晶體管的開關速度即由其開關時間來表征，開關時間越短，開關速度就越快。BJT的開關過程包含有開啟和關斷兩個過程
，相應地就有開啟時間ton和關斷時間toff，晶體管的總開關時間就是ton與toff之和。 

 

如何提高晶體管的開關速度？——可以從器件設計和使用技術兩個方麵來加以考慮。

 

（1）晶體管的開關時間：

 

晶體管的開關波形如圖1所示。其中開啟過程又分為延遲和上升兩個過程，關斷過程又分為存儲和下降兩個過程，則晶體管總的開關時間共有4個：延遲時間td，上升時間tr，存儲時間ts和下降時間tf；

 

ton=td+tr
，   toff=ts+tf

 

在不考慮晶體管的管殼電容、布線電容等所引起的附加電容的影響時，晶體管的開關時間就主要決定於其本身的結構、材料和使用條件。

 

 

 

① 延遲時間td ：

延遲時間主要是對發射結和集電結勢壘電容充電的時間常數。因此，減短延遲時間的主要措施，從器件設計來說
，有如：減小發射結和集電結的麵積（以減小勢壘電容）和減小基極反向偏壓的大小（以使得發射結能夠盡快能進入正偏而開啟晶體管）；而從晶體管使用來說
，可以增大輸入基極電流脈衝的幅度
，以加快對結電容的充電速度（但如果該基極電流太大，則將使晶體管在導通後的飽和深度增加，這反而又會增長存儲時間，所以需要適當選取）。

 

② 上升時間tr ：

上升導通時間是基區少子電荷積累到一定程度、導致晶體管達到臨界飽和（即使集電結0偏）時所需要的時間。因此，減短上升時間的主要措施，從器件設計來說有如：增長基區的少子壽命（以使少子積累加快）
，減小基區寬度和減小結麵積（以減小臨界飽和時的基區少子電荷量），以及提高晶體管的特征頻率fT（以在基區盡快建立起一定的少子濃度梯度
，使集電極電流達到飽和）；而從晶體管使用來說，可以增大基極輸入電流脈衝的幅度，以加快向基區注入少子的速度（但基極電流也不能過大，否則將使存儲時間延長）。

 

③ 存儲時間ts ：

存儲時間就是晶體管從過飽和狀態（集電結正偏的狀態）退出到臨界飽和狀態（集電結0偏的狀態）所需要的時間，也就是基區和集電區中的過量存儲電荷消失的時間；。而這些過量少子存儲電荷的消失主要是依靠複合作用來完成，所以從器件設計來說，減短存儲時間的主要措施有如：在集電區摻Au等來減短集電區的少子壽命（以減少集電區的過量存儲電荷和加速過量存儲電荷的消失
；但是基區少子壽命不能減得太短，否則會影響到電流放大係數），盡可能減小外延層厚度（以減少集電區的過量存儲電荷）。而從晶體管使用來說，減短存儲時間的主要措施有如：基極輸入電流脈衝的幅度不要過大（以避免晶體管飽和太深

，使得過量存儲電荷減少），增大基極抽取電流（以加快過量存儲電荷的消失速度）。

 

④ 下降時間tf ：

下(xia)降(jiang)時(shi)間(jian)的(de)過(guo)程(cheng)與(yu)上(shang)升(sheng)時(shi)間(jian)的(de)過(guo)程(cheng)恰(qia)巧(qiao)相(xiang)反(fan)，即(ji)是(shi)讓(rang)臨(lin)界(jie)飽(bao)和(he)時(shi)基(ji)區(qu)中(zhong)的(de)存(cun)儲(chu)電(dian)荷(he)逐(zhu)漸(jian)消(xiao)失(shi)的(de)一(yi)種(zhong)過(guo)程(cheng)。因(yin)此(ci)，為(wei)了(le)減(jian)短(duan)下(xia)降(jiang)時(shi)間(jian)
，就(jiu)應(ying)該(gai)減(jian)少(shao)存(cun)儲(chu)電(dian)荷(he)（減小結麵積
、減小基區寬度）和加大基極抽取電流。

 

總之，為了減短晶體管的開關時間、提高開關速度，除了在器件設計上加以考慮之外，在晶體管使用上也可以作如下的考慮：a）增大基極驅動電流
，可以減短延遲時間和上升時間，但使存儲時間有所增加
；b）增大基極抽取電流，可以減短存儲時間和下降時間。 

 

 

 

（2）晶體管的增速電容器：

在BJTcaiyongdianyaqudongshi，suiranjianxiaojijiwaijiedianzuhezengdajijifanxiangdianya，keyizengdachouqudianliu，zheduiyusuoduancunchushijianhexiajiangshijiandouyouyidingdehaochu。danshi，ruojijiwaijiedianzutaixiao，zehuizengdashurudianliumaichongdefudu，jiangshiqijiandebaohechengdujiashenerfanerdaozhicunchushijianyanchang；若(ruo)基(ji)極(ji)反(fan)向(xiang)電(dian)壓(ya)太(tai)大(da)，又(you)會(hui)使(shi)發(fa)射(she)結(jie)反(fan)偏(pian)嚴(yan)重(zhong)而(er)增(zeng)加(jia)延(yan)遲(chi)時(shi)間(jian)，所(suo)以(yi)需(xu)要(yao)全(quan)麵(mian)地(di)進(jin)行(xing)折(zhe)中(zhong)考(kao)慮(lv)。可(ke)以(yi)想(xiang)見(jian)，為(wei)了(le)通(tong)過(guo)增(zeng)大(da)基(ji)極(ji)驅(qu)動(dong)電(dian)流(liu)來(lai)減(jian)短(duan)延(yan)遲(chi)時(shi)間(jian)和(he)上(shang)升(sheng)時(shi)間(jian)的(de)同(tong)時(shi)
、又不要增長存儲時間和產生其它的副作用，理想的基極輸入電流波形應該是如圖2所示階梯波的形式，這樣的階梯波輸入即可克服上述矛盾，能夠達到提高開關速度的目的。

 

實際上，為了實現理想的基極電流波形，可以方便地采用如圖3所示的基極輸入回路（微分電路），圖中與基極電阻RB並聯的CB就jiu稱cheng為wei增zeng速su電dian容rong器qi。在zai基ji極ji輸shu入ru回hui路lu中zhong增zeng加jia一yi個ge增zeng速su電dian容rong器qi之zhi後hou
，雖sui然ran輸shu入ru的de電dian流liu波bo形xing仍reng然ran是shi方fang波bo

，但dan是shi通tong過guo增zeng速su電dian容rong器qi的de作zuo用yong之zhi後hou，所suo得de到dao的de實shi際ji基ji極ji輸shu入ru電dian流liu波bo形xing就jiu變bian得de很hen接jie近jin於yu理li想xiang的de基ji極ji電dian流liu波bo形xing了le，於yu是shi就jiu可ke以yi減jian短duan開kai關guan時shi間jian、提高開關速度。