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SiC功率器件篇之SiC SBD

發布時間：2021-05-20 責任編輯：lina

【導讀】SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。

1.器件結構和特征

SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。

因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結二極管（FRD:快速恢複二極管），能夠明顯減少恢複損耗。

有利於電源的高效率化，並且通過高頻驅動實現電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。廣泛應用於空調、電源、光伏發電係統中的功率調節器、電動汽車的快速充電器等的功率因數校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。

2. SiC-SBD的正向特性

SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小於1V。

開kai啟qi電dian壓ya由you肖xiao特te基ji勢shi壘lei的de勢shi壘lei高gao度du決jue定ding，通tong常chang如ru果guo將jiang勢shi壘lei高gao度du設she計ji得de低di，開kai啟qi電dian壓ya也ye可ke以yi做zuo得de低di一yi些xie，但dan是shi這zhe也ye將jiang導dao致zhi反fan向xiang偏pian壓ya時shi的de漏lou電dian流liu增zeng大da。

ROHM的第二代SBD通過改進製造工藝，成功地使漏電流和恢複性能保持與舊產品相等，而開啟電壓降低了約0.15V。

SiC-SBD的溫度依存性與Si-FRD不同，溫度越高，它的導通阻抗就會增加，從而VF值也增加。

不易發生熱失控，所以可以放心地並聯使用。