全新IGBT係列阻斷電壓比前代汽車級IGBT高50V
，此外
，得益於英飛淩TRENCHSTOP™ 5薄晶圓技術
，該係列產品達到同類最佳效率。與現有的尖端技術相比，全新IGBT的飽和電壓（VCE(sat)）降低了200mV

，開關損耗減半，並且柵極電荷降低2.5倍。同時，由於開關損耗和導通損耗雙雙降低

，與替代技術相比，全新IGBT係列在相同的應用中結溫和外殼溫度更低。這不僅提高了器件的可靠性，而且最大程度降低了冷卻需求。

 

通過使用TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT
，電(dian)動(dong)汽(qi)車(che)設(she)計(ji)師(shi)可(ke)實(shi)現(xian)器(qi)件(jian)效(xiao)率(lv)提(ti)升(sheng)所(suo)帶(dai)來(lai)的(de)額(e)外(wai)優(you)勢(shi)
，即(ji)能(neng)夠(gou)延(yan)長(chang)續(xu)航(hang)裏(li)程(cheng)或(huo)縮(suo)小(xiao)電(dian)池(chi)尺(chi)寸(cun)。對(dui)混(hun)合(he)動(dong)力(li)汽(qi)車(che)來(lai)說(shuo)
，效(xiao)率(lv)提(ti)高(gao)意(yi)味(wei)著(zhe)降(jiang)低(di)總(zong)燃(ran)油(you)消(xiao)耗(hao)和(he)減(jian)少(shao)二(er)氧(yang)化(hua)碳(tan)排(pai)放(fang)。另(ling)外(wai)，TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT器件的卓越性能使得其能進入目前主要采用MOSFET技術的應用，並為設計師提供基於不同半導體芯片技術的廣泛選擇。

 

TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT係列器件的額定電流為40A或50A，有單一分立式IGBT和可與英飛淩超快“Rapid”矽二極管共同封裝的IGBT兩種產品。對於這兩種產品中的任何一種，英飛淩均能提供H5 HighSpeed和F5 HighSpeed FAST兩個係列產品
，這取決於優化開關速度和實現最高效率是否為首要設計標準。

 

對用於車載充電器的典型PFC電路來說
，以TRENCHSTOP™ 5 AUTO IGBT替代當前尖端技術已經表明效率從97.5%提升至97.9%。如果是3.3kW 充電器
，這相當於功率損失降低13W。假設充電時間為5小時
，這相當於每個充電周期二氧化碳排放減少30g。