兩種標準晶體管是 PNP 和 NPN
，它們的電路符號不同。用於製造晶體管的半導體材料層由字母表示。為了保持直線發射器符號，原理圖中的箭頭始終是發射器。PNP 的發射極“發射”電子，NPN 的發射極“發射”空穴。PNP 與 NPN 晶體管的區別在於發射極上的箭頭方向。無論P截麵是發射極還是基極

，箭頭始終指向空穴流動方向。

 

NPN 和 PNP BJT 符號

 

選擇合適的 PNP 晶體管的過程與選擇 NPN 晶體管的過程完全相同。在選擇合適的開關晶體管時：

 

• 三極管的最大集電極電流必須大於負載電流

• 晶體管的最大電流增益必須至少是負載電流除以 IC 最大輸出電流的 5 倍

• 選擇符合要求的晶體管並記下其特性

• 計算基極電阻的近似值

• 如果負載是電機或繼電器線圈，則需要一個保護二極管，通過跨接負載來保護晶體管免受負載關閉時的短暫高壓影響。

 

PNP晶體管

 

PNPpinzhongshichengbenchangyongdejingtiguankaiguan，ruxiatusuoshi。shijingtiguanchuyubaohezhuangtaishishijingtiguankaiguanzhengchanggongzuodemijue。weiquebaowomendejingtiguankaiguanshizhongchuyubaohezhuangtai
，zuihaojisuanchubishijixuyaoduochu 30% 的電流。為了確保晶體管開關完全關閉，下麵的電路中使用了 R2。電阻器確保晶體管的基極不會略微變為負值，從而導致極少量的集電極電流流動。

 

 

典型的 PNP 晶體管應用

 

NPN晶體管

 

如果需要正極接地配置
，也可以使用 NPN 晶體管。基本的 NPN 晶(jing)體(ti)管(guan)開(kai)關(guan)電(dian)路(lu)類(lei)似(si)於(yu)公(gong)共(gong)發(fa)射(she)極(ji)電(dian)路(lu)
，不(bu)同(tong)之(zhi)處(chu)在(zai)於(yu)將(jiang)晶(jing)體(ti)管(guan)完(wan)全(quan)關(guan)閉(bi)或(huo)完(wan)全(quan)打(da)開(kai)。基(ji)極(ji)輸(shu)入(ru)端(duan)子(zi)必(bi)須(xu)比(bi)發(fa)射(she)極(ji)更(geng)正(zheng)，以(yi)便(bian)基(ji)極(ji)電(dian)流(liu)流(liu)動(dong)。

 

 

一個典型的 NPN 晶體管應用

 

各種各樣的應用都在使用晶體管開關。有些是連接大電流或高壓設備
，如電機、繼電器或燈。用作開關的實際晶體管並不重要，因為實際上可以使用任何通用 NPN 或 PNP 晶體管。它隻需要知道最小 HFE hejingtiguandegonghao。shiyongjingtiguankaiguantongchangbishiyongjixiejidianqigengkekaohebianyi。zaidakairenheganxingfuzaishishizhongshiyongerjiguanshiyigehenhaodezuofa。ruguoshiyonggonglvjingtiguanlaidakaidadianliushebei，zekenengxuyaoshiyonglingyigejiaodidianliudejingtiguankaiguan。