【導讀】在zai本ben係xi列lie第di七qi篇pian文wen章zhang中zhong
，介jie紹shao了le晶jing圓yuan級ji封feng裝zhuang的de基ji本ben流liu程cheng。本ben篇pian文wen章zhang將jiang側ce重zhong介jie紹shao不bu同tong晶jing圓yuan級ji封feng裝zhuang方fang法fa所suo涉she及ji的de各ge項xiang工gong藝yi。晶jing圓yuan級ji封feng裝zhuang可ke分fen為wei扇shan入ru型xing晶jing圓yuan級ji芯xin片pian封feng裝zhuang(Fan-In WLCSP)、扇出型晶圓級芯片封裝(Fan-Out WLCSP)
、重新分配層(RDL)封裝、倒片(Flip Chip)封裝
、及矽通孔(TSV)封裝。此外，本文還將介紹應用於這些晶圓級封裝的各項工藝
，包括光刻(Photolithography)工藝
、濺射(Sputtering)工藝
、電鍍(Electroplating)工藝和濕法(Wet)工藝。

在zai本ben係xi列lie第di七qi篇pian文wen章zhang中zhong，介jie紹shao了le晶jing圓yuan級ji封feng裝zhuang的de基ji本ben流liu程cheng。本ben篇pian文wen章zhang將jiang側ce重zhong介jie紹shao不bu同tong晶jing圓yuan級ji封feng裝zhuang方fang法fa所suo涉she及ji的de各ge項xiang工gong藝yi。晶jing圓yuan級ji封feng裝zhuang可ke分fen為wei扇shan入ru型xing晶jing圓yuan級ji芯xin片pian封feng裝zhuang(Fan-In WLCSP)

、扇出型晶圓級芯片封裝(Fan-Out WLCSP)、重新分配層(RDL)封裝
、倒片(Flip Chip)封裝
、及矽通孔(TSV)封裝。此外，本文還將介紹應用於這些晶圓級封裝的各項工藝，包括光刻(Photolithography)工藝、濺射(Sputtering)工藝、電鍍(Electroplating)工藝和濕法(Wet)工藝。

扇入型晶圓級芯片封裝工藝

zaishanruxingjingyuanjixinpianfengzhuangzhong，hegejingyuanshouxianjiangjinrufengzhuangshengchanxian。tongguojianshegongyizaijingyuanbiaomianzhibeiyicengjinshumo，bingzaijinshumoshangtufuyicengjiaohoudeguangkejiao
，guangkejiaohouduxuchaoguoyongyufengzhuangdejinshuyinxian。tongguoguangkegongyizaiguangkejiaoshanghuizhidianlutuan，zailiyongtongdiandugongyizaipuguangquyuxingchengjinshuyinxian。suihouquchuguangkejiao
，bingliyonghuaxuekeshi（Chemical Etching）工藝去除多餘的薄金屬膜，然後在晶圓表麵製備絕緣層（Dielectric Layer），並利用光刻工藝去除錫球（Solder Ball）放置區域的絕緣層。因此，絕緣層也被稱為“阻焊層”（Solder Resist）
，它是晶圓級芯片封裝中的鈍化層（Passivation Layer），即最後的保護層
，用於區分錫球放置區域。如沒有鈍化層
，采用回流焊（Reflow Soldering）等工藝時，附著在金屬層上的錫球會持續融化
，無法保持球狀。

liyongguangkegongyizaijueyuancengshanghuizhidianlutuanhou，zaitongguozhiqiugongyishixiqiufuzheyujueyuanceng。zhiqiuanzhuangwanchenghou，fengzhuangliuchengyesuizhijieshu。duifengzhuangwanchengdezhengpianjingyuanjinxingqiegehou，jikehuodeduogedulideshanruxingjingyuanjixinpianfengzhuangti。

