功率半導體冷知識:IGBT短路結溫和次數
發布時間:2021-12-28 來源:英飛淩工業半導體 責任編輯:wenwei
【導讀】英飛淩IGBT模塊開關狀態下最高工作結溫一般是150度,而IGBT7短時過載情況下的最高工作結溫可達175度。那麼IGBT模塊一輩子都可以生活在這樣的舒適區享受人生嗎?
IGBT短路特性
英飛淩IGBT模塊開關狀態下最高工作結溫一般是150度,而IGBT7短時過載情況下的最高工作結溫可達175度。那麼IGBT模塊一輩子都可以生活在這樣的舒適區享受人生嗎?
不!模塊出生後2年內必然要走上社會。在裝上整機踏上社會的一刻,往往要經曆短路試驗這一關。IGBT的底氣不足或係統保護不給力,就會夭折。
IGBT在十年甚至幾十年的開關高壓大電流的生涯中,被短路是難免的,不幸可能是來自係統和外部幹擾,甚至是人為操作失誤。
IGBT是允許短路的,完全有這樣的底氣,EconoDUAL™3 FF600R12ME4 600A 1200V的數據手冊是這樣描述短路能力的,在驅動電壓不超過15V時,短路電流典型值是2400A,隻要在10us內成功關斷短路電流,器件不會損壞。注意,短路標定的起始溫度是150度,那麼短路過程中的結溫會飆到多高呢?
冷知識1號:二級管發生浪湧時會超過最高工作結溫嗎?
為了理解IGBT短路時的溫度,先研究一下二極管的浪湧電流,我們一起來讀一段Lutz老師的《功率半導體器件-原理、特性和可靠性》一書,他闡述了快恢複二級管浪湧電流下的芯片內部的溫度。
書中有個有趣的例子,這是1200V快恢複二極管,麵積49mm²,焊在0.63mm² DCB上,浪湧電流寬度7.5ms,峰值功率3060W,這時n-有源層溫度高達385度,這還在破壞極限以下,(FRD的浪湧電流是額定電流的10-12倍),對半導體本身還不會產生不可逆轉的改變,但芯片焊料層的溫度也達到186du,zheyijinghenbianjiele,kenenghuizaochengfengzhuangdebukenizhuandegaibian,suoyishuolangyongdianliurongliangshiyongyufeizhengchangguozaishijian,erbushigonglvbandaotizhengchanggongzuozhuangtai。
浪湧電流和電壓波形
仿真的溫度(Si aktiv矽有源區)
冷知識2號:IGBT短路時的溫度知多少
在英飛淩早年的文章找到短路時的溫度仿真曲線,比較了IGBT2 NPT和IGBT3短路時的溫度,可以看到短路起始溫度Tvj=175度時,短路時的最高溫度360度和461度之高。
那麼溫度是怎麼分布的呢?
芯片縱向的溫度分布,1200V IGBT在400V時短路,起始溫度是26度,4.5us時,芯片背麵發射極溫度77度,芯片集電極側167度,由於短路芯片裏的電流呈絲狀,使熱量集中於一點,電流絲溫度高達367度,但最高點是表麵下麵一點。
冷知識3號:IGBT可以短路100次嗎?
短路瞬間功耗很大,結溫會遠超允許工作結溫,那麼短路次數可以是多少呢?
故事1:
2003年英飛淩寫過一篇文章,給出了有參考價值的實驗數據:
實驗是基於3600A 1200V TRENCHSTOP IGBT3,VGE=15V,最高工作結溫做短路測試,實際短路波形如圖,短路脈衝10us,周期1/3Hz,在這樣的短路條件下,最高瞬態功耗高達3MW!
4個模塊共短路9萬次沒有問題。
當年的實驗用業內做大電流規格的3600A 1700V模塊
短路波形,短路電流近萬安培
4個模塊的短路次數
故事2:
Lutz專著中闡述到,短路時存儲的能量不能超過臨界能量Ec,對於短路事件重複、長時間的測試結果表明:在器件不被損壞的前提下,重複次數可以高達10000次。對於研究的600V IGBT來說,短路失效完全來自於熱。此外需要特別注意的是在大量的短路脈衝後,在低於臨界能量Ec情況下,IGBT的漏電流,閾值電壓沒有變化,然而,隨著脈衝次數的增加,正向壓降Vce增加,短路電流Isc減小。失效分析表明,大約10000周次後,鋁金屬化層電阻率增加,鋁重構引起的芯片金屬化層嚴重退化,並且鍵合線也退化。
24600次短路造成的鋁重構
必懂知識:
數據手冊怎麼說?
IGBT單管舉例:IKW25T120,25A 1200V單管的數據手冊規定了短路次數小於1000次,間隔大於1秒。
結論
毋庸置疑,IGBTduanlushixiongxiangongkuang,erzaihenduoyingyongzhongbunengbimian,chengshouduanludianliuzaochengdeshunshigonglvhejiduangaowen,xuyaoxinpianheqijianchengdan。duiyuxitongshejigongchengshijiuyaokaolv:
1、短路工況極其複雜,不是設計出來的,都是意外
2、器件在短路時可能損壞,選擇能承受短路電流,工藝穩定的可靠器件
3、係統設計做好檢測與保護
參考資料
1.REPETITIVE SHORT CIRCUIT BEHAVIOUR OF TRENCH-/FIELD-STOP IGBTS
2.Experimental behavior of single chip IGBT and CoolMOS™ devices under repetitive short-circuit condition
3.Short Circuit Properties of Trench-/Field-Stop-IGBTs –Design Aspects for a Superior Robustness
4.Aluminium Modification as Indicator of Current Filaments in IGBTs under Repetitive Short-Circuit Operation
來源:英飛淩工業半導體,原創:陳子穎
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