絕緣電阻值的性能

 

當直流電壓直接施加在電容器後，突入電流 (也稱充電電流) 的流量如下圖1所示。隨著電容器逐漸被充電，電流呈指數降低。

 

 

電流I (t) 隨時間的增加而分為三類 (如方程 (1) 所示)
，即充電電流Ic (t)、吸收電流Ia (t) 和漏電電流Ir。

 

I (t)=Ic (t)+Ia (t)+Ir 方程 (1)

 

充電電流表明電流通過一個理想的電容器。與充電電流相比，吸收電流有一個延遲過程，並且在低頻範圍內伴隨有介電損耗
、造成高介電常數電容器 (鐵電性電容器) 極性相反並在陶瓷與金屬電極界麵上發生肖特基障壘。

 

漏電電流是在吸收電流的影響降低後，在一定階段出現的常數電流。

 

因(yin)此(ci)，下(xia)述(shu)電(dian)流(liu)值(zhi)隨(sui)施(shi)加(jia)在(zai)電(dian)容(rong)器(qi)上(shang)的(de)時(shi)間(jian)電(dian)壓(ya)量(liang)而(er)變(bian)化(hua)。這(zhe)意(yi)味(wei)著(zhe)，隻(zhi)有(you)在(zai)指(zhi)定(ding)電(dian)壓(ya)用(yong)途(tu)下(xia)的(de)定(ding)時(shi)測(ce)量(liang)才(cai)能(neng)確(que)定(ding)電(dian)容(rong)器(qi)的(de)絕(jue)緣(yuan)電(dian)阻(zu)值(zhi)。

 

絕緣電阻值

 

絕緣電阻值以兆歐[MΩ]或歐姆法拉[ΩF]等單位表示。其規定值隨電容值而改變。該值用標稱電容值和絕緣電阻的乘積 (CR的乘積) 來表示。例如: 當絕緣電阻在10,000MΩ以上時，電容為0.047µF或更小
，當絕緣電阻為500ΩF時
，其值大於0.047µF。

 

絕緣電阻值的保證

 

 

如上表所示
，電容值越高

，其絕緣電阻值越低。

 

其原因解釋如下: 考慮到獨石陶瓷電容器可以看作是一個導體，根據施加在其上的電壓和電流，利用歐姆定律可以計算出絕緣電阻。

 

絕緣電阻值R可以用方程 (2) 表示
，導體的長度為L，導體的橫截麵麵積為S，電阻率為ρ。

 

R=ρ • L/S 方程 (2)

 

同樣
，電容量C可以用方程 (3) 表示，獨石陶瓷電容器兩個電極之間的距離 (電介質厚度) 用L表示，內部電極的麵積用S表示
，介電常數為ε。

 

C ∝ ε • S/L 方程 (3)

 

方程 (4) 由方程 (2) 和方程 (3) 得出，由方程 (4) 可知R與C成反比。

 

R ∝ ρ • ε/C 方程 (4)

 

 

絕緣電阻越大表明直流電壓下的漏電電流越小。一般情況下，絕緣電阻值越大
，電路的精確性越高。