DDR5插槽連接器助力下一代技術
發布時間:2019-10-25 責任編輯:xueqi
【導讀】對於許多的數據中心運營商來說,降低功耗都是他們的首當要務,從而降低運營費用。雙數據速率 5內存,其官方簡稱為 DDR5,目標就是提供數據中心所需的增強性能以及功率管理功能,為400GE的網絡速度提供良好支持。
隨(sui)著(zhe)物(wu)聯(lian)網(wang)的(de)不(bu)斷(duan)發(fa)展(zhan),數(shu)以(yi)百(bai)萬(wan)計(ji)的(de)互(hu)聯(lian)網(wang)連(lian)接(jie)設(she)備(bei)應(ying)運(yun)而(er)生(sheng),因(yin)此(ci)數(shu)據(ju)中(zhong)心(xin)的(de)運(yun)營(ying)商(shang)都(dou)在(zai)致(zhi)力(li)於(yu)跟(gen)上(shang)數(shu)據(ju)傳(chuan)輸(shu)方(fang)麵(mian)的(de)要(yao)求(qiu)。他(ta)們(men)必(bi)須(xu)尋(xun)求(qiu)各(ge)種(zhong)方(fang)式(shi)來(lai)滿(man)足(zu)數(shu)據(ju)和(he)存(cun)儲(chu)上(shang)日(ri)新(xin)月(yue)異(yi)的(de)需(xu)求(qiu),同(tong)時(shi)確(que)保(bao)服(fu)務(wu)質(zhi)量(liang)、降低成本。
與上一代的 DRAM 技術相比,新型JEDEC DDR5在提升功率效率方麵進行了升級。根據計劃,DDR5將提供兩倍於 DDR4 的帶寬和密度,同時還改善了信道的效率。
這(zhe)些(xie)增(zeng)強(qiang)功(gong)能(neng)與(yu)針(zhen)對(dui)服(fu)務(wu)器(qi)和(he)客(ke)戶(hu)端(duan)平(ping)台(tai)而(er)提(ti)供(gong)的(de)更(geng)加(jia)易(yi)用(yong)的(de)接(jie)口(kou)結(jie)合(he)到(dao)一(yi)起(qi),將(jiang)在(zai)一(yi)係(xi)列(lie)廣(guang)泛(fan)的(de)應(ying)用(yong)中(zhong)實(shi)現(xian)極(ji)高(gao)的(de)性(xing)能(neng)並(bing)改(gai)進(jin)功(gong)率(lv)管(guan)理(li)。
1 從DDR4的轉變
與 DDR4 技術相比,DDR5 改善了性能並且提高了功率效率,因此,對緊湊而又穩健的 DIMM 插槽的需求比以往任何時候都要重要,以便為這種新技術提供支持。
莫仕的 DDR5 DIMM 插槽比 DDR4 時代的產品更加緊湊,縮小了整體尺寸與高度,此外還具有防屈曲功能,實現平穩的模塊插入並提供冠形的觸點,防止觸點斷裂。

DDR5 DIMM 插槽的帶寬和密度比DDR4 提升了一倍,可以提供 6.4 Gbps 的速度,高度降低後的底座麵可以節省更多的印刷電路板空間與縱向空間。隨著 DDR5 的推出,DDR4 和DDR5 的針數保持相同。
這兩種 DIMM 都含有 288 個插針。此外,DDR4和 DDR5 的螺距也相同。除了增加了速度以外,在整體尺寸和模塊卡的厚度上存在著一些區別。DDR5插槽連接器的尺寸要短於 DDR4。
對於模塊卡的厚度來說,DDR4 為 1.40+/-0.1 毫米,而DDR5 將厚度減少至1.27+/-0.1 毫米。至於底座麵,將從 DDR4 的最大2.4 毫米縮減為 DDR5 的 2.0 毫米最大值。
2 DDR5的主要設計考慮
當需要遷移到 DDR5 時,設計人員應當牢記幾個特定於插槽連接器的主要考慮因素。DDR5 插槽采用了鍵控功能來防止插入 DDR4 模塊,而且DDR4 模塊在 DDR5 中無法工作,反之亦然。
DDR5的確需要更高的速度。如果采用SMT 端接,那麼在工藝上可能會存在挑戰,與 TH 或PF 端接方式相比或許更難以加工。CTE與印刷電路板的不匹配會造成連接器的動態翹曲。
隨著自動模塊插入工藝的到來,使用一種穩健的DDR5 連接器就變得更加關鍵。莫仕的 DDR5 插槽在插鎖塔上配有一片金屬,改善了機械強度。
DDR5 采用的模塊卡更重一些,並且模塊重量可能會從 50 克增至65 克。因此,需要考慮采取良好的措施,以機械方式將連接器保持固定在印刷電路板上。
3 轉向 DDR5 插槽
在尋求推進到DDR5 的過程中,需要牢記幾個方麵。請考慮使用一種具有防斷裂觸點的連接器,可以實現穩健的配對接觸效果並確保電氣上的可靠性。
無wu鹵lu耐nai高gao溫wen的de尼ni龍long外wai殼ke可ke以yi支zhi持chi較jiao高gao的de回hui流liu溫wen度du,同tong時shi提ti供gong環huan境jing上shang的de可ke持chi續xu性xing。耐nai振zhen動dong耐nai衝chong擊ji焊han片pian在zai條tiao件jian苛ke刻ke的de操cao作zuo過guo程cheng中zhong可ke提ti供gong最zui優you的de性xing能neng以yi及ji牢lao固gu的de印yin刷shua電dian路lu板ban保bao持chi效xiao果guo。
ciwai,chacaoshangdejinshuqianjianzhichiyangedebisuocaozuo,tongshikeduichasuotajinxingqianghua。rentigongchengxueshejidewenjiandechasuozaibisuoguochengzhongyijimokuaikashifangshikegaishansicheliyijikangzhenxing。
為了解決插針壓碎的問題,可以尋求使用設計良好的端子與外殼。
對於 DDR5 上的其他考慮事項,動態翹曲可能是一個需要關切的問題。在加工方麵,與 TH 端接方式相比,SMT端接將更具挑戰性,並且更加困難。
必須妥善的控製裝配工藝,同時設計與外殼材料的選擇也極其重要。經優化的成型工藝可以降低外殼內積聚起的內部應力。
隨著數據中心內的速度不斷提升,DDR5將成為一個理想的選擇,為這種速度上的提升提供支持。DDR5 插槽的生產正在穩步增長,並且將在下一年保持這一增長勢頭。
莫仕提供種類廣泛的內存連接器,符合有關 DIMM(雙列直插內存模塊)和 SIMM(單列直插內存模塊)的JEDEC 行業標準要求,並且還為筆記本電腦、台式機、工作站、服務器、存儲及通信應用提供定製的內存模塊。
莫仕的內存儲器產品提供範圍從最老式的SIMM 直到最新型的 DDR5 在內的、一係列廣泛的技術平台。每一產品族都由眾多不同的選項組成,滿足客戶應用的各種需求。
來源:Molex連接器
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