【導讀】mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的
，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的
，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的
，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

mos管定義

雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大後，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等於它的transconductance
， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市麵上常有的一般為N溝道和P溝道
，詳情參考右側圖片（N溝道耗盡型MOS管）。而P溝道常見的為低壓mos管。

N溝道mos管符號

場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。普通的FET用一薄層二氧化矽來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體（MOS）晶體管
，或，金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。

P溝道mos管符號

MOS管被擊穿的原因及解決方案如下：



、MOS管本身的輸入電阻很高
，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。雖然ＭＯＳ輸(shu)入(ru)端(duan)有(you)抗(kang)靜(jing)電(dian)的(de)保(bao)護(hu)措(cuo)施(shi)，但(dan)仍(reng)需(xu)小(xiao)心(xin)對(dui)待(dai)，在(zai)存(cun)儲(chu)和(he)運(yun)輸(shu)中(zhong)用(yong)金(jin)屬(shu)容(rong)器(qi)或(huo)者(zhe)導(dao)電(dian)材(cai)料(liao)包(bao)裝(zhuang)，不(bu)要(yao)放(fang)在(zai)易(yi)產(chan)生(sheng)靜(jing)電(dian)高(gao)壓(ya)的(de)化(hua)工(gong)材(cai)料(liao)或(huo)化(hua)纖(xian)織(zhi)物(wu)中(zhong)。組(zu)裝(zhuang)、調試時，工具、儀表、工作台等均應良好接地。要防止操作人員的靜電幹擾造成的損壞，如不宜穿尼龍
、化纖衣服，手或工具在接觸集成塊前先接一下地。對器件引線矯直彎曲或人工焊接時
，使用的設備必須良好接地。

第二、ＭＯＳ電路輸入端的保護二極管，其導通時電流容限一般為１ｍＡ 在可能出現過大瞬態輸入電流（超過１０ｍＡ）時，應串接輸入保護電阻。而129#在初期設計時沒有加入保護電阻，所以這也是MOS管可能擊穿的原因，而通過更換一個內部有保護電阻的MOSguanyingkefangzhicizhongshixiaodefasheng。haiyouyouyubaohudianluxishoudeshunjiannengliangyouxian，taidadeshunjianxinhaoheguogaodejingdiandianyajiangshibaohudianlushiquzuoyong。suoyihanjieshidianlaotiebixukekaojiedi，yifangloudianjichuanqijianshuruduan，yibanshiyongshi
，keduandianhouliyongdianlaotiedeyurejinxinghanjie，bingxianhanqijiediguanjiao。

靜電的基本物理特征為：有吸引或排斥的力量；有電場存在，與大地有電位差
；會產生放電電流。這三種情形會對電子元件造成以下影響：

1.元件吸附灰塵，改變線路間的阻抗，影響元件的功能和壽命。

2.因電場或電流破壞元件絕緣層和導體
，使元件不能工作（完全破壞）。

3.因瞬間的電場軟擊穿或電流產生過熱，使元件受傷，雖然仍能工作，但是壽命受損。

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