首先將萬用表撥在R×1KΩ擋
，用萬用表測量時
，若某一極與其它兩極阻值為無窮大

，調換表筆後該極與其它兩極的阻值仍為無窮大
，則判斷此極為柵極（G）。其餘兩極再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調換表筆後測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（C）；黑表筆接的為發射極（E）。

 

 

將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極（C）
，紅表筆接IGBT的發射極（E），此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時IGBT被觸發導通
，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極（G）和發射極（E）
，這時IGBT被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT是好的。

 

 

注意判斷IGBT好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋
，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT導通
，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用於檢測功率場效應晶體管（P-MOSFET）的好壞。

 

 

將數字萬用表撥到二極管測試檔，測試IGBT模塊c1 e1、c2 e2之間以及柵極G與 e1、 e2之間正反向二極管特性

，來判斷IGBT模塊是否完好。

 

以六相模塊為例。將負載側U、V、W相的導線拆除
，使用二極管測試檔，紅表筆接P（集電極c1），黑表筆依次測U、V、W,萬用表顯示數值為最大；將表筆反過來，黑表筆接P,紅表筆測U、V、W,萬用表顯示數值為400左右。再將紅表筆接N（發射極e2），黑表筆測U、V、W,萬用表顯示數值為400左右；黑表筆接P,紅表筆測U、V

、W，萬用表顯示數值為最大。各相之間的正反向特性應相同
，若出現差別說明IGBT模塊性能變差，應予更換。IGBT模塊損壞時，隻有擊穿短路情況出現。

 

紅、黑兩表筆分別測柵極G與發射極E之間的正反向特性， 萬用表兩次所測的數值都為最大，這時可判定IGBT模(mo)塊(kuai)門(men)極(ji)正(zheng)常(chang)。如(ru)果(guo)有(you)數(shu)值(zhi)顯(xian)示(shi)，則(ze)門(men)極(ji)性(xing)能(neng)變(bian)差(cha)

，此(ci)模(mo)塊(kuai)應(ying)更(geng)換(huan)。當(dang)正(zheng)反(fan)向(xiang)測(ce)試(shi)結(jie)果(guo)為(wei)零(ling)時(shi)，說(shuo)明(ming)所(suo)檢(jian)測(ce)的(de)一(yi)相(xiang)門(men)極(ji)已(yi)被(bei)擊(ji)穿(chuan)短(duan)路(lu)。門(men)極(ji)損(sun)壞(huai)時(shi)電(dian)路(lu)板(ban)保(bao)護(hu)門(men)極(ji)的(de)穩(wen)壓(ya)管(guan)也(ye)將(jiang)擊(ji)穿(chuan)損(sun)壞(huai)。