減小ESD引起的停機時間
發布時間:2010-03-04 來源:52RD
中心議題:
半導體器件常常因靜電放電而失效。弄清楚失效的根源並遵守設計規則,就有助於避免這種失效。
ESD(靜電放電)是導致電子器件失效的主要原因,它可以在任何階段——從製造到測試、組裝、生產、現場運行以及現場PC裝配等——影響電子器件的功能。專家估計,1994年全世界電子行業因ESD造成的損失超過900億美元(參考文獻1)。ESD的(de)發(fa)生(sheng)原(yuan)因(yin)是(shi)電(dian)荷(he)在(zai)某(mou)一(yi)表(biao)麵(mian)的(de)累(lei)積(ji),如(ru)摩(mo)擦(ca)生(sheng)電(dian)。但(dan)是(shi),由(you)於(yu)電(dian)子(zi)產(chan)品(pin)的(de)快(kuai)速(su)小(xiao)型(xing)化(hua),導(dao)致(zhi)器(qi)件(jian)的(de)幾(ji)何(he)尺(chi)寸(cun)縮(suo)小(xiao),其(qi)中(zhong)包(bao)括(kuo)層(ceng)厚(hou)度(du),因(yin)此(ci)這(zhe)些(xie)高(gao)密(mi)度(du)器(qi)件(jian)就(jiu)很(hen)容(rong)易(yi)受(shou)到(dao)很(hen)小(xiao)ESD造成的損壞。
造成ESD的人為原因包括人造地毯、人造地板、羊毛服裝、尼龍服裝、塑料家具、塑料扇葉的風扇、普通塑料容器、帶塑料吸嘴的去焊器、不導電的鞋、人造地板墊、玻璃纖維容器、普(pu)通(tong)塑(su)料(liao)袋(dai)以(yi)及(ji)類(lei)似(si)的(de)材(cai)料(liao)。使(shi)用(yong)塑(su)料(liao)零(ling)件(jian)的(de)機(ji)器(qi)也(ye)可(ke)以(yi)成(cheng)為(wei)靜(jing)電(dian)的(de)來(lai)源(yuan),因(yin)為(wei)塑(su)料(liao)部(bu)件(jian)之(zhi)間(jian)的(de)相(xiang)互(hu)摩(mo)擦(ca)會(hui)積(ji)累(lei)電(dian)荷(he)。設(she)備(bei)產(chan)生(sheng)的(de)高(gao)強(qiang)度(du)電(dian)磁(ci)場(chang)也(ye)會(hui)在(zai)鄰(lin)近(jin)元(yuan)件(jian)中(zhong)感(gan)應(ying)產(chan)生(sheng)靜(jing)電(dian)荷(he)。
靜電是一種看不見的破壞力,會對電子元器件產生影響。ESD未必總造成元器件的完全失效;它會造成一般測試無法檢測到的元器件潛在缺陷。這種“脆弱”的元器件在係統工作期間,在惡劣環境條件下,更可能在現場發生失效。在製造、儲存、運輸、包裝、組裝、測試階段采取一些簡單的預防措施,再適當地設計電路,就可以減少由ESD造成的損壞影響。
duiyubandaotiqijianlaishuo,ruguoyouyigeqiangdianchangshijiazaiqijianjiegouzhongdeyanghuawubomoshang,zegaiyanghuawubomojiuhuiyinjiezhijichuanersunhuai。henxidejinshuhuajixianhuiyouyudadianliuersunhuai,binghuiyouyulangyongdianliuzaochengdeguoreerxingchengkailu。PN結的失效可能是由於“電流擁塞”效應而引起的,這種效應在大電流通過PN結造成大電流密度時發生。ESD造成的潛在缺陷可能使器件在以後更容易損壞,並且可能使器件時好時壞。

ESD與閂鎖效應
