隨著全球智能手機的迅速普及
，LTE網絡已逐漸商用化，而全球移動數據的使用也隨之飆升。據GSA移動行業分類數據顯示
，截至2015年3月
，全球LTE用戶數量比上一年猛增151%，達到6.35億。這一增長勢頭將持續下去
，到2020年
，LTE用戶數將達25億。

 

為了在5G到來之前滿足大幅提高容量的迫切需求
，運營商已經開始盡力擴大4G網絡的容量而不重新設計基礎設施架構。他們關注的焦點是那些能使他們從現有LTE頻譜分配中獲取更多容量的技術
，以減小購買高昂的額外頻譜的必要性。

 

運營商目前瞄準了多種關鍵容量和性能升級技術。短期計劃以載波聚合(CA)為中心

，這是LTEAdvanced標準的一個特性。中期增強技術包括被稱為4.5G、4G+或pre-5G的多種增強技術
，其中包括高階(最多64X)多用戶多輸入多輸出(MU-MIMO)技術、更高階調製以及免執照5GHz頻譜的使用等。

 

這些短期和中期擴容技術以及最終的5G網絡將要求采用能提供更高功率輸出和功效且支持寬帶運行和高頻頻段的基站功率放大器 (PA)。

 

 

曆史上來看

，基站功率放大器主要采用基於矽的橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術。然而，越來越苛刻的要求逐漸暴露出LDMOS的局限性，並導致眾多供應商在高功率基站功率放大器技術方麵轉向了氮化镓(GaN)。例如，功率輸出要求每年都在提高；對基站功率放大器的要求從一年前的30W-40W增至今年的60W，而新一代基站的要求可能達100W或以上。當前和規劃的擴容需求也需要能支持更高頻率的寬帶功率放大器。LDMOS即使在較低射頻頻率下也存在帶寬限製，LDMOS功率放大器的帶寬會隨著頻率的增加而大幅減少。雖然LDMOS僅在不超過約3.5GHz的頻率範圍內有效，但GaN功率放大器已經能處理50GHz或以上的毫米波頻率。另外，GaN功率放大器支持更高的帶寬

，即使在較高的頻率也是如此。

 

 

如今存在的兩種主要GaN技術為碳化矽GaN(SiC)和矽GaN(Si)。GaN on Si的優勢在於基板成本低
，可以在矽代工廠生產，擁有相應的規模經濟優勢。但GaN on SiC支持高得多的功率密度，支持更高的功率輸出。這是因為SiC具有更優秀的導熱率：大約比Si高三倍。GaN on SiC功率密度約為5W/mm，約7倍於LDMOS的功率密度。因此
，GaN on SiC功率放大器能以相同的尺寸提供大約兩倍的功率輸出。結果，GaN on SiC已經成為高功率射頻應用的首選技術。

 

GaN on SiC功率放大器的優勢直接關係到運營商關注的三大問題，即所謂的三C問題：容量、覆蓋範圍和成本。就如我將在本文中描述的那樣
，較高的輸出功率可以大幅提升容量
，同時還能維持蜂窩覆蓋範圍。GaN on SiC功率放大器具有更高的功效，可以減少運營商的巨額電費，減輕散熱問題。為了更加詳細地探討這些優勢，我將討論 GaN on SiC在無線網絡演進的各個階段可能發揮的作用
，先從載波聚合開始
，然後是4.5G，最後為5G。

 

 

運營商目前處於載波聚合(CA)技術部署初期，這是LTE Advanced標準(3GPP Release 10)的一個特性。借助CA
，運營商可以提高數據容量和吞吐量，其方式是把最多五個分量載波(每個載波在 1.4-20MHz之間)組合成最高達100MHz的總帶寬。

 

 

CA的一個關鍵吸引力在於，該技術可以把來自多個頻段的分量載波組合起來（帶間(CA)
，從而讓運營商更好地利用碎片化的頻譜分配方案。許多運營商擁有的連續頻譜不到20MHz，因此需要CA來為更快的數據服務需求提供支持。初期部署一般隻將CA用於下行鏈路通信，並把兩個10MHz的分量載波組合成20MHz的總帶寬。

 

