zaidianzidianlugongchengshejizhong，tongchangdouhuixuyaoduilangyongdianliujinxingyizhi。yinweilangyongdianliuhendachengdushanghuiyingxiangdianlishebeiyudianludeanquanxing。zaibenwenzhongxiaobianjiangweidajiajieshaoduiyuwuxianliudianzuzhongdeshangdianlangyongdianliudeyizhimokuaisheji。

 

無限流電阻的上電浪湧電流抑製模塊

圖1一種上電浪湧電流抑製電路

 

有人提出一種無限流電阻的上電浪湧電流抑製電路如圖1（a）所示，其上電電流波形如圖1（b）suoshi，qisilushijiangdianlushejichengxianxinghengliudianlu。shijidianluhuiyouyuliangjifangdadegaozengyierchuxianzijizhendangxianxiang，danbuyingxiangdianlugongzuo。congyuanlishangjiang，zhezhongdianlushikexingde，danzaishiyongshizeyouruxiawentinanyijiejue：如220V輸入的400W開關電源的上電電流至少需要達到4A
，如上電時剛好是電網電壓峰值，則電路將承受4×220×=1248W的功率。不僅遠超出IRF840的125W額定耗散功率，也遠超出IRFP450及IRFP460的150W額定耗散功率，即使是APT的線性MOSFET也隻有450W的額定耗散功率。因此
，如采用IRF840或IRFP450的結果是，MOSFET僅能承受有限次數的上電過程便可能被熱擊穿，而且從成本上看，IRF840的價格可以接受
，而IRFP450及IRFP460則難以接受，APT的線性MOSFET更不可能接受。

 

欲(yu)真(zhen)正(zheng)實(shi)現(xian)無(wu)限(xian)流(liu)電(dian)阻(zu)的(de)上(shang)電(dian)浪(lang)湧(yong)電(dian)流(liu)抑(yi)製(zhi)模(mo)塊(kuai)，需(xu)解(jie)決(jue)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)在(zai)上(shang)電(dian)過(guo)程(cheng)的(de)功(gong)率(lv)損(sun)耗(hao)問(wen)題(ti)。另(ling)一(yi)種(zhong)上(shang)電(dian)浪(lang)湧(yong)電(dian)流(liu)抑(yi)製(zhi)模(mo)塊(kuai)的(de)基(ji)本(ben)思(si)想(xiang)是(shi)，使(shi)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)工(gong)作(zuo)在(zai)開(kai)關(guan)狀(zhuang)態(tai)，從(cong)而(er)解(jie)決(jue)了(le)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)上(shang)電(dian)過(guo)程(cheng)中(zhong)的(de)高(gao)功(gong)率(lv)損(sun)耗(hao)問(wen)題(ti)，而(er)且(qie)電(dian)路(lu)簡(jian)單(dan)。電(dian)路(lu)如(ru)圖(tu)2（a）和（b）所示

，上電電流波形如圖2（c）所示。