【導讀】繼英飛淩1200V IGBT7 T7芯片在中小功率模塊產品相繼量產並取得客戶認可後，英飛淩最新推出了適用於大功率應用場景的1200V IGBT7 P7芯片
，並將其應用在PrimePACK™模塊中，再次刷新了該封裝的功率密度上限。

繼英飛淩1200V IGBT7 T7芯片在中小功率模塊產品相繼量產並取得客戶認可後，英飛淩最新推出了適用於大功率應用場景的1200V IGBT7 P7芯片

，並將其應用在PrimePACK™模塊中

，再次刷新了該封裝的功率密度上限。

目標應用領域：

1200V P7模塊首發型號有以下兩個：

相比於以前的IGBT4或IGBT5產品，新的IGBT7產品進一步拓展了PrimePACK™封裝電流等級，而且極大地提升了模塊的功率密度，從下表就可以直觀看出。

以IGBT7 1600A PrimePACK™ 2封裝為例
，相對於IGBT4的同封裝裏最大的900A模塊，其電流密度提升達到77%
，而即使相對於IGBT4的PrimePACK™ 3封裝裏電流最大的1400A模塊
，其電流密度也提升了14%。

因此，采用新的IGBT7 P7 PrimePACK™模塊，可以帶來以下三點優勢：

• 同封裝替換IGBT4模塊
  ，實現係統輸出更大的電流（或功率）
  
  ；

• 以小的PP2封裝替換大的PP3封裝，實現更緊湊的係統設計；

• 對於多模塊並聯的應用場景
  ，減小並聯模塊的數量。

另外，模塊內采用了最新的1200V TRENCHSTOP™ IGBT7大功率P7芯片
，和上一代的P4芯片相比

，P7芯片有以下突出特性：

• 與IGBT4的P4相比
  
  ，P7芯片的Vcesat@Icnom降低了0.75V
  
  ，降幅達35%，非常適合於大功率模塊的低頻應用場合
  ；

• 短時過載的最高運行結溫Tvjop 可達175℃，過載時長t≤1分鍾且占空比D≤20%；

• 通過調整門級電阻Rg，可以很好的控製IGBT開關時的dv/dt

下麵我們以FF1600R12IP7為例，通過與IGBT4的對應模塊在規格書參數及實際工況下仿真結果的對比，來看其實際性能表現。

首先，規格書關鍵參數對比結果如下
，可以看出新模塊的Vcesat和Vf降幅都非常大。比如FF1600R12IP7在1400A電流下的飽和壓降Vcesat，僅有1.31V
，比上一代FF1400R12IP4的2.15V，降低了0.84V
，而二極管正向壓降VF也降低了0.28V。

其次，我們基於如下的通用變頻器典型工況
，對上述三個器件型號在同一工況下仿真其最大輸出電流能力及損耗，得到如下結果：

仿真工況：

仿真結果之最大輸出電流能力對比：

從以上結果可以看出
，在開關頻率fsw=1~2.5kHz的範圍內，新的FF1600R12IP7雖然是PP2的小封裝
，但其輸出電流能力可以與上一代采用PP3封裝的FF1400R12IP4相媲美，或者能輸出更大的電流，且開關頻率越低FF1600R12IP7的優勢越明顯。

總之
，搭載1200V IGBT7 P7芯片的PrimePACK™模塊，“小身材大能量”，相比P4模mo塊kuai，相xiang同tong封feng裝zhuang額e定ding電dian流liu大da幅fu提ti升sheng
，極ji大da拓tuo展zhan了le功gong率lv密mi度du，甚shen至zhi可ke以yi用yong單dan個ge模mo塊kuai替ti代dai之zhi前qian需xu要yao兩liang個ge或huo三san個ge模mo塊kuai並bing聯lian的de應ying用yong場chang合he
，解jie決jue並bing聯lian不bu易yi均jun流liu的de設she計ji煩fan惱nao，使shi係xi統tong設she計ji更geng加jia緊jin湊cou，縮suo短duan產chan品pin上shang市shi時shi間jian，為wei您nin的de係xi統tong設she計ji提ti供gong更geng優you的de方fang案an選xuan擇ze。

(作者：周利偉，來源： 英飛淩工業半導體微信公眾號)

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