CA一般要求采用寬帶功率放大器，以避免各分量載波采用獨立功率放大器所帶來的額外成本和複雜性問題。常見的CA組合(如頻段1(1800MHz)與頻段3(2100MHz)組合)要求采用帶寬大於300MHz的功率放大器。即使在較高頻率下
，GaN功率放大器也能比LDMOS支持更高的帶寬，這是一個關鍵優勢。由於GaN擁有更高的功效
，並且GaN功率放大器可以支持需要多個窄帶LDMOS功率放大器才能實現的帶寬，這兩個因素抵消了LDMOS的單位芯片成本優勢。CA還要求更高的功率輸出
，以實現在多個分量載波上的並行傳輸。GaN on SiC功率放大器可以滿足如今對多頻段功率放大器的典型要求，其功率輸出達60W或以上，支持300MHz以上的帶寬。

 

 

GaN的功效在幫助運營商控製最大成本項(電費)方麵也發揮著重要作用。功率放大器是基站功耗中的大戶
，如果功率放大器的效率僅為35%(較老的LDMOS功率放大器確實如此)，則有65%的能量作為熱量被浪費掉了。產生的熱也會導致可靠性問題
，並且要求較大的散熱片，結果會增加產品尺寸。

 

在運營商試圖控製能源成本的同時
，他們需要功效更出色的基站和功率放大器。功率放大器的典型功效已經從4年前的30%-35%提高到如今的60%。同期，LDMOS功率放大器的效率從30%提高到約45%，但進一步顯著提高是非常困難的事。相反，如今的GaN功率放大器已經實現了55%的效率。

 

 

除了CA
，運營商試圖借助多種不同技術來擴容。這些中期發展有望從2016年開始通過幾年的時間展開
，通常被稱為4.5G
、4G+或 pre-5G技術。

 

 

MIMO使(shi)運(yun)營(ying)商(shang)可(ke)以(yi)提(ti)高(gao)數(shu)據(ju)速(su)率(lv)和(he)網(wang)絡(luo)容(rong)量(liang)
，因(yin)為(wei)它(ta)可(ke)以(yi)使(shi)用(yong)基(ji)站(zhan)和(he)用(yong)戶(hu)設(she)備(bei)上(shang)的(de)多(duo)根(gen)天(tian)線(xian)，在(zai)同(tong)一(yi)頻(pin)段(duan)傳(chuan)輸(shu)多(duo)個(ge)空(kong)間(jian)上(shang)相(xiang)互(hu)隔(ge)開(kai)的(de)數(shu)據(ju)流(liu)。LTE Advanced標準定義了最高8x8的下行鏈路MIMO連接以及最高4X4的上行鏈路連接。同時還定義了MU-MIMO
，通過允許基站用每個流與不同設備進行通信的方式實現擴容。

 

 

4.5G有望帶來更高階的MIMO，以進一步實現網絡容量的飛躍
，基站可以同時處理64個或更多的並發數據流。但這會帶來一些其他挑戰。基站需要更多功率來驅動64個通道
，因此

，能效和散熱變成了更大的問題，進一步提高GaN的功效相應地變得更具價值。

 

大規模MIMO的另一個大問題是複雜性的管理。把64個發射通道擠進一個基站，需要高度集成的子係統
，把功率放大器、低噪聲放大器(LNA)、開關和濾波器封裝到緊湊的模塊中。為了實現性能和功效的最大化，這些子係統必須根據不同的工藝技術把多個組件組合起來。例如，雖然GaN功率放大器可以提供需要的功率輸出和功效，但基於CMOS的低噪聲放大器(LNA)卻(que)可(ke)以(yi)實(shi)現(xian)接(jie)收(shou)靈(ling)敏(min)度(du)最(zui)大(da)化(hua)和(he)噪(zao)聲(sheng)最(zui)小(xiao)化(hua)。需(xu)要(yao)采(cai)用(yong)高(gao)級(ji)濾(lv)波(bo)器(qi)以(yi)避(bi)免(mian)幹(gan)擾(rao)鄰(lin)近(jin)頻(pin)段(duan)。由(you)於(yu)基(ji)站(zhan)的(de)安(an)裝(zhuang)位(wei)置(zhi)一(yi)般(ban)都(dou)暴(bao)露(lu)於(yu)惡(e)劣(lie)的(de)環(huan)境(jing)之(zhi)下(xia)
，會(hui)經(jing)曆(li)極(ji)端(duan)溫(wen)度(du)和(he)濕(shi)度(du)，因(yin)此(ci)，需(xu)要(yao)能(neng)在(zai)溫(wen)度(du)變(bian)化(hua)條(tiao)件(jian)下(xia)展(zhan)現(xian)穩(wen)定(ding)響(xiang)應(ying)性(xing)能(neng)的(de)BAW和 SAW濾lv波bo器qi。高gao集ji成cheng度du的de子zi係xi統tong還hai可ke給gei基ji站zhan製zhi造zao商shang帶dai來lai開kai發fa和he測ce試shi時shi間jian縮suo短duan的de優you勢shi
，因yin為wei子zi係xi統tong中zhong的de所suo有you元yuan件jian都dou已yi經jing匹pi配pei好hao
，並bing一yi起qi進jin行xing過guo測ce試shi。