錫球植球工藝

圖1：晶圓級回流焊設備平麵圖（ⓒ HANOL出版社）

在(zai)植(zhi)球(qiu)過(guo)程(cheng)中(zhong)，需(xu)要(yao)將(jiang)錫(xi)球(qiu)附(fu)著(zhe)到(dao)晶(jing)圓(yuan)級(ji)芯(xin)片(pian)封(feng)裝(zhuang)體(ti)上(shang)。傳(chuan)統(tong)封(feng)裝(zhuang)工(gong)藝(yi)與(yu)晶(jing)圓(yuan)級(ji)封(feng)裝(zhuang)工(gong)藝(yi)的(de)關(guan)鍵(jian)區(qu)別(bie)在(zai)於(yu)，前(qian)者(zhe)將(jiang)錫(xi)球(qiu)放(fang)置(zhi)在(zai)基(ji)板(ban)上(shang)，而(er)後(hou)者(zhe)將(jiang)錫(xi)球(qiu)放(fang)置(zhi)在(zai)晶(jing)圓(yuan)頂(ding)部(bu)。因(yin)此(ci)
，除(chu)了(le)用(yong)於(yu)塗(tu)敷(fu)助(zhu)焊(han)劑(ji)和(he)植(zhi)球(qiu)的(de)模(mo)板(ban)需(xu)在(zai)尺(chi)寸(cun)上(shang)與(yu)晶(jing)圓(yuan)保(bao)持(chi)一(yi)致(zhi)之(zhi)外(wai)
，助(zhu)焊(han)劑(ji)塗(tu)敷(fu)、植球工藝、回流焊工藝都遵循相同步驟。

此外
，回流焊設備采用基於發熱板的回流焊方式
，如圖1所示
，而不是涉及運送器的對流熱風回流焊方式（Convection Reflow）。晶圓級回流焊設備在不同的加工階段會對晶圓施加不同溫度
，以便保持回流焊操作所需溫度條件，確保封裝工藝流程能夠順利進行。

倒片封裝凸點工藝

倒片封裝體中凸點（Bump）是基於晶圓級工藝而完成的
，而後續工序則與傳統封裝工藝相同。

圖2：倒片封裝工藝概覽

圖3：倒片封裝凸點製作工序

由於要確保凸點擁有足夠的高度，因此需選用能在晶圓上厚塗的光刻膠。銅柱凸塊（CPB）1xuyaoxianhoujinglitongdianduhehanliaodianduliangdaogongxuhouxingcheng，suoshiyongdehanliaotongchangweibuhanqiandexiyinhejin。dianduwanchenghou，guangkejiaosuijibeiquchu
，bingcaiyongjinshukeshigongyiquchujiansheerchengdetudianxiajinshuceng（UBM）2，suihoutongguojingyuanjihuiliuhanshebeijiangzhexietudianzhichengqiuxing。zhelicaiyongdehanjietudianhuiliuhangongyikeyizuidaxiandujianshaogetudiandegaoducha，jiangdihanjietudianbiaomiandecucaodu，tongshiquchuhanliaozhongzidaideyanghuawu，jinerbaozhangzaidaopianjianheguochengzhongzengjiajianheqiangdu。

1銅柱凸塊（CPB）：用於倒片鍵合的凸點結構，旨在減少凸點間距。銅作為材料，被用於製作銅柱來承上方凸點。

2凸點下金屬層（UBM）：在倒片凸點下方形成的金屬層。

重新分配層封裝工藝

圖4：重新分配層封裝工藝概覽

圖5：重新分配層形成工序

利用重新分配層封裝工藝

，在晶圓原本焊盤上形成新焊盤，以承載額外的金屬引線，此種工藝主要用於芯片堆疊。因此，如圖4suoshi，zhongxinfenpeicenggongxuzhihoudefengzhuanggongxuzunxunchuantongfengzhuanggongxu。zaixinpianduidieguochengzhong
，meigedanduxinpiandouxuzhongfujinxingxinpiantiezhuangheyinxianjianhezheliangdaogongxu。

