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如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應

發布時間：2021-05-19 責任編輯：lina

【導讀】本文主要介紹了由於米勒電容器引起的寄生導通效應，以及如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應。在操作IGBT時麵臨的常見問題之一是由於米勒電容器而導致的寄生導通。在0至+15 V型柵極驅動器（單電源驅動器）中，這種影響是明顯的。

本文主要介紹了由於米勒電容器引起的寄生導通效應，以及如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應。在操作IGBT時麵臨的常見問題之一是由於米勒電容器而導致的寄生導通。在0至+15 V型柵極驅動器（單電源驅動器）中，這種影響是明顯的。

介紹

使用IGBT時，麵臨的常見問題之一是由於米勒電容器而導致的寄生導通。在0至+15 V型柵極驅動器（單電源驅動器）中，這種影響是明顯的。由於這種柵極-集電極耦合，在IGBT關斷期間產生的高dV / dt瞬變會引起寄生導通（門極電壓尖峰），這有潛在的危險（圖1）。

通過米勒電容器的寄生導通：

當以半橋方式導通上部IGBT S1時，下部IGBT S2兩端會發生電壓變化dVCE / dt。電流流過S1的寄生米勒電容器CCG，柵極電阻RGATE和內部柵極電阻RDRIVER。圖1顯示了流過電容器的電流。該當前值可以通過以下公式來近似：

該電流在柵極電阻兩端產生電壓降。如果該電壓超過IGBT柵極閾值電壓，則會發生寄生導通。應該注意的是，IGBT芯片溫度升高會導致柵極閾值電壓略有降低。

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