ESD和相關的電壓瞬變都會引起閂鎖效應(latch-up),這是半導體器件的主要失效之一。在閂鎖情況下,器件在電源與地之間形成短路,造成大電流、EOS(電過載)和器件損壞。CMOSqijianzhisuoyiyinshuansuoxiaoyingertebierongyisunhuai,naishiyinweidianganhuizaiqijiandejishengdianrongzhongleiji。lingwai,yanghuawucailiaozhongrenheyuanziyijidequexiandouhuijiangdiyanghuawucengdejiedianqiangdu,shiqijianhenrongyiyinjingdiandianyaershixiao(見本文網頁版的附文《ESD閂鎖效應的模型》)。
電子係統中常見的ESD問題是通信接口器件,如RS-232驅動器和接收器的失效。這些器件在ESD脈衝通過人們頻繁插拔的電纜互聯傳播時,在電纜接觸到未端接連接器的帶電表麵時,就會損壞。當這些ESD脈衝的頻率超過1GHz時,PC電路板的印製線和小段電纜就會像天線一樣,接收這些幹擾信號。
圖1示出了最近對一種頻繁失效的CMOS數據收發器IC進行的ESD閂鎖效應調查的結果:在某些情況下,IC封裝帶電,並燒毀了下麵的電路板。為了確定故障的原因,用一台記錄儀器監視電源和RS-232收發器的輸入端。記錄的波形顯示出在收發器器件的輸入端和電源腳有短時的電壓瞬變。當這些瞬變電壓迫使寄生PNPN結構導通時,就發生閂鎖效應。一旦寄生的SCR導通,SCR就(jiu)是(shi)電(dian)源(yuan)通(tong)過(guo)器(qi)件(jian)到(dao)地(di)的(de)一(yi)條(tiao)低(di)阻(zu)通(tong)路(lu)。在(zai)這(zhe)樣(yang)的(de)條(tiao)件(jian)下(xia),通(tong)路(lu)中(zhong)的(de)電(dian)流(liu)很(hen)大(da),從(cong)而(er)導(dao)致(zhi)器(qi)件(jian)中(zhong)因(yin)熱(re)過(guo)載(zai)而(er)熱(re)耗(hao)散(san)異(yi)常(chang)。過(guo)度(du)的(de)熱(re)過(guo)載(zai)會(hui)使(shi)塑(su)封(feng)外(wai)殼(ke)升(sheng)溫(wen)並(bing)開(kai)裂(lie)。
從設計開始控製ESD
防止由ESD引起的失效的第一步是電路設計。要從ESD出發,選用適合於應用需求的器件。對采用不易受ESD損sun壞huai的de元yuan器qi件jian的de電dian路lu進jin行xing恰qia當dang的de設she計ji,就jiu可ke減jian少shao電dian路lu板ban和he係xi統tong現xian場chang失shi效xiao的de發fa生sheng率lv。例li如ru,決jue不bu因yin其qi速su度du較jiao快kuai而er選xuan用yong某mou個ge器qi件jian,而er要yao按an所suo需xu的de工gong作zuo速su度du來lai挑tiao選xuan合he適shi的de器qi件jian。高gao速su邏luo輯ji轉zhuan換huan會hui產chan生sheng高gao頻pin電dian磁ci場chang,幹gan擾rao電dian路lu板ban上shang的de其qi它ta器qi件jian。高gao速su器qi件jian使shi用yong不bu當dang,會hui因yin開kai關guan引yin起qi的de有you害hai輻fu射she而er添tian麻ma煩fan。
在(zai)實(shi)驗(yan)室(shi)中(zhong)按(an)規(gui)格(ge)測(ce)試(shi)和(he)驗(yan)證(zheng)合(he)格(ge)的(de)設(she)備(bei)在(zai)實(shi)際(ji)現(xian)場(chang)條(tiao)件(jian)下(xia)可(ke)能(neng)會(hui)出(chu)現(xian)問(wen)題(ti)。隻(zhi)有(you)預(yu)計(ji)到(dao)現(xian)場(chang)可(ke)能(neng)出(chu)現(xian)的(de)問(wen)題(ti),才(cai)能(neng)按(an)照(zhao)在(zai)各(ge)種(zhong)工(gong)作(zuo)環(huan)境(jing)中(zhong)正(zheng)常(chang)工(gong)作(zuo)這(zhe)一(yi)要(yao)求(qiu)來(lai)進(jin)行(xing)電(dian)路(lu)設(she)計(ji)。這(zhe)種(zhong)情(qing)況(kuang)對(dui)處(chu)理(li)ESD問題特別適用,因為這樣的問題可能會因現場搬運PC組件時不遵守注意事項而發生。為了解決ESD問題,在產品設計時采取預防ESD損壞的措施是必要的。即使某個器件具有內置的保護網絡來防止ESD損壞,也應在為受損壞的應用場合采用外部元器件進行更高級別的防護。