在(zai)重(zhong)新(xin)分(fen)配(pei)層(ceng)工(gong)藝(yi)中(zhong)，首(shou)先(xian)通(tong)過(guo)濺(jian)射(she)工(gong)藝(yi)創(chuang)建(jian)一(yi)層(ceng)金(jin)屬(shu)薄(bo)膜(mo)，之(zhi)後(hou)在(zai)金(jin)屬(shu)薄(bo)膜(mo)上(shang)塗(tu)覆(fu)厚(hou)層(ceng)光(guang)刻(ke)膠(jiao)。隨(sui)後(hou)利(li)用(yong)光(guang)刻(ke)工(gong)藝(yi)繪(hui)製(zhi)電(dian)路(lu)圖(tu)案(an)
，在(zai)電(dian)路(lu)圖(tu)案(an)的(de)曝(pu)光(guang)區(qu)域(yu)電(dian)鍍(du)金(jin)層(ceng)
，以(yi)形(xing)成(cheng)金(jin)屬(shu)引(yin)線(xian)。由(you)於(yu)重(zhong)新(xin)分(fen)配(pei)工(gong)藝(yi)本(ben)身(shen)就(jiu)是(shi)重(zhong)建(jian)焊(han)盤(pan)的(de)工(gong)藝(yi)，因(yin)此(ci)確(que)保(bao)引(yin)線(xian)鍵(jian)合(he)強(qiang)度(du)是(shi)十(shi)分(fen)重(zhong)要(yao)的(de)。這(zhe)也(ye)正(zheng)是(shi)被(bei)廣(guang)泛(fan)用(yong)於(yu)引(yin)線(xian)鍵(jian)合(he)的(de)材(cai)料(liao)---金，被用於電鍍的原因。

扇出型晶圓級芯片封裝工藝

zaishanchuxingjingyuanjixinpianfengzhuanggongyizhong，shouxianxuyaozaidengtongyujingyuanxingzhuangdezaipianshangtiefuyicengbomo。qiegejingyuanhou，zaianzhaoyidingjianjujiangyouzhixinpiantiezaibomoshang，jiexialaiduixinpianjiangequyujinxingmosu，yixingchengxinxingzhuang。jingyuanmosuwanchenghou，zaipianhebomojiangbeiyichu。suihouzaixinxingchengdejingyuanshang
，liyongjingyuanshebeichuangjianjinshudaoxian
，bingfuzhexiqiuyibianfengzhuang。zuihou
，jiangjingyuanqiegechengduogedulifengzhuangti。

晶圓模塑

製zhi作zuo扇shan出chu型xing晶jing圓yuan級ji芯xin片pian封feng裝zhuang體ti時shi，晶jing圓yuan模mo塑su是shi一yi項xiang重zhong要yao工gong序xu。對dui於yu扇shan出chu型xing晶jing圓yuan級ji芯xin片pian封feng裝zhuang件jian而er言yan，晶jing圓yuan塑su膜mo需xu先xian在zai芯xin片pian上shang貼tie附fu同tong樣yang形xing狀zhuang的de晶jing圓yuan載zai片pian，而er後hou將jiang其qi放fang置zhi到dao模mo塑su框kuang架jia中zhong。將jiang液ye狀zhuang、粉狀或顆粒狀的環氧樹脂模塑料（EMC）3加入到模塑框架內

，對其進行加壓和加熱處理來塑膜成型。晶圓模塑不僅是扇出型晶圓級芯片封裝工藝的重要工序，對於利用矽通孔（TSV）工藝製作已知良好堆疊芯片（KGSD）4也是無可或缺的工序。本篇文章的後續內容，將對此展開更詳細的探討。

3環氧樹脂模塑料（EMC）：一種基於環氧樹脂或熱固性聚合物的散熱材料。這種材料可用於密封半導體芯片
，以避免芯片受到外部環境因素影響，如高溫、潮濕、震動等。

4已知良好堆疊芯片（KGSD）：經過測試確認質量良好的由堆疊芯片組成的產品，最好的例子就是 HBM。

矽通孔封裝工藝

圖6展示了采用中通孔（Via-middle）5方(fang)法(fa)的(de)矽(gui)通(tong)孔(kong)封(feng)裝(zhuang)工(gong)藝(yi)步(bu)驟(zhou)。首(shou)先(xian)在(zai)晶(jing)圓(yuan)製(zhi)造(zao)過(guo)程(cheng)中(zhong)形(xing)成(cheng)通(tong)孔(kong)。隨(sui)後(hou)在(zai)封(feng)裝(zhuang)過(guo)程(cheng)中(zhong)，於(yu)晶(jing)圓(yuan)正(zheng)麵(mian)形(xing)成(cheng)焊(han)接(jie)凸(tu)點(dian)。之(zhi)後(hou)將(jiang)晶(jing)圓(yuan)貼(tie)附(fu)在(zai)晶(jing)圓(yuan)載(zai)片(pian)上(shang)並(bing)進(jin)行(xing)背(bei)麵(mian)研(yan)磨(mo)，在(zai)晶(jing)圓(yuan)背(bei)麵(mian)形(xing)成(cheng)凸(tu)點(dian)後(hou)，將(jiang)晶(jing)圓(yuan)切(qie)割(ge)成(cheng)獨(du)立(li)芯(xin)片(pian)單(dan)元(yuan)
，並(bing)進(jin)行(xing)堆(dui)疊(die)。

