低噪聲LDO技巧:詳解噪聲來源及降噪方法
發布時間:2019-01-14 責任編輯:xueqi
【導讀】低噪聲LDO對於確保淨化直流電源至關重要。選擇具有低噪聲屬性的LDO和合理利用都不容忽視,這樣才能保障盡量淨化的輸出。使用NR/SS電容器有兩個優點:它可幫助您控製壓擺率和過濾參考噪聲。
在一篇LDO基礎知識博文中,作者討論了使用低壓差穩壓器(LDO)過濾因開關模式電源導致的紋波電壓。然而,這不是獲得淨化直流電源唯一要考慮的事情。因為LDO是電子設備,它們自身也會生成一定數量的噪聲。選擇使用低噪聲LDO和采取步驟減少內部噪聲,都可以在不損害係統性能的同時形成淨化電源軌的不可分割的措施。
識別噪聲
理想的LDO具備沒有交流元件的電壓軌。但缺點在於LDO會和其他電子設備一樣生成本體噪聲。圖 1 顯示了這種噪聲在時間域中的表現。

圖1:有噪聲電源的輸出噪聲快照
在時間域中進行分析是困難的。因此,有兩個主要方法來檢驗噪聲:跨越整個頻譜,和作為綜合值。
您可以使用頻譜分析工具來識別LDO輸出線路中的各種交流元件。(應用報告,“如何測量LDO噪聲,”介紹了豐富的噪聲測量知識。) 圖 2 繪製了1A低噪聲LDO TPS7A91的輸出噪聲。

圖2:TPS7A91噪聲頻譜密度 vs. 頻率和VOUT
如您從各種曲線看到的那樣,輸出噪聲(以每平方根赫茲[μV/ Hz]來表示)集中在頻譜低端。該噪聲大部分出自內部參考電壓,以及誤差放大器FET和電阻分壓器。
分析跨越整個頻譜的輸出噪聲,能幫助我們確定感興趣噪聲範圍的噪聲曲線。例如,音響應用設計師很關注人耳可聞頻率(20Hz到20kHz),而電源噪聲可能使聲音品質下降。
在進行蘋果設備之間的比較時,數據表通常提供的是單一、綜合噪聲值。輸出噪聲一般是綜合10Hz到100kHz的噪聲,用微伏均方根(μVRMS)表示。(各廠商還將綜合來自100Hz到100kHzdezaosheng,huozhezonghelaizizidingyipinlvfanweidezaosheng。jiyusuoxuanpinlvfanweijinxingzonghe,youzhupingbibutaorenxihuandezaoyinshuxing,yinci,jianzhachuzonghezhiwaidezaoshengquxianhenzhongyao。)圖 2 顯示了對應各曲線的綜合噪聲值。德州儀器供應的LDO係列綜合噪聲值低至3.8μVRMS。
降噪
除選擇低噪聲質量的LDO外,您還可以采用幾種技術來確保您的LDO具有最低噪聲特性。這些技術包括使用降噪和前饋電容器。我將在下一篇博文中探討使用前饋電容器。
降噪電容器
TI的許多低噪聲LDO係列都具有專門用作“NR/SS”的專用引腳,如圖 3 所示。

圖3:具有NR/SS引腳的NMOS LDO
該引腳的功能有兩個:它用於過濾來自內部參考電壓的噪聲,及降低啟動過程中的壓擺率或啟用LDO。
為該引腳添加一個電容器(CNR/SS),就可以形成具有內部電阻的RC濾波器,有助於把由參考電壓生成的無用噪聲分流。由於參考電壓是噪聲的主要來源,增加電容可推送左側低通濾波器的截止頻率。圖 4 顯示了該電容器對輸出噪聲的作用結果。

圖4:TPS7A91噪聲頻譜密度 vs. 頻率和CNR/SS
如圖 4 所示,更高的CNR/SS值會產生更理想的噪聲值。當達到某個點後,再增加電容值也不再能夠降低噪聲。其餘噪聲來自誤差放大器和FET等。
增(zeng)加(jia)電(dian)容(rong)器(qi)還(hai)在(zai)啟(qi)動(dong)期(qi)間(jian)形(xing)成(cheng)了(le)電(dian)阻(zu)電(dian)容(rong)延(yan)遲(chi),這(zhe)將(jiang)使(shi)輸(shu)出(chu)電(dian)壓(ya)以(yi)較(jiao)低(di)速(su)率(lv)上(shang)升(sheng)。當(dang)輸(shu)出(chu)或(huo)負(fu)荷(he)中(zhong)出(chu)現(xian)了(le)大(da)容(rong)量(liang)電(dian)容(rong),有(you)益(yi)的(de)做(zuo)法(fa)是(shi)降(jiang)低(di)啟(qi)動(dong)電(dian)流(liu)。
等式 1 中啟動電流等於:
(1)為降低啟動電流,您必須減小輸出電容或降低壓擺率。幸好,CNR/SS 有助實現後者,如圖 5 TPS7A85所示。

圖5:TPS7A85的啟動 vs. CNR/SS
如您所見,增加CNR/SS值會延長啟動時間,可防止出現尖峰啟動電流和潛在可能觸發電流值達到極限的情況。
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