ertigaozhuanhuanxiaolvjiuxuyaojianshaosunhao。fadianzhanchanshengjishiwanfudedianya

，tongguodianxianhebianyaqijiangzhexiedianyajiangdiweiruwomensuoshuxideshoujichongdianqisuotigongdeyue5V的(de)電(dian)壓(ya)進(jin)行(xing)使(shi)用(yong)。從(cong)發(fa)電(dian)站(zhan)到(dao)充(chong)電(dian)器(qi)之(zhi)間(jian)電(dian)壓(ya)被(bei)多(duo)次(ci)轉(zhuan)換(huan)，每(mei)次(ci)轉(zhuan)換(huan)都(dou)會(hui)發(fa)生(sheng)損(sun)耗(hao)。這(zhe)些(xie)損(sun)耗(hao)的(de)原(yuan)因(yin)之(zhi)一(yi)是(shi)功(gong)率(lv)元(yuan)器(qi)件(jian)的(de)損(sun)耗(hao)。隻(zhi)要(yao)這(zhe)些(xie)損(sun)耗(hao)變(bian)成(cheng)零(ling)
，就(jiu)可(ke)以(yi)大(da)幅(fu)消(xiao)減(jian)CO2排放量。雖然不能完全達到零，但為了接近零，羅姆日以繼夜在進行反複的研究和開發。羅姆認為通過這些研發結果降低損耗、減少CO2排放，可以提高羅姆的企業存在價值。

羅姆在功率元器件領域的發展

提起半導體，一般人會想到施以微細加工的大規模集成電路(LSI)
，為了使LSI按要求工作，按所需電壓、電流供應電力的電源是不可或缺的。在這種“按所需形式供應電力”的領域中，半導體也發揮著重要的作用，從“處理電力(功率)”的含義出發

，其核心半導體部件被稱為功率元器件或功率半導體。

在功率元器件的應用領域方麵，又大致劃分為電腦(PC)及PC外圍設備領域約為30%
，數碼家電
、車載領域約為15%
，白色家電和工業、通信領域約為30%。在功率元器件的世界中
，說“有多少電源種類就有多少功率元器件種類”毫不誇張，為滿足市場需求，需要不斷完善各種應用電路
、易用封裝、複合品

、額定電流、額定電壓的產品陣容，要求具備多元化的技術積累。

在功率元器件領域，羅姆擁有業界頂級水平的產品陣容
，在Si基超級結（SJ）-MOSFET注1
、MOSFET注2、雙極晶體管注3、肖特基勢壘二極管（SBD）注4、快速恢複二極管（FRD）注5、二極管（Di）注6、齊納二極管注7之外
，又新增了碳化矽（SiC注8）、氮化镓（GaN注9）等新一代元件，在各電壓範圍都配備了有特色的功率元器件產品。

圖1：晶體管開發趨勢

尤其是SiC從處於世界頂級的研究開發平穩順利地進入到製造階段


，繼2010年4月實現了SiC SBD量產之後
，羅姆於同年12月在世界範圍內首家※成功實現了SiC MOSFET的真正量產。另外
，僅憑元件本身無法100%發揮SiC本身所具有的性能
，為滿足市場需求
，羅姆於2011年陸續開始了模塊產品的量產。

羅姆通過SiC產品覆蓋高電壓範圍

，通過SJ-MOS和MOSFETfugaijibaifuzuoyoudianyafanwei。jinnianlai
，luomuzhengzaifalikuochongjibaifuzuoyoudeshangpindechanpinzhenrong。dangran，chuantongdedinaiyafanweideshangpinkuochongyezaitongshikaifa。2012年8月發布的新結構MOSFET就是耐壓40V、電流可達100A的產品。該產品損耗的主要因素——Ron僅為1mΩ。

另外
，在二極管方麵，羅姆成功開發出一直以來認為要求極為苛刻的高耐熱SBD。此產品即使在電氣化程度越來越高的汽車這樣的苛刻溫度條件下亦可使用
，可改善燃效。

不僅如此，羅姆正在不斷提高驅動這些功率元器件的IC的耐壓性能。以往耐壓數十伏的羅姆IC
，如今耐壓性能已經提高到600V，可驅動各種耐壓水平的功率元器件。

對於需要絕緣的整機產品，可使用2012年5月推出的帶絕緣功能的柵極驅動器。此產品將3枚芯片一體封裝


，通過絕緣化，使電源部與控製部的分離成為可能
，絕緣耐壓已實現2500Vrms。這是通過羅姆融合了旗下IC電路設計技術

、半導體（Wa）製造技術與封裝技術而成功研發，並實現了量產化。

另外
，伴隨著功率元器件的高耐壓化，還開發了外圍使用的新係列電阻產品，即高耐壓電阻KTR係列。以往在高電壓發生部位（例：相機的閃光燈用電壓部，使氙氣型閃光燈瞬時產生幾百伏電壓）通過串聯低耐壓電阻實現耐壓



