因為其中存在著輸入電壓偏移和偏置電流及其隨後與溫度相關的漂移——它們全都可能破壞檢測值而使其超出允許範圍。

一yi般ban來lai說shuo，最zui好hao使shi用yong低di阻zu值zhi的de電dian阻zu，這zhe樣yang其qi相xiang關guan的de壓ya降jiang和he功gong耗hao就jiu較jiao低di
，總zong體ti上shang就jiu更geng好hao，但dan這zhe隻zhi能neng達da到dao一yi定ding程cheng度du。其qi基ji礎chu指zhi導dao原yuan則ze是shi以yi最zui大da電dian流liu下xia產chan生sheng100mV壓降來確定電阻的大小。對於許多應用，采用快速V=IR計算，就可將電流檢測電阻的值設置在1到10mΩ之間。然而，在低壓應用中，即使是適度的100mV壓降以及相關耗散
，也可能超出可接受範圍。

近年來，用於讀取檢測電阻兩端電壓的精密低壓運放的出現，使得低於1mΩ的電流檢測電阻應用成為可能。諸如TI INA185和ADI AD8417等運算放大器，都具有超低電壓偏移和偏置電流以及低溫度係數，因此使用這種低歐姆電阻就很實用。

然而
，幾乎每次有了新的進展也會帶來一連串新的考慮和顧慮。我曾經讀過TT Electronics的業務開發工程師Stephen Oxley寫的一篇應用筆記，文中討論到使用這些低歐姆值電流檢測電阻時，如何克服其固有的挑戰(圖2)。

圖2：來自TT Electronics LRMAP3920係列貼片電阻的尺寸約為5×10mm
，可提供0.2-3mΩ的電阻值。（圖片來源：TT Electronics）

在這篇名為“克服使用sub-mΩ SMD的挑戰”(Overcome the Challenges of Using Sub-Milliohm SMD)文章中，他解釋了使用這些電阻不同於甚至是mΩ級電阻的許多方式，以及不恰當地使用將如何導致其精度、一致性甚至可信度受到影響等等。

該應用筆記提供了在使用sub-mΩ檢測電阻時需要注意的三個方麵：

如何以及為何要將這些sub-mΩ芯片視為一種單獨的元器件類別，而不僅僅是低阻值版的mΩ版本。

在元器件選擇和PCB 布局設計時如何避免陷阱。

在每個階段量化和最小化誤差和變化的方法。

在眾多細節中，還有幾乎要強製使用四線開爾文連接相關的問題
，以及其連接位置和方式的細微差別如何影響性能等問題
；預估和適應由不同金屬結點的熱電效應所產生的電壓差；整個檢測元器件的電流通路和電壓檢測回路；使用多個並聯電阻來降低淨電阻或增加額定處理功率的不同方法(圖3)；當然，還有不可避免的散熱考慮。簡而言之：當檢測電阻本身為sub-mΩ時
，電阻到電路的通路和接觸電阻將成為問題的重要組成部分。

圖3：在使用超低阻值的電阻時，即使是使用兩個並聯電阻的簡單原理，也會在電流通路方麵帶來微妙的布局考慮。（圖片來源：TT Electronics）

我並不會對這篇文章進行詳細總結，對你來說自己讀過才更有意義。請注意
，這篇文章幾乎完全是關於電阻、材料、端接和電流通路的，幾乎沒有提到任何相關的電子電路——這是另一個你必須計算誤差預算的地方。

再zai一yi次ci，最zui初chu看kan起qi來lai是shi個ge簡jian單dan而er有you益yi的de方fang案an，實shi際ji上shang卻que充chong滿man了le許xu多duo微wei妙miao之zhi處chu以yi及ji錯cuo誤wu運yun用yong新xin元yuan器qi件jian的de方fang法fa
，從cong而er否fou定ding了le它ta可ke能neng提ti供gong的de任ren何he好hao處chu。畢bi竟jing
，還hai有you什shen麼me比bi檢jian測ce電dian阻zu和he歐ou姆mu定ding律lv更geng基ji礎chu的de呢ne？

更(geng)糟(zao)糕(gao)的(de)是(shi)，我(wo)們(men)實(shi)際(ji)上(shang)可(ke)能(neng)得(de)到(dao)了(le)較(jiao)差(cha)的(de)結(jie)果(guo)而(er)卻(que)渾(hun)然(ran)不(bu)知(zhi)，還(hai)以(yi)為(wei)自(zi)己(ji)的(de)讀(du)數(shu)是(shi)準(zhun)確(que)而(er)又(you)一(yi)致(zhi)的(de)，結(jie)果(guo)卻(que)發(fa)現(xian)信(xin)號(hao)和(he)數(shu)據(ju)具(ju)有(you)誤(wu)導(dao)性(xing)。這(zhe)再(zai)一(yi)次(ci)證(zheng)明(ming)了(le)，說(shuo)“這隻是個簡單的改變”或“一切都很好”的任何人
，通常是個資深的經驗豐富的工程師，要不就是他在專業技能上的反麵。

nishifouzengjingjiangxindeshejihuoyuanqijianfanganshiweiyizhonggaijindeyouyidetidaifangan，danhoulaiquefaxiantayeyouchuhuyiliaodequedian？zhexiefumianyinsushinikeyizuogengduodegongkelaiyugubinggengyouxiaopinggude

？haishiguyihuozhishiyouyuqingkuangfuzaerbeimaidehenshende
？

(原文刊登於EDN美國版
，參考鏈接：Sub-milliohm resistors bring current-sense benefits but also challenges，由Susan Hong編譯 )

免責聲明：本文為轉載文章，轉載此文目的在於傳遞更多信息，版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題，請聯係小編進行處理。

推薦閱讀：

艾邁斯歐司朗與Quadric達成合作，攜智能圖像傳感器亮相CES展會

穩定電源轉換的紋波降低技術

RS瑞森半導體之LLC方案設計有“理”可依

PCIe結構和RAID如何在GPUDirect存儲中釋放全部潛能

霍爾效應傳感器如何製造更好的操縱杆