接下來，將簡單概括中通孔的基本工序。首先在前道工序（Front-end of Line）中，在晶圓上製作晶體管
，如互補金屬氧化物半導體等。隨後使用硬掩模（Hard Mask）6在矽通孔形成區域繪製電路圖案。之後利用幹刻蝕（Dry Etching）工藝去除未覆蓋硬掩膜的區域，形成深槽。再利用化學氣相沉積工藝（Chemical Vapor Deposition）製zhi備bei絕jue緣yuan膜mo，如ru氧yang化hua物wu等deng。這zhe層ceng絕jue緣yuan膜mo將jiang用yong於yu隔ge絕jue填tian入ru槽cao中zhong的de銅tong等deng金jin屬shu物wu質zhi
，防fang止zhi矽gui片pian被bei金jin屬shu物wu質zhi汙wu染ran。此ci外wai絕jue緣yuan層ceng上shang還hai將jiang製zhi備bei一yi層ceng金jin屬shu薄bo層ceng作zuo為wei屏ping障zhang。

此金屬薄層將被用於電鍍銅層。電鍍完成後，采用化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing）技術使晶圓表麵保持平滑，同時清除其表麵銅基材
，確保銅基材隻留在溝槽中。然後通過後道工序（Back-end of Line）完成晶圓製造。

5中通孔（Via Middle）：一種矽通孔工藝方法，在互補金屬氧化物半導體形成後及金屬層形成之前開展的工序。

6硬掩膜（Hard Mask）：一(yi)種(zhong)由(you)硬(ying)質(zhi)材(cai)料(liao)而(er)非(fei)軟(ruan)質(zhi)材(cai)料(liao)製(zhi)成(cheng)的(de)薄(bo)膜(mo)，用(yong)於(yu)繪(hui)製(zhi)更(geng)為(wei)精(jing)細(xi)的(de)電(dian)路(lu)圖(tu)案(an)。硬(ying)掩(yan)膜(mo)本(ben)身(shen)對(dui)光(guang)線(xian)並(bing)不(bu)敏(min)感(gan)
，所(suo)以(yi)需(xu)使(shi)用(yong)光(guang)刻(ke)膠(jiao)才(cai)能(neng)進(jin)一(yi)步(bu)繪(hui)製(zhi)電(dian)路(lu)圖(tu)案(an)，以(yi)最(zui)終(zhong)實(shi)施(shi)刻(ke)蝕(shi)工(gong)藝(yi)。

圖6：矽通孔封裝工序（ⓒ HANOL出版社）

使用矽通孔技術製造芯片堆疊封裝體時，一般可采用兩種類型的封裝方法。第一種方法是利用3D芯片堆疊技術的基板封裝。第二種方法則需創建KGSD，然後基於KGSD來製作2.5D或3D封裝。下文將詳細介紹如何創建KGSD
，以及如何基於KGSD來製作2.5D封裝的過程。

作為利用矽通孔技術製作而成的芯片堆疊封裝體，製作KGSD必需經曆額外封裝工藝

，如2.5D封裝、3D封裝以及扇出型晶圓級芯片封裝等
，高帶寬存儲器（HBM）就是KGSD產品的一個典型例子。由於KGSD需經曆額外封裝工藝，其作為連接引腳的焊接凸點需要比傳統錫球更加精細。因此3D封裝體中芯片堆疊在基板上，而KGSD中的芯片則堆疊於晶圓上方，晶圓也可以視為KGSD的最底層芯片。就HBM而言，位於最底層的芯片被稱為基礎芯片或基礎晶圓，而位於其上方的芯片則被稱為核心芯片。

