各種光耦驅動繼電器電路圖分析
發布時間:2018-12-14 責任編輯:xueqi
【導讀】繼電器開關模塊由TLP521 -4 、ULN2803 和SRD -12VDC 及三極管構成,由微控製器輸出的信號經過三極管構成的開關電路送往TLP521 -4 光耦芯片再通過ULN2803 達林頓管的放大後用來驅動SRD-12DC 繼電器,進而達到控製空調的各種開關的作用。
光耦驅動繼電器電路圖(一)

注:
1U1-1腳可接12V,也可接5V,1U1導通,1Q1導通,1Q1-3=0V,線圈兩端電壓為11.7V.
1U1-1腳不接或接地,1U1不通,1Q1截止,1Q1-3=11.9V,線圈兩端電壓為0V。

注:
“DYD_CPU_OUT”連接LPC2367,輸出高低電平,高電平,1U4不通,1Q7不通,UCE=12V,1Q7-3=12V,線圈兩端電壓為0V。
DYD_CPU_OUT”為低電平,1U4導通,U43=1V,U3=11V,UCE=0V,1Q1-3=0V,線圈兩端電壓為11.7V。 以上兩圖是低電平使能。
這兩種適用於CPU初始化時,GPIO口為高電平的情況,否則初始化會造成誤動作。

“DYD_CPU_OUT”連接LPC2367,輸出高低電平,低電平,1U4不通,1Q7不通,UCE=12V,1Q7-3=12V,線圈兩端電壓為0V。
“DYD_CPU_OUT”為高電平,1U4導通,U43=1V,U3=11V,UCE=0V,1Q1-3=0V,線圈兩端電壓為11.7V。 此圖是高電平使能。繼電器的常閉觸點接負載。
第2和第3圖中的1R16換成510歐,1R7換成1K,否則會有上電瞬間,高電平幹擾。尤其是第3圖,高電平使能。
光耦驅動繼電器電路圖(二)
繼電器開關模塊由TLP521 -4 、ULN2803 和SRD -12VDC 及三極管構成,由微控製器輸出的信號經過三極管構成的開關電路送往TLP521 -4 光耦芯片再通過ULN2803 達林頓管的放大後用來驅動SRD-12DC 繼電器,進而達到控製空調的各種開關的作用, 繼電器開關控製模塊與微控製器的電路連接圖如圖3 所示。

光耦驅動繼電器電路圖(三)
24V繼電器的驅動電路

說明:VCC是5V。
繼電器串聯RC電路:
zhezhongxingshizhuyaoyingyongyujidianqideedinggongzuodianyadiyudianyuandianyadedianluzhong。dangdianlubiheshi,jidianqixianquanyouyuziganxianxianghuichanshengdiandongshizuaixianquanzhongdianliudezengda,congeryanchanglexiheshijian,chuanlianshangRC電路後則可以縮短吸合時間。原理是電路閉合的瞬間,電容C兩liang端duan電dian壓ya不bu能neng突tu變bian可ke視shi為wei短duan路lu,這zhe樣yang就jiu將jiang比bi繼ji電dian器qi線xian圈quan額e定ding工gong作zuo電dian壓ya高gao的de電dian源yuan電dian壓ya加jia到dao線xian圈quan上shang,從cong而er加jia快kuai了le線xian圈quan中zhong電dian流liu增zeng大da的de速su度du,使shi繼ji電dian器qi迅xun速su吸xi合he。電dian源yuan穩wen定ding之zhi後hou電dian容rongC不起作用,電阻R起限流作用。
基極和發射極的電阻的作用是:在沒有正向偏置電壓的情況下,保證基極的電壓為零,防止三極管的受外部的幹擾而誤導通,其實就是為了保證可靠性。 具體的阻值的大小倒不絕對,10K、100K都可以的,隻是起到下拉的作用,電流非常很小的。 此繼電器驅動電路已經驗證通過,開和關狀態良好,實際應用中最好把5V、24V兩組直流電源的地分開,再配合光藕實現真正的隔離效果。
光耦驅動繼電器電路圖(四)
用光耦驅動繼電器電路

光耦驅動繼電器電路圖(五)
用光電耦合器用隔離驅動電路
微機的接口電路中,實現主機與外設的隔離,一般有兩種方式:一種是使用繼電器;另一種是使用光電耦合器。
采用電池的功耗產品,對電池的電能消耗是需優先考慮的,附圖的電路采用光電耦合器作為隔離,電池的消耗電流可低至50μA以下,但驅動器提供的電流大於1A。
此電路對元件的要求比較高,光電耦合器U1隻能采用型號為CNY17F-4的正品元件,實驗中試過十多種光電耦合器,僅此型號輸入電流50μA時,電路即可工作,其餘光電耦合器驅動電流都需幾百微安以上。

Q1、Q2的耐壓可根據兩管工作輸入電壓的大小而定,若輸入電壓大於220V,需使用耐壓高於400V的三極管與可控矽。
另外,對Q1要求穿透電流要小,對功率沒有要求。對Q2要求觸發電流小於15mA,否則可能會出現負半周削波的現象。
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