君耀電子半導體放電管選型指南
發布時間:2012-05-23
中心議題:
TSS 晶閘體半導體放電管是一種並聯於線路中的開關型過壓保護器件,平時處於開路狀態,一當有異常的過電壓脈衝,達到其擊穿電壓時,會迅速的由高阻狀態變
為低阻狀態,會把瞬間的浪湧電流旁路而泄放掉,由於負阻的效應,而此時二端的電壓小於4V 以下,一當異常電壓消失,立即恢複到高阻狀態。
• 是一種開關型的保護器件是專用於通迅信號線路進行防護
• 存在分立式元件與陣列式元件二種
• 反應速度快小於 1nS
• 一般電壓規格大約隻有 6/8、25/30、58V/64、65V/72、75V/90、90V/110、120V/130、140V/150、170V/180、190V/230、220V/260、275V/310、320V/350
• 具有精確的導通擊穿電壓
• 電容值一般隻有幾十 pF、AA 代表電容
• 漏電流低,一般在幾個 uA 級
• 封裝多樣化,SMA、SMB、TO-92、DO-15、DO-27 SOIC-08 等可實現在不同位置、空間、上實現靈活的保護
• AA/TA 係列為SMA,SA/SB/SC 為SMB,L 第列的為DO-15/DO-27,E 係列的為TO-92,
為了滿足更高防雷浪湧等級的要求,君耀可生產10/1000uS 150A、200A 係列的產品;
同時為了能適應更高頻數據信號線路上的應用,電容值可達25PF、16PF、10PF以下低電容值係列的產品以滿足其高頻數據線路上的應用保護.
晶閘體半導體放電管工作原理示意圖如下:
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TSS 晶閘體半導體放電管廣泛應用於半導體及敏感器件的保護,通常用於通迅信號線電路的浪湧保護,以保護其內部的IC 免受瞬間過電壓的衝擊和破壞.
• 數據線保護
• RS232/RS422/RS485 分界麵卡
• xDSL 和ISDN、HDSL 傳輸設備
• 用戶前端設備,如:電話、調製解調器等
• Central office line cards
• T1/E1
• PBX 和其它交換設備
君耀 TSS 半導體放電管產品符合於RoHS WEEE 相應的條款並通過相應的檢測機構檢驗,滿足其相應的測試標準:UL60950、GR1089、ITU K21、IEC61000-4-5、IEC61643-341、GB/T8802.341 等標準。
TSS 半導體放電管選型原則
• VDRM:截止電壓必須大於被保護的電路的最大工作電壓
• VS:轉折電壓必須小於設備能承受的最大瞬態峰值電壓
• IH:維持電流必須大於設備的工作電流和短路電流
• C:寄生電容根據電路所允許的插入損耗或信號傳輸的頻率
• 浪湧電流的選擇根據電路或浪湧測試標準要求進行不同等級的選擇
- 晶閘體半導體放電管選型指南
TSS 晶閘體半導體放電管是一種並聯於線路中的開關型過壓保護器件,平時處於開路狀態,一當有異常的過電壓脈衝,達到其擊穿電壓時,會迅速的由高阻狀態變
為低阻狀態,會把瞬間的浪湧電流旁路而泄放掉,由於負阻的效應,而此時二端的電壓小於4V 以下,一當異常電壓消失,立即恢複到高阻狀態。

• 是一種開關型的保護器件是專用於通迅信號線路進行防護
• 存在分立式元件與陣列式元件二種
• 反應速度快小於 1nS
• 一般電壓規格大約隻有 6/8、25/30、58V/64、65V/72、75V/90、90V/110、120V/130、140V/150、170V/180、190V/230、220V/260、275V/310、320V/350
• 具有精確的導通擊穿電壓
• 電容值一般隻有幾十 pF、AA 代表電容
• 漏電流低,一般在幾個 uA 級
• 封裝多樣化,SMA、SMB、TO-92、DO-15、DO-27 SOIC-08 等可實現在不同位置、空間、上實現靈活的保護
• AA/TA 係列為SMA,SA/SB/SC 為SMB,L 第列的為DO-15/DO-27,E 係列的為TO-92,
為了滿足更高防雷浪湧等級的要求,君耀可生產10/1000uS 150A、200A 係列的產品;
同時為了能適應更高頻數據信號線路上的應用,電容值可達25PF、16PF、10PF以下低電容值係列的產品以滿足其高頻數據線路上的應用保護.
晶閘體半導體放電管工作原理示意圖如下:

TSS 晶閘體半導體放電管廣泛應用於半導體及敏感器件的保護,通常用於通迅信號線電路的浪湧保護,以保護其內部的IC 免受瞬間過電壓的衝擊和破壞.
• 數據線保護
• RS232/RS422/RS485 分界麵卡
• xDSL 和ISDN、HDSL 傳輸設備
• 用戶前端設備,如:電話、調製解調器等
• Central office line cards
• T1/E1
• PBX 和其它交換設備
君耀 TSS 半導體放電管產品符合於RoHS WEEE 相應的條款並通過相應的檢測機構檢驗,滿足其相應的測試標準:UL60950、GR1089、ITU K21、IEC61000-4-5、IEC61643-341、GB/T8802.341 等標準。
TSS 半導體放電管選型原則

• VDRM:截止電壓必須大於被保護的電路的最大工作電壓
• VS:轉折電壓必須小於設備能承受的最大瞬態峰值電壓
• IH:維持電流必須大於設備的工作電流和短路電流
• C:寄生電容根據電路所允許的插入損耗或信號傳輸的頻率
• 浪湧電流的選擇根據電路或浪湧測試標準要求進行不同等級的選擇
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