【導讀】如今，圖形處理單元 (GPU) 具有數百億個晶體管。隨著每一代新一代 GPU 的出現，GPU 中(zhong)的(de)晶(jing)體(ti)管(guan)數(shu)量(liang)不(bu)斷(duan)增(zeng)加(jia)


，以(yi)提(ti)高(gao)處(chu)理(li)器(qi)性(xing)能(neng)。然(ran)而(er)，晶(jing)體(ti)管(guan)數(shu)量(liang)的(de)增(zeng)加(jia)也(ye)導(dao)致(zhi)功(gong)率(lv)需(xu)求(qiu)呈(cheng)指(zhi)數(shu)增(zeng)長(chang)，這(zhe)使(shi)得(de)滿(man)足(zu)瞬(shun)態(tai)響(xiang)應(ying)規(gui)範(fan)變(bian)得(de)更(geng)加(jia)困(kun)難(nan)。

如今，圖形處理單元 (GPU) 具有數百億個晶體管。隨著每一代新一代 GPU 的出現，GPU 中(zhong)的(de)晶(jing)體(ti)管(guan)數(shu)量(liang)不(bu)斷(duan)增(zeng)加(jia)，以(yi)提(ti)高(gao)處(chu)理(li)器(qi)性(xing)能(neng)。然(ran)而(er)
，晶(jing)體(ti)管(guan)數(shu)量(liang)的(de)增(zeng)加(jia)也(ye)導(dao)致(zhi)功(gong)率(lv)需(xu)求(qiu)呈(cheng)指(zhi)數(shu)增(zeng)長(chang)
，這(zhe)使(shi)得(de)滿(man)足(zu)瞬(shun)態(tai)響(xiang)應(ying)規(gui)範(fan)變(bian)得(de)更(geng)加(jia)困(kun)難(nan)。

本文演示了如何使用SIMPLIS Technologies 的SIMPLIS模擬器來預測和優化下一代 GPU 的電源行為，其中高轉換率要求和超過 1,000 A 的電流水平需要更快的瞬態響應。

恒定導通時間 (COT) 控製

多相降壓轉換器的恒定導通時間 (COT) 架構用高速比較器取代了補償網絡中的誤差放大器 (EA)。輸出電壓 (V OUT ) 通過反饋電阻器檢測，並與參考電壓 (V REF ) 進行比較。當 V OUT降至低於 V REF時，高側 MOSFET (HS-FET) 導通。MOSFET dedaotongshijianshigudingde，zheyiweizhezhuanhuanqikeyizaiwendingzhuangtaixiashixianhengdingpinlv。ruguocunzaifuzaijieyueshunbian

，zhuanhuanqihaikeyixianzhetigaoqimaichonglv，yixiandudijianshaoshuchuxiachong。raner
，zaizhezhongqingkuangxia，feixianxinghuanlukongzhihuishihuanlutiaozhengfuzahua。

圖 1顯示了用於快速瞬態響應的 COT 控製。

圖 1 COT 控製實現快速瞬態響應。資料：單片電源係統

必須對轉換器的行為和供電網絡 (PDN) 進行準確建模，以仿真瞬態降壓性能並驗證各種基於 GPU 的係統
，而無需經曆漫長
、昂貴的迭代過程。

供電網絡 (PDN)

PDN 由連接到電壓和接地軌的組件組成
，包括電源和接地平麵布局、用於電源穩定性的去耦電容器
，以及連接或耦合到主電源軌的任何其他銅特性。PDN 設計的主要目標是化電壓波動並確保 GPU 正常運行。

圖 2顯示了典型 GPU 供電網絡的 PDN 架構。

圖 2典型 GPU 供電網絡的 PDN 架構包括連接到電壓和接地軌的組件。資料：單片電源係統

PDN 中的組件顯示寄生行為
，例如電容器的等效串聯電感 (ESL) 和等效串聯電阻 (ESR)。在對係統響應進行建模時，還必須考慮這些寄生元件。增加轉換速率會產生更強大的高頻諧波。PDN 的電阻器、電感器
、電容器 (RLC) 組件會產生設計人員可能沒有意識到的諧振回路，其諧振頻率會放大轉換器開關產生的高頻諧波，從而導致意外的轉換器行為。

表 1顯示了人工智能 (AI) 應用的典型電源軌要求。

表 1上麵的數字突出顯示了電源軌的設計規範。資料：單片電源係統

此分析是使用評估板執行的，該評估板結合了16 相數字控製器MP2891和130 A
、兩相、非隔離式降壓電源模塊MPC22163-130 。評估板可達 2,000 A（圖 3）。

圖3評估板結合了數字控製器和降壓電源模塊。資料：單片電源係統

PCB建模

電源和接地多邊形形狀的複雜性和多層堆疊使得很難從布局中手動計算電阻和電感。相反，PCB 的散射參數（S 參數）可以使用 Cadence Sigrity PowerSI 提取
，頻率範圍為 0 MHz 至 700 MHz。端口定義如下： 端口 1 包括頂部的垂直模塊；端口 2 包括底部的垂直 MPC22163-130 模塊；端口 3 包括電容器連接；端口 4 包括與負載的連接。

