為wei努nu力li實shi現xian更geng高gao的de功gong率lv密mi度du並bing滿man足zu嚴yan格ge的de效xiao率lv法fa規gui要yao求qiu以yi及ji係xi統tong正zheng常chang運yun行xing時shi間jian要yao求qiu，工gong業ye和he功gong率lv電dian子zi設she計ji人ren員yuan在zai進jin行xing設she計ji時shi麵mian臨lin著zhe不bu斷duan降jiang低di功gong率lv損sun耗hao和he提ti高gao可ke靠kao性xing的de難nan題ti。 然而
，在可再生能源
、工業電機驅動器、高密度電源、汽車以及井下作業等領域
，要想增強這些關鍵設計性能
，設計的複雜程度就會提高，同時還會導致總體係統成本提高。

為幫助設計人員解決這些難題
，全球領先的高性能功率和移動半導體解決方案供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 發布了非常適合功率轉換係統的碳化矽(SiC)技術解決方案，進而拓展了公司在創新型高性能功率晶體管技術領域的領先地位。

圖題：飛兆半導體的碳化矽(SiC)解決方案

通過在產品組合中引入基於SiC技術的新產品成員

，飛兆半導體進一步鞏固了其在創新型高性能功率晶體管技術領域的產品領先地位。

飛兆半導體的SiC特性包括：

經jing過guo優you化hua的de半ban標biao準zhun化hua自zi定ding義yi技ji術shu解jie決jue方fang案an，可ke充chong分fen利li用yong自zi身shen較jiao大da的de半ban導dao體ti器qi件jian與yu模mo塊kuai封feng裝zhuang技ji術shu組zu合he憑ping借jie功gong能neng集ji成cheng和he設she計ji支zhi持chi資zi源yuan簡jian化hua工gong程cheng設she計ji難nan題ti的de先xian進jin技ji術shu，可ke在zai節jie約yue工gong程cheng設she計ji時shi間jian的de同tong時shi最zui大da限xian度du地di減jian少shao元yuan器qi件jian數shu量liang。具ju有you尺chi寸cun、成本和功率優勢的較小型先進封裝集成了領先的器件技術，可滿足器件製造商和芯片組供應商的需求

在飛兆半導體SiC組合中首先要發布的一批產品是先進的SiC雙極結型晶體管(BJT)係列
，該係列產品可實現較高的效率、電流密度和可靠性，並且能夠順利地進行高溫工作。 通過利用效率出色的晶體管
，飛兆半導體的SiC BJT實現了更高的開關頻率，這是因為傳導和開關損耗較低(30-50%)，從而能夠在相同尺寸的係統中實現高達40%的輸出功率提升。

這些強健的BJT支持使用更小的電感
、電容和散熱片
，可將係統總體成本降低多達20%。 這些業界領先的SiC BJT性能出眾，可促進更高的效率和出色的短路及逆向偏壓安全工作區，將在高功率轉換應用的功率管理優化中發揮重大作用。

飛兆半導體還開發了即插即用的分立式驅動器電路板（15A和50A版本），作為整套碳化矽解決方案的一部分，與飛兆半導體的先進SiC BJT配合使用時，不僅能夠在減少開關損耗和增強可靠性的條件下提高開關速度，還使得設計人員能夠在實際應用中輕鬆實施SiC技術。飛兆半導體為縮短設計時間
、加快上市速度，還提供了應用指南和參考設計。應用指南可供設計人員獲取SiC器件設計所必需的其他支持；參考設計有助於開發出符合特定應用需求的驅動器電路板。

SiC BJT和其他SiC

有史以來最高效的1200 V功率轉換開關
最低的總損耗，包括開關、傳導及驅動器損耗
所有1200 V器件中最低的開關損耗（任意RON條件下）
簡單直接的驅動
常關功能降低了風險和複雜程度
，並減少了限製性能的設計
穩定的基極輸入
，對過壓/欠壓峰值不敏感   
強健且可靠
額定工作溫度高： Tj=175°C
由於RON具有正溫度係數
，增益具有負溫度係數

，因此易於並聯
穩定持久的Vbe正向電壓和反向阻隔能力

封裝和報價信息（訂購1,000個，美元）

飛兆半導體的SiC BJT采用TO-247封裝；符合條件的客戶從現在起即可獲取工程設計樣本。