【導讀】熱插拔是指將電子設備插入帶電電源
；這可能會損壞相關電子設備。電容性負載可能會產生較大的負載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外
，電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰，從而進一步損壞電子設備。

熱插拔是指將電子設備插入帶電電源；這可能會損壞相關電子設備。電容性負載可能會產生較大的負載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外
，電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰
，從而進一步損壞電子設備。

簡介

熱插拔是指將電子設備插入帶電電源
；這可能會損壞相關電子設備。電容性負載可能會產生較大的負載電流，從而給電源
、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰
，從而進一步損壞電子設備。

熱(re)插(cha)拔(ba)電(dian)路(lu)用(yong)於(yu)通(tong)過(guo)偏(pian)置(zhi)傳(chuan)輸(shu)晶(jing)體(ti)管(guan)的(de)柵(zha)極(ji)來(lai)限(xian)製(zhi)浪(lang)湧(yong)電(dian)流(liu)，從(cong)而(er)允(yun)許(xu)電(dian)子(zi)設(she)備(bei)以(yi)受(shou)控(kong)方(fang)式(shi)插(cha)入(ru)帶(dai)電(dian)電(dian)源(yuan)。強(qiang)大(da)的(de)熱(re)插(cha)拔(ba)設(she)計(ji)將(jiang)控(kong)製(zhi)浪(lang)湧(yong)電(dian)流(liu)和(he) dv/dt，從而維持 MOSFET 的安全工作條件。

德州儀器 (TI) 提供多種熱插拔控製器，使熱插拔應用的設計變得簡單。該控製器限製流過 MOSFET 的電流、功耗，並且可以限製 dv/dt。LM5066I 就是一個例子。LM5066I 的應用原理圖如下所示。

通過傳輸晶體管的電流由 RSNS 設置。應注意將開爾文連接到 RSNS 以獲得準確的電壓讀數。 MOSFET 功耗由 RPWR 設置。電流由一個受監控的電阻器設置。可以使用 CTIMER 設置故障計時器來限製時間量。dv/dt 控製可通過可選的 RCDQ 電路進行設置。

係統設計人員在計算電流、功耗、故障定時器和 dv/dt 時，應參考 MOSFET 數據表中的安全工作區域曲線。下麵以 CSD17570Q5B（一款針對熱插拔應用進行優化的 TI MOSFET）的安全工作區域曲線為例。

選擇 MOSFET 的關鍵參數

選擇熱插拔應用的晶體管是設計可靠電路的關鍵步驟。在熱插拔設計中使用低 RDS(on) MOSFET 可降低 MOSFET 完全導通時的功耗和壓降。低 RDS(on) 在穩態運行期間相關，但在從完全關閉到完全開啟的過渡期間無關，此時 MOSFET 在線性區域運行。在線性區運行應參考運行曲線的安全區。良好的熱界麵和足夠的散熱非常重要，因為 MOSFET 在線性區域工作時會產生耗散。應使用針對熱插拔應用優化的 MOSFET。

適用於熱插拔應用的 Texas Instruments 功率 MOSFET

Texas Instruments 的 NexFET? 功率 MOSFET 係列針對熱插拔應用進行了優化。CSD17570Q5B 是 TI 的一款功率 30V MOSFET，針對熱插拔設計進行了優化。它的 RDS(on)=0.53mohm
，VGS=10V。在 25°C 下，將其放置在 1 平方英寸的銅上時
，可耗散 3.2W 的功率。它采用 SON 封裝

，尺寸為 5 毫米 x 6 毫米。

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