一種眾所周知的ESD能量抑製技術是在電路的關鍵部位使用瞬變抑製二極管。這樣的器件基本上是快速響應的電壓箝位器件。當ESD或(huo)其(qi)它(ta)因(yin)素(su)產(chan)生(sheng)一(yi)個(ge)過(guo)壓(ya)瞬(shun)變(bian)脈(mai)衝(chong)時(shi),瞬(shun)變(bian)抑(yi)製(zhi)器(qi)就(jiu)按(an)照(zhao)其(qi)額(e)定(ding)值(zhi)將(jiang)電(dian)壓(ya)箝(qian)位(wei)於(yu)一(yi)個(ge)安(an)全(quan)電(dian)壓(ya)值(zhi),以(yi)保(bao)護(hu)瞬(shun)變(bian)抑(yi)製(zhi)器(qi)後(hou)麵(mian)連(lian)接(jie)的(de)器(qi)件(jian)。應(ying)根(gen)據(ju)器(qi)件(jian)能(neng)承(cheng)受(shou)的(de)預(yu)計(ji)瞬(shun)時(shi)功(gong)耗(hao),仔(zai)細(xi)地(di)選(xuan)擇(ze)瞬(shun)變(bian)抑(yi)製(zhi)器(qi)的(de)功(gong)率(lv)承(cheng)受(shou)大(da)小(xiao)。
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一種可在電路輸入級使用的簡單的ESD瞬變抑製技術,就是將一個磁珠串在輸入引線上,並在輸入引線和地之間接一隻容量很小的電容器。圖2示出了磁珠的等效電路。輸入端的LC電路起濾波器的作用,將ESD瞬shun變bian的de能neng量liang分fen流liu入ru地di。當dang使shi用yong瞬shun變bian抑yi製zhi二er極ji管guan保bao護hu任ren何he輸shu入ru端duan或huo輸shu出chu端duan時shi,要yao使shi瞬shun變bian抑yi製zhi器qi盡jin量liang靠kao近jin這zhe些xie端duan子zi。很hen長chang的de導dao線xian和he電dian路lu板ban印yin製zhi線xian都dou有you寄ji生sheng電dian感gan,當dangESD瞬變脈衝進入電路時,寄生電感就會產生電壓過衝與振鈴問題。
你可使用CMOS布局技術來防止閂鎖效應,因為CMOS布局技術可監控ESD瞬變會進入器件的各部位:器件的電源引腳、輸入引腳和輸出引腳。你應降低晶體管(PNP和NPN)的增益,並提高閂鎖效應的閾值,方法是加大器件結構中P溝道Tub與P溝道漏極之間的間隔。在電源和p-tub上連接p+和n+保護環也可以降低晶體管增益,提高閂鎖效應的閾值(圖3)。防止閂鎖效應的其他工藝技術有:提高阱深度以減少寄生晶體管的增益;采用絕緣襯底(如藍寶石矽)以降低tub和襯底中的電流,;在每個阱下麵采用埋層或外延層(圖4)。


你也可以用良好的電路設計技術來減少ESD危害和與ESD有關的電子器件失效。元器件選用得當和關鍵部位使用電路級技術(保護網絡)均可減少ESD的種種影響。良好的接地與電路板布線技術;在裝配、生產和測試時小心取放對ESD敏感的器件;在包裝和運輸器件和組裝電路板時采用適當的防靜電包裝材料,這些措施都可減少失效。電路屏蔽得當也可以減少ESD的影響。

電路板布局會影響ESD