 

 

運營商試圖通過運用免執照的5GHz頻段來擴容，以實現流量分流
，補充許可頻率。該頻段超出了LDMOS功率放大器的範圍
，這類功率放大器的頻率限製在3.5GHz或以下。相反
，5GHz完全處於GaN功率放大器的範圍之內
，這類功率放大器的工作頻率高得多。

 

 

 

走向高階調製可進一步提高數據速率和網絡容量。

 

據3GPP Release 12的規定
，複雜性從64QAM提高到256QAM，由於每個OFDM符號可以傳輸8位而非6位數據，因而可以將峰值數據速率提高33%。然(ran)而(er)，在(zai)不(bu)提(ti)高(gao)功(gong)率(lv)輸(shu)出(chu)的(de)條(tiao)件(jian)下(xia)使(shi)用(yong)更(geng)加(jia)複(fu)雜(za)的(de)調(tiao)製(zhi)方(fang)案(an)會(hui)導(dao)致(zhi)蜂(feng)窩(wo)覆(fu)蓋(gai)範(fan)圍(wei)的(de)下(xia)降(jiang)。要(yao)維(wei)持(chi)覆(fu)蓋(gai)範(fan)圍(wei)不(bu)變(bian)
，運(yun)營(ying)商(shang)需(xu)要(yao)更(geng)高(gao)功(gong)率(lv)的(de)功(gong)率(lv)放(fang)大(da)器(qi)。這(zhe)種(zhong)狀(zhuang)況(kuang)將(jiang)進(jin)一(yi)步(bu)刺(ci)激(ji)對(dui)可(ke)以(yi)提(ti)供(gong)必(bi)要(yao)功(gong)率(lv)輸(shu)出(chu)的(de)GaN功率放大器的需求。

 

 

5G技術規格仍然處於製定階段，幾年之內不會完成完善，3GPP當前的建議是在2020年提交最終版規格。然而，業內普遍預期，為了實現多GB級數據速率，5G會利用頻率高得多的頻段，包括使用 60GHz–90GHz範圍內的毫米波頻率。毫米波頻譜目前用於多種軍事、衛星和其他應用，也用於 802.11ad Wi-Fi標準，但是
，其擁擠程度要遠遠低於當前用於LTE的低頻頻段。因此，在LTE中使用毫米波頻譜將增加大量的額外帶寬
，同時還能減少對低頻頻譜擁擠問題的擔憂。

 

 

采用毫米波頻率的基站需要超高性能功率放大器。如今，GaN是有可能滿足這些要求的唯一普及技術
；GaN功率放大器當今的工作頻率超過50 GHz，被廣泛用於毫米波應用之中。新生代GaN製造技術將發揮重要的作用，可實現5G要求的更高性能水平和集成度。

 

 

未來的三到五年，對GaN功率放大器的需求有望快速增長，因為運營商將推動新型LTE能力的建設
，以適應大幅增加的移動數據用戶需求。越來越多的功率放大器供應商已開始擴大產品範圍，將GaN產品納入其中。需要注意的是
，無線基站中使用的功率放大器必須符合惡劣條件下的高性能
、高效率
、高可靠性要求。每一次網絡擴容都會對性能和功效提出新的要求。必須進行謹慎評估
，確保功率放大器供應商能提供必要的性能、可靠性、工藝成熟度和內部製造產能
，以滿足這些嚴苛的要求。