此方法工序如下：首先

，通過倒片工藝在基礎晶圓和核心晶圓的正麵製作凸點。在製作2.5D封裝體時，基底晶圓需要排列凸點，使之能夠附著到中介層（Interposer）；相(xiang)反(fan)，核(he)心(xin)晶(jing)圓(yuan)上(shang)的(de)凸(tu)點(dian)布(bu)局(ju)則(ze)是(shi)有(you)助(zhu)於(yu)晶(jing)圓(yuan)正(zheng)麵(mian)的(de)芯(xin)片(pian)堆(dui)疊(die)。在(zai)晶(jing)圓(yuan)正(zheng)麵(mian)形(xing)成(cheng)凸(tu)點(dian)後(hou)

，應(ying)減(jian)薄(bo)晶(jing)圓(yuan)

，同(tong)時(shi)也(ye)需(xu)在(zai)晶(jing)圓(yuan)背(bei)麵(mian)形(xing)成(cheng)凸(tu)點(dian)。然(ran)而(er)，正(zheng)如(ru)前(qian)文(wen)在(zai)介(jie)紹(shao)背(bei)麵(mian)研(yan)磨(mo)工(gong)藝(yi)時(shi)所(suo)述(shu)，需(xu)注(zhu)意(yi)在(zai)減(jian)薄(bo)過(guo)程(cheng)中(zhong)導(dao)致(zhi)晶(jing)圓(yuan)彎(wan)曲(qu)。在(zai)傳(chuan)統(tong)封(feng)裝(zhuang)工(gong)藝(yi)中(zhong)，進(jin)行(xing)減(jian)薄(bo)之(zhi)前(qian)，可(ke)將(jiang)晶(jing)圓(yuan)貼(tie)附(fu)到(dao)貼(tie)片(pian)環(huan)架(jia)上(shang)
，以(yi)防(fang)止(zhi)晶(jing)圓(yuan)彎(wan)曲(qu)
，但(dan)在(zai)矽(gui)通(tong)孔(kong)封(feng)裝(zhuang)工(gong)藝(yi)中(zhong)，由(you)於(yu)凸(tu)點(dian)形(xing)成(cheng)於(yu)晶(jing)圓(yuan)背(bei)麵(mian)，所(suo)以(yi)這(zhe)種(zhong)保(bao)護(hu)方(fang)法(fa)並(bing)不(bu)適(shi)用(yong)。為(wei)解(jie)決(jue)此(ci)問(wen)題(ti)，晶(jing)圓(yuan)承(cheng)載(zai)係(xi)統(tong)（Wafer Support System）應ying運yun而er生sheng。利li用yong晶jing圓yuan承cheng載zai係xi統tong，可ke借jie助zhu臨lin時shi粘zhan合he劑ji將jiang帶dai有you凸tu點dian的de晶jing圓yuan正zheng麵mian貼tie附fu於yu晶jing圓yuan載zai片pian上shang
，同tong時shi對dui晶jing圓yuan背bei麵mian進jin行xing減jian薄bo處chu理li。此ci時shi晶jing圓yuan貼tie附fu於yu晶jing圓yuan載zai片pian上shang，即ji使shi經jing過guo減jian薄bo也ye不bu會hui發fa生sheng彎wan曲qu。

此ci外wai
，因yin晶jing圓yuan載zai片pian與yu晶jing圓yuan形xing式shi相xiang同tong，因yin此ci也ye可ke使shi用yong晶jing圓yuan設she備bei對dui其qi進jin行xing加jia工gong。基ji於yu此ci原yuan理li，可ke在zai核he心xin晶jing圓yuan的de背bei麵mian製zhi作zuo凸tu點dian，當dang核he心xin晶jing圓yuan正zheng麵mian及ji背bei麵mian上shang的de凸tu點dian均jun製zhi作zuo完wan成cheng時shi，便bian可ke對dui載zai片pian進jin行xing脫tuo粘zhan。隨sui後hou將jiang晶jing圓yuan貼tie附fu於yu貼tie片pian環huan架jia中zhong，並bing參can照zhao傳chuan統tong封feng裝zhuang工gong藝yi，對dui晶jing圓yuan進jin行xing切qie割ge。基ji礎chu晶jing圓yuan始shi終zhong貼tie附fu於yu晶jing圓yuan載zai片pian上shang，從cong核he心xin晶jing圓yuan上shang切qie割ge下xia來lai的de芯xin片pian則ze堆dui疊die於yu基ji礎chu晶jing圓yuan之zhi上shang。芯xin片pian堆dui疊die完wan成cheng後hou，再zai對dui基ji礎chu晶jing圓yuan進jin行xing模mo塑su，而er後hou進jin行xing晶jing圓yuan載zai片pian脫tuo粘zhan。至zhi此ci，基ji礎chu晶jing圓yuan就jiu變bian成cheng了le堆dui疊die有you核he心xin晶jing圓yuan的de模mo製zhi晶jing圓yuan。隨sui後hou對dui晶jing圓yuan進jin行xing研yan磨mo，使shi其qi厚hou度du達da到dao製zhi作zuo2.5D封裝體所需標準
，然後再將其切割成獨立的芯片單元，以製作KGSD。HBM成品包裝後將運送至製作2.5D封裝體的客戶手中。

