縱觀2024年，存儲技術升級已經給AI計算、雲端應用帶來了諸多便利，從年初鎧俠首款量產車規級UFS 4.0推動行業發展，到RM

、PM和XG係列SSD與HPE攜手登陸國際空間站，再到推出容量高達2Tb的第八代BiCS FLASH™ QLC，展示下一代前瞻性的光學結構SSD

，鎧俠與合作夥伴一起
，不僅滿足了時下的存儲應用需求，並已經為未來存儲鋪墊全新的技術可行性。

更大容量的存儲

AI計算對企業級存儲提出了更為嚴苛的要求，Tera級別參數的大模型可以輕鬆裝滿一塊30TB的企業級固態硬盤，更大容量的存儲解決方案勢在必行。在年初
，鎧俠正式發布第八代BiCS FLASH™
，並應對市場要求，提供TLC和QLC兩個係列產品線。

其中QLC能夠更好的在單位空間內提升存儲容量，第八代BiCS FLASH™ 2Tb QLC的位密度比鎧俠目前所采用的第五代BiCS FLASH™的QLC產品提高了約2.3倍，寫入能效比提高了約70%。不僅如此，全新的QLC產品架構可在單個存儲器封裝中堆疊16個芯片
，為業界提供領先的4TB容量
，並采用更為緊湊的封裝設計
，尺寸僅為11.5 x 13.5 mm，高度為1.5 mm。

這意味著，未來采用第八代BiCS FLASH QLC的存儲產品在存儲空間擁有質的飛躍，可以輕鬆將企業級SSD和數據中心級SSD容量提升至120TB以上。Pure Storage公司已經開始對第八代BiCS FLASH™ 2Tb QLC閃存產品展開測試
，並認為利用BiCS FLASH™技術的統一全閃存數據存儲平台不僅能夠滿足人工智能的嚴苛要求，還能實現極具競爭力的備份存儲成本。

另外，第八代BiCS FLASH™全麵優化了邏輯電路，在存儲密度提升50%以上的同時，NAND I/O速度提升可達60%以上

，可實現3200MT/s的傳輸速率，並大幅改善的讀取延遲
，能夠從數據中心
、個人電腦都提供更高的存儲容量，並允許產品騰出更多的空間，留給電池
、個性化，以及輕薄設計。

PCIe 5.0與EDSFF加速部署

PCIe 6.0到PCIe 7.0規範愈發成熟
，PCIe 5.0企業級存儲也進入到了加速普及的時間點。在今年10月份，鎧俠正式發布了全新XD8係列PCIe® 5.0 EDSFF（企業和數據中心標準型）E1.S固態硬盤。它是鎧俠第三代E1.S固態硬盤，符合PCIe 5.0（32 GT/s x 4）和NVMe 2.0規範，並支持開放計算項目（OCP）數據中心NVMe SSD v2.5規範。

PCIe 5.0提供了相對PCIe 4.0翻倍的傳輸效率
，其高帶寬和低延遲特性允許SSD在高負載場合下提供更多並發訪問的可能性，更高的IOPS也允許服務器在AI、數據庫、虛擬化、多媒體編輯中展現出至關重要的作用。

不僅如此，當EDSFF規範與PCIe 5.0搭配更是將效率提升了一個級別，EDSFF規範在散熱上具備更高的效率
，配合SSD設計可以獲得更高的存儲密度，靈活的接口形態以及對Compute Express Link™ (CXL™) 的支持，給存儲解決方案提供更多靈活、快速的配置。

剛剛推出的鎧俠XD8係列已經做好為下一代存儲提供支持的準備
，它專為雲和超大規模環境設計，滿足數據中心對高性能、高(gao)效(xiao)率(lv)和(he)高(gao)可(ke)擴(kuo)展(zhan)性(xing)的(de)日(ri)益(yi)增(zeng)長(chang)的(de)需(xu)求(qiu)。通(tong)過(guo)這(zhe)款(kuan)新(xin)的(de)固(gu)態(tai)硬(ying)盤(pan)，雲(yun)服(fu)務(wu)提(ti)供(gong)商(shang)和(he)超(chao)大(da)規(gui)模(mo)企(qi)業(ye)能(neng)夠(gou)優(you)化(hua)基(ji)礎(chu)設(she)施(shi)，在(zai)保(bao)持(chi)運(yun)營(ying)效(xiao)率(lv)的(de)同(tong)時(shi)提(ti)供(gong)卓(zhuo)越(yue)的(de)性(xing)能(neng)。

打造未來存儲

在後5G信息和通信時代，AI已經開始產生前所未有的數據量。鎧俠也在積極探討前瞻性存儲的更多可能性
，比如例如基於相變存儲原理打造的XL-FLASH存儲級內存（Storage Class Memory, SCM）與CXL相結合，開發相較DRAM功耗更低、位密度更高，相較閃存讀取速度更快的存儲器。這不僅會提高存儲器利用效率，還有助於節能。

按位密度和讀取時間劃分的存儲器類別

在車規級存儲領域
，鎧俠已經獲得已獲得汽車軟件過程改進及能力評定（Automotive SPICE®，ASPICE）二級認證（CL2）。鎧俠是首家在車規級UFS 4.0產品上獲得該認證的公司，意味著鎧俠車規級UFS 4.0已經進入結構化的項目管理和軟件開發流程，以確保產品質量的一致性和可追溯性
，不僅滿足汽車製造商和一級供應商對車規級UFS 4.0設備嚴苛的軟件開發和質量標準要求，也意味著在未來的高性能車規級多媒體係統中

，將會鎧俠車規級UFS 4.0的身影。

另外
，鎧俠還宣布開發出OCTRAM（OCTRAM：Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM，氧化物半導體晶體管 DRAM）技術

，這是一種新型4F² DRAM
，由兼具高導通電流和超低漏電流的氧化物半導體晶體管組成。該技術采用InGaZnO（銦镓鋅氧化物）晶體管

，可將漏電率降低到極低水平
，從而降低DRAM功耗。無論是SSD獨立緩存還是內存產品，都有機會通過這項技術獲得高性能
、低功耗的產品表現。

InGaZnO晶體管的(a)導通和(b)漏電流特性

顯然2025年依然是充滿了技術挑戰和技術創新的一年
，鎧俠與合作夥伴們已經做好了麵對新挑戰的準備

，全新的存儲技術和解決方案將會在AI加速
，雲端計算，虛擬化應用，數據中心部署等商業場景中大放異彩，同時筆記本電腦、手機、XR設備也將因為存儲芯片的性能提升和尺寸縮小

，擁有更多可能性，為用戶提供更好的存儲體驗。