【導讀】目前的芯片工藝越來越精密，主IC都到納米級別了，具有極薄光刻技術和極易受到 ESD 影響的柵極氧化物的先進技術，所以IC的防靜電能力主要是保護自身在生產運輸和安裝過程中不受損壞。

防靜電需求

目前的芯片工藝越來越精密
，主IC都到納米級別了
，具有極薄光刻技術和極易受到 ESD 影響的柵極氧化物的先進技術，所以IC的防靜電能力主要是保護自身在生產運輸和安裝過程中不受損壞。

其次具有高元件密度的 PCB 的集成電子板有助於 ESD 耦合和傳播，所以整機中ESD現象時常發生。

為什麼IC 製造商不願意製造強大的嵌入式 ESD 保(bao)護(hu)二(er)極(ji)管(guan)，因(yin)為(wei)它(ta)們(men)需(xu)要(yao)大(da)量(liang)先(xian)進(jin)且(qie)昂(ang)貴(gui)的(de)技(ji)術(shu)的(de)有(you)效(xiao)麵(mian)積(ji)
，防(fang)靜(jing)電(dian)不(bu)同(tong)於(yu)別(bie)的(de)芯(xin)片(pian)工(gong)藝(yi)，靜(jing)電(dian)瞬(shun)間(jian)電(dian)流(liu)有(you)數(shu)十(shi)安(an)培(pei)
，必(bi)須(xu)通(tong)過(guo)有(you)效(xiao)的(de)芯(xin)片(pian)麵(mian)積(ji)來(lai)防(fang)護(hu)
，不(bu)是(shi)尖(jian)端(duan)工(gong)藝(yi)能(neng)解(jie)決(jue)的(de)。

高速信號芯片防靜電特點

ESD 保護器件的寄生電容必須足夠低，以允許高速信號傳輸而不會降級。

ESD 保護器件的高寄生電容會增加過多的信號上升/下降時間並阻止通信，從而丟包。

以下是以電容置於高速信號線對信號的影響圖形。

很多人不清楚這個電容的換算
，也可以參考下麵的圖片

如何保證線路上的寄生電容足夠小，而且走線也不影響差分信號阻抗匹配？

首先要選擇電容足夠小的ESD器件，其次是要合理布線。

在盡可能情況下，選擇DFN封裝的ESD器件，如雷卯電子ULC0524P ULC0511CDN這類超低電容的器件。

如何看懂ESD器件參數
？

一般入門級隻要看懂動作電壓Vbr，電容Cj
，箝位電壓Vc即可。

以下規格書為示例。

DFN封裝技術越來越成熟，封裝速度快
，體積小，雷卯提供了越來越多的防靜電DFN封裝器件，DFN1006 DFN1610 DFN2020 DFN1616 DFN2010 DFN2510 DFN3310 等，最多支持10路的高速信號靜電保護。

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