晶圓承載係統工藝

晶圓承載係統是指針對晶圓背麵減薄進行進一步加工的係統
，該工藝一般在背麵研磨前使用。晶圓承載係統工序涉及兩個步驟：首先是載片鍵合
，需將被用於矽通孔封裝的晶圓貼附於載片上
；其次是載片脫粘，即在如晶圓背麵凸點製作等流程完工後，將載片分離。

圖7展示了晶圓承載係統的工藝步驟。首先在晶圓表麵塗覆臨時粘合劑
，使其貼附於載片上；待晶圓背麵的加工工序完成後，即可對載片進行脫粘，並去除殘留粘合劑，以確保晶圓表麵清潔。

圖7：晶圓承載係統工序

進行載片鍵合時，需要注意幾個因素：首先
，載片鍵合後的晶圓整體厚度應均勻一致

；其次
，鍵合麵不應存在空隙，兩片晶圓對齊應準確無誤；此外還應確保晶圓邊緣不受到粘合劑汙染，且在處理過程中應盡量避免晶圓發生彎曲。在載片脫粘過程中，還應注意：避免晶圓脫離載片後發生損壞，如邊緣剝落（Chipping）7或出現裂紋等
；避免粘合劑殘留；避免凸點變形。

zaijiyujingyuanchengzaixitongdefengzhuanggongyizhong，zaipiantuozhanshiyigexiangduifuzaqiezhongyaodegongxu。yinci
，yejieyijingtichubingyanfaduozhongtuozhanfangfa，bingzhenduimeiyizhongtuozhanfangfakaifachuxiangyingdelinshizhanheji。dianxingdetuozhanfangfabaokuorejishu、激光燒蝕（Laser Ablation）後剝離、化學溶解、機器剝離後化學清洗等。

7邊緣剝落（Chipping）：芯片或晶圓邊角損壞。

晶圓邊緣切筋工藝

圖8：未切筋（上圖）與切筋後（下圖）的晶圓邊緣對比圖

如圖8上(shang)半(ban)部(bu)分(fen)紅(hong)圈(quan)內(nei)區(qu)域(yu)所(suo)示(shi)，將(jiang)采(cai)用(yong)矽(gui)通(tong)孔(kong)工(gong)藝(yi)封(feng)裝(zhuang)的(de)晶(jing)圓(yuan)鍵(jian)合(he)到(dao)晶(jing)圓(yuan)載(zai)片(pian)上(shang)，經(jing)過(guo)背(bei)麵(mian)研(yan)磨(mo)後(hou)
，其(qi)邊(bian)緣(yuan)會(hui)變(bian)得(de)較(jiao)為(wei)尖(jian)銳(rui)。此(ci)種(zhong)狀(zhuang)態(tai)下(xia)，晶(jing)圓(yuan)後(hou)續(xu)還(hai)將(jiang)經(jing)曆(li)光(guang)刻(ke)