你如果使用布局和布線都很好的電路板,就可以顯著減少ESD問題的發生率(見附文《實現ESD故障最小化的電路設計原則》)。meiyidianludouyinweiyoubutongleixingdeyuanqijianhedianliuercunzaiyoujingdiantongliangxianhecitongliangxian。ruguodianlubanbuxianweizhuhendadehuanxingqu,zedaodiantonglujiuhuiweizhujiaodadecitongliang,youyuhuanluqitianxiandezuoyong,jiaodadecitongliangyouhuizaihuanluzhongganyingchanshengdianliu。zhezhonghuanludianliuhuichanshengyingxiangdianluzhongyuanqijiandeganraodiancichang。jianxiaohuanluqudefangfashishidianyuanxianhedixianjinliangkaojinzaiyiqi。tu5示出了典型的電源線和地線形成的環路區。
要在電路板設計中采用低阻抗地線,以便任何ESD電流都能很容易地流入地,而不是經過電子器件的其他低阻通路流入地。一個接地區域,最好是一個接地層,均可降低ESD的影響,因此,你應將電路板上未用區域都變成接地層。使信號線靠近地線也可減小環路麵積,並可將大環路引起的ESD問題減至最少。具有獨立接地層的多層電路板則更為可取。
在電路板布局時,敏感電子元件要遠離潛在的ESD源,如變壓器、線圈和連接器。這些潛在的ESD源會積累電荷或產生雜散的電磁場,從而導致元件損壞。對線圈、bianyaqiheleisiyuanjianjinxingpingbi,yiyizhizhexieyuanjianfushedediancichang,zheshimingzhizhiju。yaozaihenchangdexinhaoxianzhijianbufangyigendixian,yijianxiaohuanlumianji。nibamingandianziyuanqijianfangzaiyuanlidianlubanbianyuandedifang,jiukebimianESD偶然損壞這些元器件;因為這樣做可避免人體接觸和可能由ESD引起的損壞。
- ESD與閂鎖效應
- 從設計開始控製ESD
- 電路板布局會影響ESD
- 選用適合於應用需求的器件
- 使用的簡單的ESD瞬變抑製技術
半導體器件常常因靜電放電而失效。弄清楚失效的根源並遵守設計規則,就有助於避免這種失效。
ESD(靜電放電)是導致電子器件失效的主要原因,它可以在任何階段——從製造到測試、組裝、生產、現場運行以及現場PC裝配等——影響電子器件的功能。專家估計,1994年全世界電子行業因ESD造成的損失超過900億美元(參考文獻1)。ESD的(de)發(fa)生(sheng)原(yuan)因(yin)是(shi)電(dian)荷(he)在(zai)某(mou)一(yi)表(biao)麵(mian)的(de)累(lei)積(ji),如(ru)摩(mo)擦(ca)生(sheng)電(dian)。但(dan)是(shi),由(you)於(yu)電(dian)子(zi)產(chan)品(pin)的(de)快(kuai)速(su)小(xiao)型(xing)化(hua),導(dao)致(zhi)器(qi)件(jian)的(de)幾(ji)何(he)尺(chi)寸(cun)縮(suo)小(xiao),其(qi)中(zhong)包(bao)括(kuo)層(ceng)厚(hou)度(du),因(yin)此(ci)這(zhe)些(xie)高(gao)密(mi)度(du)器(qi)件(jian)就(jiu)很(hen)容(rong)易(yi)受(shou)到(dao)很(hen)小(xiao)ESD造成的損壞。
造成ESD的人為原因包括人造地毯、人造地板、羊毛服裝、尼龍服裝、塑料家具、塑料扇葉的風扇、普通塑料容器、帶塑料吸嘴的去焊器、不導電的鞋、人造地板墊、玻璃纖維容器、普(pu)通(tong)塑(su)料(liao)袋(dai)以(yi)及(ji)類(lei)似(si)的(de)材(cai)料(liao)。使(shi)用(yong)塑(su)料(liao)零(ling)件(jian)的(de)機(ji)器(qi)也(ye)可(ke)以(yi)成(cheng)為(wei)靜(jing)電(dian)的(de)來(lai)源(yuan),因(yin)為(wei)塑(su)料(liao)部(bu)件(jian)之(zhi)間(jian)的(de)相(xiang)互(hu)摩(mo)擦(ca)會(hui)積(ji)累(lei)電(dian)荷(he)。設(she)備(bei)產(chan)生(sheng)的(de)高(gao)強(qiang)度(du)電(dian)磁(ci)場(chang)也(ye)會(hui)在(zai)鄰(lin)近(jin)元(yuan)件(jian)中(zhong)感(gan)應(ying)產(chan)生(sheng)靜(jing)電(dian)荷(he)。
