使用WBG材料如碳化矽(SiC)可製造出性能超越矽(Si)的同類產品。雖然有各種重要的機會使用這項技術，但工業電機驅動正獲得最大的興趣和關注。

 

SiC的高電子遷移率使其能夠支持更快的開關sudu。zhexiegengkuaidekaiguansuduyiweizhexiangyingdekaiguansunhaoyejiangjianshao。tadejiedianjichuanchangqiangjihubiguigaoyigeshuliangji。zhenengshixiangengbodepiaoyiceng，zhejiangzhuanhuaweigengdidedaotongdianzuzhi。ciwai，youyuSiC的導熱係數是Si的三倍，因此在散熱方麵要高效得多。因此
，更容易減小熱應力。

 

 

傳統的高壓電機驅動器會采用三相逆變器，其中Si IGBTjichengfanbinglianerjiguan。sangebanqiaoxiangweiqudongnibianqidexiangyingxiangxianquan，yitigongzhengxiandianliuboxing，suihoushidianjiyunxing。nibianqizhonglangfeidenengliangjianglaizilianggezhuyaolaiyuan-導通損耗和開關損耗。用基於SiC的開關代替Si基開關

，可減小這兩種損耗。
 

SiC肖特基勢壘二極管不使用反並聯矽二極管
，可集成到係統中。矽基二極管有反向恢複電流，會造成開關損耗（以及產生電磁幹擾，或EMI），而SiC二極管的反向恢複電流可忽略不計。這使得開關損耗可以減少達30%。由於這些二極管產生的EMI要低得多，所以對濾波的需求也不會那麼大（導致物料清單更小）。還應注意，反向恢複電流會增加導通時的集電極電流。由於SiC二極管的反向恢複電流要低得多
，在此期間通過IGBT的峰值電流將更小

，從而提高運行的可靠性水平並延長係統的使用壽命。

 

 

因此，如果要提高驅動效率及延長係統的工作壽命時，遷移到SiC 肖特基顯然是有利的。那麼我們何以采取更進一步的方案呢？如果用SiC MOSFET取代負責實際開關功能的IGBT，那麼能效的提升將更顯著。在相同運行條件下
，SiC MOSFET的開關損耗要比矽基IGBT低五倍之多，而導通損耗則可減少一半之多。

 

WBG方案的其他相關的好處包括大幅節省空間。SiC提ti供gong的de卓zhuo越yue導dao熱re性xing意yi味wei著zhe所suo需xu的de散san熱re器qi尺chi寸cun將jiang大da大da減jian少shao。使shi用yong更geng小xiao的de電dian機ji驅qu動dong器qi，工gong程cheng師shi可ke將jiang其qi直zhi接jie安an裝zhuang在zai電dian機ji外wai殼ke上shang。這zhe將jiang減jian少shao所suo需xu的de電dian纜lan數shu量liang。

 

安森美半導體現在為工程師提供與SiC二極管共同封裝的IGBT。此外
，我們還有650 V、900 V和1200 V額定值的SiC MOSFET。采用這樣的產品
，將有可能變革電機驅動
，提高能效參數，並使實施更精簡。 

 

 

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