MOSFET和三極管，在ON 狀態時
，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那麼是否存在能夠反過來的情況
，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢
？

三極管ON狀態時工作於飽和區，導通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由於三極管的基極驅動電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡單的僅由Vce來決定，即不能采用飽和Rce來表示（因Rce會變化）。由於飽和狀態下Vce較小
，所以三極管一般用飽和Vce表示。

MOS管在ON狀態時工作於線性區（相當於三極管的飽和區），與三極管相似，電流Ids由Vgs和Vds決定，但MOS管的驅動電壓Vgs一般可保持不變，因而Ids可僅受Vds影響
，即在Vgs固定的情況下
，導通阻抗Rds基本保持不變，所以MOS管采用Rds方式。

電流可以雙向流過 MOSFET的D和S ，正是MOSFET這個突出的優點，讓同步整流中沒有DCM的概念，能量可以從輸入傳遞到輸出，也可以從輸出返還給輸入。能實現能量雙向流動。

接下來我們往深入一點來進行討論
，第一點、MOS的D和S既然可以互換
，那為什麼又定義DS呢?

對於IC內部的MOS管，製造時肯定是完全對稱的，定義D和S的目的是為了討論電流流向和計算的時候方便。

第二點
、既然定義D和S，它們到底有何區別呢?

對於功率MOS，有時候會因為特殊的應用
，比如耐壓或者別的目的，在NMOS的D端做一個輕摻雜區耐壓，此時D,S會有不同。

第三點、D和S互換之後，MOS表現出來的特性，跟原來有何不同呢?比如Vth

、彌勒效應、寄生電容
、導通電阻、擊穿電壓Vds。

DS互換後，當Vgs=0時
，隻要Vds>0.7V管子也可以導通,而換之前不能。當Vgs>Vth時，反型層溝道已形成，互換後兩者特性相同。

D和S的確定

我們隻是說電流可以從D--to--S 
，也可以從S----to---D。但是並不意味著：D和S 這兩個端子的名字可以互換。

DS溝道的寬度是靠GS電壓控製的。當G固定了，誰是S就唯一確定了。

如果將上麵確定為S端的，認為是D。

將原來是D的認為是S ，並且給G和這個S施加電壓，結果溝道並不變化，仍然是關閉的。

當Vgs沒有到達Vth之前，通過驅動電阻R對Cgs充電
，這個階段的模型就是簡單的RC充電過程。

當Vgs充到Vth之後

，DS導電溝道開始開啟
，Vd開始劇烈下降。按照I=C*dV/dt ,寄生電容Cgd有電流流過 方向：G -->D 。按照G接點KCL Igd電流將分流IR
，大部分驅動電流轉向Igd

，留下小部分繼續流到Cgs。因此，Vgs出現較平坦變化的一小段。這就是miler平台。

相關閱讀：

熱插拔控製器和功率MOSFET，哪個簡單
？
專家剖析：封裝寄生電感是否會影響MOSFET性能
？
元器件選型：如何選擇正確的MOSFET
？