、金屬薄膜製備、電dian鍍du以yi在zai背bei麵mian製zhi作zuo凸tu點dian等deng工gong序xu

，這zhe些xie工gong序xu會hui增zeng加jia晶jing圓yuan邊bian緣yuan剝bo落luo的de風feng險xian。邊bian緣yuan裂lie紋wen可ke能neng會hui延yan伸shen至zhi晶jing圓yuan內nei部bu，進jin而er導dao致zhi後hou續xu工gong序xu無wu法fa進jin行xing，最zui終zhong造zao成cheng嚴yan重zhong的de良liang品pin損sun失shi。為wei避bi免mian此ci問wen題ti
，對dui於yu采cai用yong矽gui通tong孔kong工gong藝yi封feng裝zhuang的de晶jing圓yuan，在zai其qi進jin行xing載zai片pian鍵jian合he前qian
，應ying先xian對dui晶jing圓yuan正zheng麵mian邊bian緣yuan進jin行xing切qie筋jin並bing去qu除chu修xiu剪jian部bu分fen。如ru圖tu8下(xia)半(ban)部(bu)分(fen)區(qu)域(yu)所(suo)示(shi)，將(jiang)切(qie)筋(jin)後(hou)的(de)晶(jing)圓(yuan)貼(tie)附(fu)於(yu)晶(jing)圓(yuan)載(zai)片(pian)並(bing)對(dui)其(qi)進(jin)行(xing)背(bei)麵(mian)研(yan)磨(mo)時(shi)
，鋒(feng)利(li)而(er)凸(tu)起(qi)的(de)邊(bian)緣(yuan)已(yi)消(xiao)失(shi)。因(yin)此(ci)
，在(zai)後(hou)續(xu)工(gong)序(xu)中(zhong)
，晶(jing)圓(yuan)邊(bian)緣(yuan)剝(bo)落(luo)的(de)風(feng)險(xian)也(ye)被(bei)消(xiao)除(chu)。在(zai)切(qie)筋(jin)過(guo)程(cheng)中(zhong)，旋(xuan)轉(zhuan)的(de)晶(jing)圓(yuan)切(qie)割(ge)刀(dao)片(pian)穿(chuan)過(guo)晶(jing)圓(yuan)邊(bian)緣(yuan)，將(jiang)指(zhi)定(ding)的(de)邊(bian)緣(yuan)區(qu)域(yu)切(qie)除(chu)。

堆疊工藝

矽通孔封裝工藝中，在晶圓正麵和背麵形成的凸點均用於鍵合
，以便堆疊。同樣地，在倒片鍵合時，批量回流焊（Mass Reflow）工藝8和熱壓縮（Thermocompression）工藝9也用於鍵合。根據堆疊方式的不同，堆疊工藝可分為芯片與芯片（Chip-to-Chip）堆疊
、芯片與晶圓（Chip-to-Wafer）堆疊、晶圓與晶圓（Wafer-to-Wafer）堆疊。

shiyongguitongkonggongyiduidiexinpianshi，xushiyongweixingtudian。yinci，tudianzhijiandejianjuhenxiao，duidiexinpianzhijiandejianjuyehenxiao，zhejiushiyikekaoxingzhuchengdereyasuogongyiyinbeiguangfanshiyongdeyuanyin。raner，reyasuogongyiyecunzaiquedian
，najiushihaoshichang，shengchanlvdi，yinweizaijianheguochengzhongbiranhuihaoshiqujiarejiaya。yincireyasuogongyizhujianbeipilianghuiliuhangongyiqudaidequshiriyimingxian。

8批量回流焊工藝（Mass Reflow）：jiangduogeqijiananchenlielianjiedaojibanshang，ranhouzaikaoxiangdengzhongyiqijiare，yironghuahanliaoshizhixingchenghuliandegongyi。yinyicixingchuliduogeqijian，suoyizaizhegeshuyuzhongshiyongle“批量”這一詞。

9熱壓縮工藝（Thermocompression）：對物體進行加熱和加壓處理，使其進行鍵合的一種工藝。

探索晶圓封裝工藝的其它範疇

zaicixiliezuijinliangpianwenzhangduichuantongfengzhuanggongyihejingyuanjifengzhuanggongyijinxingtansuohou，benxiliexiayipianwenzhangjiangshenrutanjiugouchengzhexiefengzhuangtidegezhongzujianyuancailiao。zhideguanzhudeshi，xiapianwenzhanghaijiangjieshaozhexiexiaoxingcailiaodeduyoutexing，bingfenxitamenduibandaotichanpinxingnengdeyingxiang。

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