，而KTR係列產品通過結構改善實現了更高的耐壓性能，1個電阻耐壓可達300V以上。采用本品可以減少數碼相機等產品的零部件數量。

羅姆針對各種耐壓水平，不僅提供功率元器件，而且提供包括外圍部件在內的綜合改善方案。
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羅姆在電源IC技術上的突破

羅姆正在麵向所有領域推進電源IC的開發。而電源IC大體上可分為係列電源和開關電源。

在係列電源方麵，羅姆一直在致力於提升頻率特性與輸出段特性
、降低電路電流（圖2）。其中，備受矚目的是2012年7月推出的電路電流實現6μA的車載用LDO注10。該產品使用耐壓50V的BiCDMOS工藝，僅1枚芯片即實現了電源電路。市場上存在電路電流小的產品，但這種耐壓水平高並且可在苛刻的車載市場使用的、確保電氣特性與可靠性的產品在全球尚屬首例。

圖2： 線性穩壓器—豐富的產品陣容

另外，作為可最大程度控製LDO損耗的係列電源
，備有Ultra LDO BD35xx係列產品。該係列產品是采用Nch FET與雙電源結構兩種手法、可大幅降低輸入輸出電壓差的係列電源。係列電源的效率由（輸出電壓÷輸入電壓）決(jue)定(ding)，因(yin)此(ci)
，降(jiang)低(di)輸(shu)入(ru)輸(shu)出(chu)電(dian)壓(ya)可(ke)提(ti)高(gao)效(xiao)率(lv)，從(cong)而(er)，可(ke)將(jiang)效(xiao)率(lv)提(ti)高(gao)到(dao)開(kai)關(guan)電(dian)源(yuan)水(shui)平(ping)。最(zui)近(jin)
，各(ge)種(zhong)電(dian)源(yuan)對(dui)這(zhe)種(zhong)減(jian)少(shao)開(kai)關(guan)電(dian)源(yuan)數(shu)量(liang)的(de)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)的(de)需(xu)求(qiu)日(ri)益(yi)高(gao)漲(zhang)
，尤(you)其(qi)在(zai)PC和數碼家電中廣為采用。

圖3：“BD35xx係列”未來設計方案

另外，在開關電源方麵，羅姆不僅擁有傳統的電壓模式
、峰值電流模式產品
，還陸續推出了平均電流模式
、ON time控製、H3REGTM等新產品。

這些產品中尤其值得一提的是6MHz的開關電源BU900xx係列。這種IC是擁有高頻率開關電源技術的。（圖4）。外圍部件僅3個：輸入輸出電容和1個線圈，而其最大的特點是頻率更高因此可使用小型產品
，整體上可減少電源部份麵積。此外
，實現了1.3mm×0.9mm的小型封裝、電路電流僅40μA的低耗電量，從而在以智能手機為首的便攜設備中廣為采用（圖5）。

另外，H3REGTM 是實現快速瞬態響應的羅姆獨創的控製方式。與電壓模式、電流模式及ON Time控製相比，有望大幅改善輸出電流變動時的電壓漏失（圖6）。

圖4： 20MHz開關電源“無線圈”降壓DC/DC轉換器(注11)

圖5： 6MHz 1.0A步降DC/DC轉換器

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羅姆在功率元器件及電源IC小型化上的推進

henduozhengjichanpindeshejirenyuangantanpeitaojibanyibandoushidianyuan。lingwai，shichangerwenyinzhidianlubandedanweimianjichengbenzhuripansheng。deque
，congyouxiezhinengshoujihepingbandiannaodengdechaijietupianshangkan，jibanbeidianchijidaofeichangxiaodejiaoluoli。erqie，chuquCPU和存儲器等一目了然的IC，多個內置線圈相當引人注目。

這(zhe)些(xie)線(xian)圈(quan)通(tong)常(chang)是(shi)開(kai)關(guan)電(dian)源(yuan)部(bu)的(de)線(xian)圈(quan)，可(ke)見(jian)間(jian)接(jie)的(de)使(shi)用(yong)了(le)相(xiang)當(dang)數(shu)量(liang)的(de)電(dian)源(yuan)。至(zhi)於(yu)係(xi)列(lie)電(dian)源(yuan)