靜電是一種看不見的破壞力,會對電子元器件產生影響。ESD未必總造成元器件的完全失效;它會造成一般測試無法檢測到的元器件潛在缺陷。這種“脆弱”的元器件在係統工作期間,在惡劣環境條件下,更可能在現場發生失效。在製造、儲存、運輸、包裝、組裝、測試階段采取一些簡單的預防措施,再適當地設計電路,就可以減少由ESD造成的損壞影響。
duiyubandaotiqijianlaishuo,ruguoyouyigeqiangdianchangshijiazaiqijianjiegouzhongdeyanghuawubomoshang,zegaiyanghuawubomojiuhuiyinjiezhijichuanersunhuai。henxidejinshuhuajixianhuiyouyudadianliuersunhuai,binghuiyouyulangyongdianliuzaochengdeguoreerxingchengkailu。PN結的失效可能是由於“電流擁塞”效應而引起的,這種效應在大電流通過PN結造成大電流密度時發生。ESD造成的潛在缺陷可能使器件在以後更容易損壞,並且可能使器件時好時壞。

ESD與閂鎖效應
ESD和相關的電壓瞬變都會引起閂鎖效應(latch-up),這是半導體器件的主要失效之一。在閂鎖情況下,器件在電源與地之間形成短路,造成大電流、EOS(電過載)和器件損壞。CMOSqijianzhisuoyiyinshuansuoxiaoyingertebierongyisunhuai,naishiyinweidianganhuizaiqijiandejishengdianrongzhongleiji。lingwai,yanghuawucailiaozhongrenheyuanziyijidequexiandouhuijiangdiyanghuawucengdejiedianqiangdu,shiqijianhenrongyiyinjingdiandianyaershixiao(見本文網頁版的附文《ESD閂鎖效應的模型》)。
電子係統中常見的ESD問題是通信接口器件,如RS-232驅動器和接收器的失效。這些器件在ESD脈衝通過人們頻繁插拔的電纜互聯傳播時,在電纜接觸到未端接連接器的帶電表麵時,就會損壞。當這些ESD脈衝的頻率超過1GHz時,PC電路板的印製線和小段電纜就會像天線一樣,接收這些幹擾信號。
圖1示出了最近對一種頻繁失效的CMOS數據收發器IC進行的ESD閂鎖效應調查的結果:在某些情況下,IC封裝帶電,並燒毀了下麵的電路板。為了確定故障的原因,用一台記錄儀器監視電源和RS-232收發器的輸入端。記錄的波形顯示出在收發器器件的輸入端和電源腳有短時的電壓瞬變。當這些瞬變電壓迫使寄生PNPN結構導通時,就發生閂鎖效應。一旦寄生的SCR導通,SCR就(jiu)是(shi)電(dian)源(yuan)通(tong)過(guo)器(qi)件(jian)到(dao)地(di)的(de)一(yi)條(tiao)低(di)阻(zu)通(tong)路(lu)。在(zai)這(zhe)樣(yang)的(de)條(tiao)件(jian)下(xia),通(tong)路(lu)中(zhong)的(de)電(dian)流(liu)很(hen)大(da),從(cong)而(er)導(dao)致(zhi)器(qi)件(jian)中(zhong)因(yin)熱(re)過(guo)載(zai)而(er)熱(re)耗(hao)散(san)異(yi)常(chang)。過(guo)度(du)的(de)熱(re)過(guo)載(zai)會(hui)使(shi)塑(su)封(feng)外(wai)殼(ke)升(sheng)溫(wen)並(bing)開(kai)裂(lie)。
