【導讀】目前的芯片工藝越來越精密
，主IC都到納米級別了
，具有極薄光刻技術和極易受到 ESD 影響的柵極氧化物的先進技術，所以IC的防靜電能力主要是保護自身在生產運輸和安裝過程中不受損壞。

防靜電需求

目前的芯片工藝越來越精密，主IC都到納米級別了
，具有極薄光刻技術和極易受到 ESD 影響的柵極氧化物的先進技術
，所以IC的防靜電能力主要是保護自身在生產運輸和安裝過程中不受損壞。

其次具有高元件密度的 PCB 的集成電子板有助於 ESD 耦合和傳播，所以整機中ESD現象時常發生。

為什麼IC 製造商不願意製造強大的嵌入式 ESD baohuerjiguan

，yinweitamenxuyaodaliangxianjinqieangguidejishudeyouxiaomianji

，fangjingdianbutongyubiedexinpiangongyi，jingdianshunjiandianliuyoushushianpei，bixutongguoyouxiaodexinpianmianjilaifanghu
，bushijianduangongyinengjiejuede。

高速信號芯片防靜電特點

ESD 保護器件的寄生電容必須足夠低，以允許高速信號傳輸而不會降級。

ESD 保護器件的高寄生電容會增加過多的信號上升/下降時間並阻止通信
，從而丟包。

以下是以電容置於高速信號線對信號的影響圖形。

很多人不清楚這個電容的換算
，也可以參考下麵的圖片

如何保證線路上的寄生電容足夠小，而且走線也不影響差分信號阻抗匹配？

首先要選擇電容足夠小的ESD器件，其次是要合理布線。

在盡可能情況下，選擇DFN封裝的ESD器件，如雷卯電子ULC0524P ULC0511CDN這類超低電容的器件。

如何看懂ESD器件參數？

一般入門級隻要看懂動作電壓Vbr
，電容Cj
，箝位電壓Vc即可。

以下規格書為示例。

DFN封裝技術越來越成熟
，封裝速度快，體積小
，雷卯提供了越來越多的防靜電DFN封裝器件
，DFN1006 DFN1610 DFN2020 DFN1616 DFN2010 DFN2510 DFN3310 等，最多支持10路的高速信號靜電保護。

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