【導讀】碳化矽 (SiC) 是一種由矽 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物，屬於寬帶隙 (WBG) 材料係列。它的物理結合力非常強
，使半導體具有很高的機械
、化學和熱穩定性。寬帶隙和高熱穩定性允許 SiC器件在高於矽的結溫下使用

，甚至超過 200°C。碳化矽在功率應用中的主要優勢是其低漂移區電阻，這是高壓功率器件的關鍵因素。

一、前言

碳化矽 (SiC) 是一種由矽 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物，屬於寬帶隙 (WBG) 材料係列。它的物理結合力非常強，使半導體具有很高的機械、化學和熱穩定性。寬帶隙和高熱穩定性允許 SiC器件在高於矽的結溫下使用
，甚至超過 200°C。碳化矽在功率應用中的主要優勢是其低漂移區電阻
，這是高壓功率器件的關鍵因素。

二、碳化矽產品特點

碳化矽(SiC)具有寬禁帶(Si的3倍)、高熱導率(Si的3.3倍)

、高的臨界擊穿電場(Si的10倍)
、高飽和電子遷移率(Si的2.5倍)以及高健合能等優點，這就使得碳化矽材料可以很好地適用於高性能(高頻、高溫、高功率、抗輻射)電子器件。高的熱導率有利於大功率器件的熱耗散和高密度集成
，高的載流子飽和遷移速率可以使之應用於高速開關器件；高的臨界位移能使碳化矽器件的抗輻射性能優於Si器件。

主要性能：

極小的反向恢複電荷可降低開關損耗；

出色的熱管理可降低冷卻要求；

Vce(sat)正溫度係數易並聯
；

低VF
，高浪湧電流耐量；

符合軍工民用考核標準：GJB 7400-2011，器件參數一致性較好;

三
、碳化矽在光伏逆變器的應用

碳化矽(SiC)是(shi)一(yi)種(zhong)非(fei)常(chang)適(shi)合(he)電(dian)力(li)應(ying)用(yong)的(de)半(ban)導(dao)體(ti)，這(zhe)主(zhu)要(yao)歸(gui)功(gong)於(yu)它(ta)能(neng)夠(gou)承(cheng)受(shou)高(gao)電(dian)壓(ya)，比(bi)矽(gui)可(ke)使(shi)用(yong)的(de)電(dian)壓(ya)高(gao)十(shi)倍(bei)。基(ji)於(yu)碳(tan)化(hua)矽(gui)的(de)半(ban)導(dao)體(ti)具(ju)有(you)更(geng)高(gao)的(de)熱(re)導(dao)率(lv)、更高的電子遷移率和更低的功率損耗；從而碳化矽(SiC)二(er)極(ji)管(guan)已(yi)經(jing)進(jin)入(ru)迅(xun)速(su)擴(kuo)張(zhang)的(de)太(tai)陽(yang)能(neng)逆(ni)變(bian)器(qi)市(shi)場(chang)，尤(you)其(qi)是(shi)在(zai)歐(ou)洲(zhou)已(yi)經(jing)意(yi)識(shi)到(dao)了(le)太(tai)陽(yang)能(neng)的(de)優(you)點(dian)，正(zheng)在(zai)推(tui)動(dong)商(shang)業(ye)和(he)個(ge)人(ren)使(shi)用(yong)太(tai)陽(yang)能(neng)，將(jiang)太(tai)陽(yang)光(guang)輻(fu)射(she)能(neng)直(zhi)接(jie)轉(zhuan)換(huan)為(wei)電(dian)能(neng)的(de)一(yi)種(zhong)新(xin)型(xing)發(fa)電(dian)係(xi)統(tong)，為(wei)了(le)最(zui)大(da)限(xian)度(du)利(li)用(yong)太(tai)陽(yang)能(neng)，用(yong)碳(tan)化(hua)矽(gui)二(er)極(ji)管(guan)的(de)光(guang)伏(fu)逆(ni)變(bian)器(qi)更(geng)加(jia)具(ju)有(you)較(jiao)高(gao)的(de)效(xiao)率(lv)和(he)可(ke)靠(kao)性(xing)。

四
、光伏逆變器的拓撲線路

五、瑞森半導體碳化矽二極管產品推薦

（來源：RS瑞森半導體）

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