圖 4提取 PCB 的 S 參數需要特定的端口配置。資料：單片電源係統

為電容器連接分配特殊端口很重要，因為它們在緩解來自 GPU 的快速瞬變方麵的有效性取決於數量和位置。不同的電容器位置會影響 PCB 的 S 參can數shu
，無wu效xiao的de定ding位wei會hui導dao致zhi瞬shun態tai緩huan解jie效xiao果guo不bu佳jia和he功gong率lv效xiao率lv低di下xia。通tong常chang
，建jian議yi將jiang電dian容rong器qi排pai成cheng一yi排pai，以yi盡jin量liang減jian少shao路lu徑jing長chang度du的de差cha異yi，並bing根gen據ju滿man足zu目mu標biao阻zu抗kang規gui格ge所suo需xu的de諧xie振zhen頻pin率lv來lai選xuan擇ze電dian容rong。

此 PDN 板設計中使用了兩種不同的電容器類型：大容量電容器和 MLCC 電容器。電壓
、額e定ding溫wen度du和he結jie構gou材cai料liao等deng參can數shu會hui影ying響xiang電dian容rong器qi有you效xiao濾lv波bo的de頻pin率lv。因yin此ci，為wei了le優you化hua設she計ji
，設she計ji人ren員yuan必bi須xu在zai仿fang真zhen中zhong使shi用yong集ji總zong電dian容rong模mo型xing來lai考kao慮lv電dian容rong器qi的de阻zu抗kang曲qu線xian（見圖5）。

圖 5等效大容量電容器模型和頻率響應評估電容器的阻抗曲線。資料：單片電源係統

集總電容模型中的C BYPASS、ESL 和 ESR 定義了電容器阻抗的頻率響應。諧振頻率 (f O )，或阻抗點

，可以用公式 (1) 確定：

fo = 1/2π√L×C (1)

這些電容器的主要目的是在承受穩壓器模塊 (VRM) 效率低下的高頻時保持低阻抗。出現這種低效率是因為 VRM 的有效帶寬和相位裕度處於低頻 (<1MHz)。因此，電容器必須濾除頻率在 VRM 帶寬之外的信號，通常範圍在幾百 kHz 到幾 MHz 之間，這會影響 PDN 的操作。

圖 6顯示了典型的 PDN 阻抗曲線
，可分為三個區域：低頻（0 MHz 至 1 MHz）
、中頻（1 MHz 至 100 MHz）和高頻（100 MHz 以上）。這種相關性隻考慮了處於低頻到中頻範圍內的 VRM 和主板，瞬態負載施加在球柵陣列 (BGA) 連接器上。

圖 6 PDN 阻抗曲線顯示了三個不同的頻率範圍。資料：單片電源係統

時域仿真與關聯

瞬態仿真是使用 SIMPLIS 仿真器進行的
，SIMPLIS 仿真器是一種開關電源係統電路仿真軟件，可實現 COT 控製等非線性功能。MP2891 數字控製器的 SIMPLIS 模型結合了 MPC22163-130 降壓模塊和之前提取的 PCB 的 S 參數。在將 S 參數用於 SIMPLIS 模擬器進行瞬態分析之前，必須使用 Dassault Systems 的 IdEM 將 S 參數轉換為 RLGC 模型。

圖 7顯示了 MP2891 和 MPC22163-130 的 SIMPLIS 模型，其中 S 參數作為串聯電感器（L9 和 L3）和電阻器（R1 和 R2）添加到原理圖中。

圖 7 SIMPLIS 模型對 MP2891 和 MPC22163-130 進行瞬態仿真。資料：單片電源係統

SIMPLIS 仿真將 MP2891 數字控製器的非線性與準確的功率傳輸建模相結合
，能夠準確預測主板上的瞬態行為。圖 8顯示了 SIMPLIS 仿真和實驗室測量的比較，其中差異僅為 5 mV。

圖 8 SIMPLIS 仿真和實驗室測量之間隻有 5 mV 的差異。資料：單片電源係統

為什麼要進行瞬態仿真？

benwenzaipinggubanshangshiyongduoxiangkongzhiqiheliangxiangfeigelishigaoxiaojiangyadianyuanmokuaiduiyuceshuntaifangzhenjinxingjianmo。dezhuanhuanqimoxinghegongdianwangluocanshuyunxuzhunqueyuceduoxiangjiangyazhuanhuanqidexingneng、瞬態下垂和過衝。

因(yin)此(ci)
，可(ke)以(yi)通(tong)過(guo)減(jian)少(shao)輸(shu)出(chu)電(dian)容(rong)器(qi)的(de)數(shu)量(liang)並(bing)確(que)定(ding)其(qi)有(you)效(xiao)位(wei)置(zhi)來(lai)在(zai)早(zao)期(qi)階(jie)段(duan)優(you)化(hua)處(chu)理(li)器(qi)設(she)計(ji)。此(ci)外(wai)
，如(ru)果(guo)設(she)計(ji)規(gui)範(fan)發(fa)生(sheng)變(bian)化(hua)
，準(zhun)確(que)的(de)模(mo)擬(ni)可(ke)以(yi)快(kuai)速(su)評(ping)估(gu)這(zhe)些(xie)變(bian)化(hua)的(de)影(ying)響(xiang)
，並(bing)識(shi)別(bie)任(ren)何(he)潛(qian)在(zai)問(wen)題(ti)。

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