從設計開始控製ESD
防止由ESD引起的失效的第一步是電路設計。要從ESD出發,選用適合於應用需求的器件。對采用不易受ESD損sun壞huai的de元yuan器qi件jian的de電dian路lu進jin行xing恰qia當dang的de設she計ji,就jiu可ke減jian少shao電dian路lu板ban和he係xi統tong現xian場chang失shi效xiao的de發fa生sheng率lv。例li如ru,決jue不bu因yin其qi速su度du較jiao快kuai而er選xuan用yong某mou個ge器qi件jian,而er要yao按an所suo需xu的de工gong作zuo速su度du來lai挑tiao選xuan合he適shi的de器qi件jian。高gao速su邏luo輯ji轉zhuan換huan會hui產chan生sheng高gao頻pin電dian磁ci場chang,幹gan擾rao電dian路lu板ban上shang的de其qi它ta器qi件jian。高gao速su器qi件jian使shi用yong不bu當dang,會hui因yin開kai關guan引yin起qi的de有you害hai輻fu射she而er添tian麻ma煩fan。
在(zai)實(shi)驗(yan)室(shi)中(zhong)按(an)規(gui)格(ge)測(ce)試(shi)和(he)驗(yan)證(zheng)合(he)格(ge)的(de)設(she)備(bei)在(zai)實(shi)際(ji)現(xian)場(chang)條(tiao)件(jian)下(xia)可(ke)能(neng)會(hui)出(chu)現(xian)問(wen)題(ti)。隻(zhi)有(you)預(yu)計(ji)到(dao)現(xian)場(chang)可(ke)能(neng)出(chu)現(xian)的(de)問(wen)題(ti),才(cai)能(neng)按(an)照(zhao)在(zai)各(ge)種(zhong)工(gong)作(zuo)環(huan)境(jing)中(zhong)正(zheng)常(chang)工(gong)作(zuo)這(zhe)一(yi)要(yao)求(qiu)來(lai)進(jin)行(xing)電(dian)路(lu)設(she)計(ji)。這(zhe)種(zhong)情(qing)況(kuang)對(dui)處(chu)理(li)ESD問題特別適用,因為這樣的問題可能會因現場搬運PC組件時不遵守注意事項而發生。為了解決ESD問題,在產品設計時采取預防ESD損壞的措施是必要的。即使某個器件具有內置的保護網絡來防止ESD損壞,也應在為受損壞的應用場合采用外部元器件進行更高級別的防護。
一種眾所周知的ESD能量抑製技術是在電路的關鍵部位使用瞬變抑製二極管。這樣的器件基本上是快速響應的電壓箝位器件。當ESD或(huo)其(qi)它(ta)因(yin)素(su)產(chan)生(sheng)一(yi)個(ge)過(guo)壓(ya)瞬(shun)變(bian)脈(mai)衝(chong)時(shi),瞬(shun)變(bian)抑(yi)製(zhi)器(qi)就(jiu)按(an)照(zhao)其(qi)額(e)定(ding)值(zhi)將(jiang)電(dian)壓(ya)箝(qian)位(wei)於(yu)一(yi)個(ge)安(an)全(quan)電(dian)壓(ya)值(zhi),以(yi)保(bao)護(hu)瞬(shun)變(bian)抑(yi)製(zhi)器(qi)後(hou)麵(mian)連(lian)接(jie)的(de)器(qi)件(jian)。應(ying)根(gen)據(ju)器(qi)件(jian)能(neng)承(cheng)受(shou)的(de)預(yu)計(ji)瞬(shun)時(shi)功(gong)耗(hao),仔(zai)細(xi)地(di)選(xuan)擇(ze)瞬(shun)變(bian)抑(yi)製(zhi)器(qi)的(de)功(gong)率(lv)承(cheng)受(shou)大(da)小(xiao)。
