【導讀】貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書
，探討氮化镓 (GaN) 在效率
、性能和可持續性方麵的優勢，以及發揮這些優勢所麵臨的挑戰。

探討基於GaN的電力電子器件的優勢

2024年12月3日 – 專注於推動行業創新的知名新品引入 (NPI) 代理商™貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書，探討氮化镓 (GaN) 在效率、性能和可持續性方麵的優勢，以及發揮這些優勢所麵臨的挑戰。

《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》（10位專家暢談氮化镓技術）一書探討了比矽效率更高、開關速度更快
、功率密度更大的氮化镓如何徹底改變電力電子行業。從汽車和工業應用，再到消費電子和可再生能源，GaN技術的優勢對各行各業都有著深遠影響。這本新電子書提供了ADI
、Bourns及其他公司的專家對GaN的見解
，包括GaN的優勢、設計人員首次使用GaN可能麵臨的挑戰以及如何順利完成從矽到GaN的過渡。本電子書還重點介紹了ADI和Bourns的相關產品，包括GaN控製器和驅動器，以及功率電感器等。

ADI LTC7890/1同步降壓控製器是一款高性能的降壓型DC-DC開關穩壓器控製器
，通過高達100V的輸入電壓驅動N溝道同步GaN場效應晶體管 (FET) 功率級。與矽金屬氧化物半導體解決方案相比，這些器件簡化了應用設計
，無需保護二極管和其他額外的外部組件。

LT8418是一款100V半橋GaN驅動器，集成了頂部和底部驅動器級、驅動器邏輯控製和保護功能。LT8418提供分離式柵極驅動器來調整GaN FET的開啟和關閉壓擺率，因此能抑製振鈴並優化EMI性能。

由於GaN技術的高開關頻率，需要用戶仔細選擇無源元件。Bourns提供針對GaN高頻優化的先進磁性元器件，包括其PQ扁線功率電感器、CWP3230A片式電感器和 TLVR1105T TLVR電感器。這些器件具有低電感、高額定電流和低輻射的屏蔽結構。

Bourns HCTSM150102HL變壓器具有更強的隔離能力
、15mm最小電氣間隙/爬電距離和7.64kV (2s) 耐壓，提升了隔離高壓危險的水平。該變壓器采用鐵氧體環形磁芯

，具有高耦合係數和效率。

作為全球授權代理商，貿澤電子庫存有豐富的半導體、電dian子zi元yuan器qi件jian以yi及ji工gong業ye自zi動dong化hua產chan品pin。貿mao澤ze旨zhi在zai為wei客ke戶hu供gong應ying全quan麵mian認ren證zheng的de原yuan廠chang產chan品pin，並bing提ti供gong全quan方fang位wei的de製zhi造zao商shang可ke追zhui溯su性xing。為wei幫bang助zhu客ke戶hu加jia速su設she計ji，貿mao澤ze網wang站zhan提ti供gong了le豐feng富fu的de技ji術shu資zi源yuan庫ku，包bao括kuo技ji術shu資zi源yuan中zhong心xin、產品數據手冊、供應商特定參考設計、應用筆記、技術設計信息、設計工具以及其他有用的信息。

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關於貿澤電子 (Mouser Electronics)

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