，最(zui)近(jin)封(feng)裝(zhuang)越(yue)來(lai)越(yue)向(xiang)超(chao)小(xiao)型(xing)化(hua)發(fa)展(zhan)，看(kan)不(bu)清(qing)印(yin)刷(shua)字(zi)跡(ji)，對(dui)於(yu)沒(mei)有(you)受(shou)過(guo)專(zhuan)業(ye)訓(xun)練(lian)的(de)人(ren)來(lai)說(shuo)不(bu)知(zhi)道(dao)是(shi)什(shen)麼(me)IC。

羅姆的係列電源采用WLCSP（Wafer Level Chip Size Package）技術
，從0.96mm×0.96mm向0.8mm×0.8mm不斷推進小型化，這與端子間距正在從0.5mm變為0.4mm同步向小型化進展。

在小型化方麵，羅姆進一步加快研發的步伐，開發出端子間距僅為0.3mm的世界最小※的0.65mm×0.65mm尺寸封裝（該產品目前尚在開發中）。成功實現了整機產品的進一步小型化。

圖6： CMOS LDO WLCSP演化圖

另外
，羅姆同時在推進FET注12和Di的小型化。這些是通過采用新封裝結構實現的。例如
，以往的FET封裝的最小尺寸為1.2mm×1.2mm，最新的小型封裝尺寸在以往基礎上降低了約70％，達到0.8mm×0.6mm，實現超小型化。

如上所述
，羅姆不斷推進元器件的小型化
，在部件的小型化、整機產品的小型化、減少廢棄物、減少CO2排放量等各個環節做出了貢獻。

另外，作為最新的小型產品，還有融合了IC外圍部件的一體化封裝電源。這是一款內置了IC外圍部件的產品
，是超緊湊型的且支持盤帶安裝的、用於IC彙編器的超小型模塊。羅姆將其定位為新一代IC封裝之一

，並為實現其量產化投入力量。該產品采用內置基板技術
，不僅可搭載外圍部件、可與IC連接，還可減少麵積。使用一體化封裝電源的整機產品設計人員，可以享受減少安裝麵積、優化布局減小開關尺寸
、使用簡單等優點
，從而可傾全力於設計。另外整機產品的采購擔當人員可以減少零部件數量，使日益增加的零部件變得更加幹淨整齊。

在麵向安裝麵積要求苛刻的智能手機方麵，羅姆開發出了兩種產品。

第一種是搭載了上述介紹的BU900xx係列的降壓式電源BZ6AxxGM係列。該係列產品在減少麵積的同時將高度控製在1mm。這是實現世界最小※級別2.9×2.3mm的緊湊型支持650mA輸出電流的產品。

第二種是升壓電源BZ1AxxGM（該產品目前尚在開發中）係列。可作為升壓電源和升降壓電源使用，是實現了僅為2.3×2.4mm的世界最小※尺寸的產品。當然

，高度也是1mm。

該係列產品的使用方法多種多樣。例如，在用鋰離子電池（2.7-4.2V）製作5V電壓的電路中，使用這種一體化封裝電源，可輕鬆作為USB電源、HDMI電源、LED手電筒電源而使用。

圖7：一體化封裝電源係列

另外，為了在鋰離子電池環境下使用僅可在5V電壓下使用的IC
，采用BZ1AxxGM係列也是有效的手段。輸入電壓範圍較寬的IC為了適應鋰離子電池較寬的電源電壓範圍，需要犧牲的特性也為數不少。而不失去這些特性的手段之一就是利用BZ1AxxGM係列製作的5V電壓。

一體化封裝電源是作為“所有的部件集成於1枚芯片”的IC連接目標的中間產品。我們預想，電源部所使用的高耐壓和大電流的功率元器件
、大容量電容及支持大電流的線圈確實無法在21世紀單芯片化。羅姆積極致力於走在22世紀前端的一體化封裝電源的開發，敬請期待未來羅姆具有前瞻性的的產品陣容。

而在羅姆提出的四大發展戰略注13中，其中之一便是“強化以SiC為核心的功率元器件產品”。其實，羅姆在功率元器件領域的不斷發展中，為推進節能減排，羅姆也一直致力於以新一代元件碳化矽（SiC）
，氮化镓（GaN）為原材料的產品的研發，並已陸續推出了適用於不同業界的各種解決方案，利用高新技術將這兩種“理想器件”植入生活的各個層麵。通過在高效化、大電流化、高耐壓化、小型化
、模塊化等各個方麵的研發，帶來更多精彩的呈現。