[page]一種可在電路輸入級使用的簡單的ESD瞬變抑製技術,就是將一個磁珠串在輸入引線上,並在輸入引線和地之間接一隻容量很小的電容器。圖2示出了磁珠的等效電路。輸入端的LC電路起濾波器的作用,將ESD瞬shun變bian的de能neng量liang分fen流liu入ru地di。當dang使shi用yong瞬shun變bian抑yi製zhi二er極ji管guan保bao護hu任ren何he輸shu入ru端duan或huo輸shu出chu端duan時shi,要yao使shi瞬shun變bian抑yi製zhi器qi盡jin量liang靠kao近jin這zhe些xie端duan子zi。很hen長chang的de導dao線xian和he電dian路lu板ban印yin製zhi線xian都dou有you寄ji生sheng電dian感gan,當dangESD瞬變脈衝進入電路時,寄生電感就會產生電壓過衝與振鈴問題。
你可使用CMOS布局技術來防止閂鎖效應,因為CMOS布局技術可監控ESD瞬變會進入器件的各部位:器件的電源引腳、輸入引腳和輸出引腳。你應降低晶體管(PNP和NPN)的增益,並提高閂鎖效應的閾值,方法是加大器件結構中P溝道Tub與P溝道漏極之間的間隔。在電源和p-tub上連接p+和n+保護環也可以降低晶體管增益,提高閂鎖效應的閾值(圖3)。防止閂鎖效應的其他工藝技術有:提高阱深度以減少寄生晶體管的增益;采用絕緣襯底(如藍寶石矽)以降低tub和襯底中的電流,;在每個阱下麵采用埋層或外延層(圖4)。


你也可以用良好的電路設計技術來減少ESD危害和與ESD有關的電子器件失效。元器件選用得當和關鍵部位使用電路級技術(保護網絡)均可減少ESD的種種影響。良好的接地與電路板布線技術;在裝配、生產和測試時小心取放對ESD敏感的器件;在包裝和運輸器件和組裝電路板時采用適當的防靜電包裝材料,這些措施都可減少失效。電路屏蔽得當也可以減少ESD的影響。

電路板布局會影響ESD
你如果使用布局和布線都很好的電路板,就可以顯著減少ESD問題的發生率(見附文《實現ESD故障最小化的電路設計原則》)。meiyidianludouyinweiyoubutongleixingdeyuanqijianhedianliuercunzaiyoujingdiantongliangxianhecitongliangxian。ruguodianlubanbuxianweizhuhendadehuanxingqu,zedaodiantonglujiuhuiweizhujiaodadecitongliang,youyuhuanluqitianxiandezuoyong,jiaodadecitongliangyouhuizaihuanluzhongganyingchanshengdianliu。zhezhonghuanludianliuhuichanshengyingxiangdianluzhongyuanqijiandeganraodiancichang。jianxiaohuanluqudefangfashishidianyuanxianhedixianjinliangkaojinzaiyiqi。tu5示出了典型的電源線和地線形成的環路區。
要在電路板設計中采用低阻抗地線,以便任何ESD電流都能很容易地流入地,而不是經過電子器件的其他低阻通路流入地。一個接地區域,最好是一個接地層,均可降低ESD的影響,因此,你應將電路板上未用區域都變成接地層。使信號線靠近地線也可減小環路麵積,並可將大環路引起的ESD問題減至最少。具有獨立接地層的多層電路板則更為可取。
在電路板布局時,敏感電子元件要遠離潛在的ESD源,如變壓器、線圈和連接器。這些潛在的ESD源會積累電荷或產生雜散的電磁場,從而導致元件損壞。對線圈、bianyaqiheleisiyuanjianjinxingpingbi,yiyizhizhexieyuanjianfushedediancichang,zheshimingzhizhiju。yaozaihenchangdexinhaoxianzhijianbufangyigendixian,yijianxiaohuanlumianji。nibamingandianziyuanqijianfangzaiyuanlidianlubanbianyuandedifang,jiukebimianESD偶然損壞這些元器件;因為這樣做可避免人體接觸和可能由ESD引起的損壞。
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