現在介紹該模型的幾個元素
，如下所示。首先，我們討論關鍵通道區域。這裏我們使用著名的伯克利BSIM 3v3模型。隻要有可能，我們就盡力不做重複工作。在本例中，我們嚐試建模一個適合BSIM模型的MOSFET通道。該模型以物理為基礎，通過亞閾值、弱反和強反準確地捕捉轉換過程。此外，它具有很好的速度和收斂性
，廣泛適用於多個仿真平台。

 

 

圖1顯示典型的碳化矽MOSFET器件的橫截麵。圖2展示我們精簡版本的子電路模型。

 

 

接下來

，我們需要包含由EPI區域的多晶矽重疊形成的門極到漏極的臨界電容CGD。該電容器基本上是高度非線性金屬氧化物半導體(MOS)電容器。該電容的耗盡區域依賴於複雜的工藝參數，包括摻雜分布、p阱dpw之間的距離和外延層的厚度。基於物理的模型考慮到所有這些影響，采用SPICE不可知論的行為方法實現。稍後，我們將談談什麼是SPICE不可知論方法。

 

 

從橫截麵開始
，我們將介紹芯片布局可擴展性的一些概念和構造，如圖3所示，灰色區域是有源區。藍色無源區與裸芯邊緣、門極焊盤(gate pad)和門極流道(gate runners)相xiang關guan聯lian。基ji於yu物wu理li幾ji何he的de導dao子zi決jue定ding了le無wu源yuan區qu和he有you源yuan區qu之zhi間jian的de分fen布bu，這zhe是shi實shi現xian可ke擴kuo展zhan性xing所suo必bi需xu的de。我wo們men非fei常chang關guan注zhu在zai有you源yuan和he無wu源yuan區qu邊bian界jie區qu域yu形xing成cheng的de寄ji生sheng電dian容rong。一yi旦dan您nin開kai始shi忽hu略lve布bu局ju中zhong的de寄ji生sheng電dian容rong，什shen麼me時shi候hou停ting止zhi
？所suo有you可ke忽hu略lve的de電dian容rong最zui終zhong加jia起qi來lai就jiu成cheng了le一yi個ge問wen題ti。在zai這zhe種zhong情qing況kuang下xia無wu法fa實shi現xian擴kuo展zhan。我wo們men的de理li念nian是shi使shi寄ji生sheng電dian容rong為wei0。

 

碳化矽MOSFET支持非常快的dV/dts，約每納秒50 V至100 V，而dI/dts則支持每納秒3 A至6 A。本征器件門極電阻很重要，可用來抗電磁幹擾(EMI)。在圖3中右邊的設計有較少的門極流道，因此RG較高；很好地限製振鈴。圖3左邊的設計有許多門極流道
，因此RG較低。左邊的設計適用於快速開關
，但每個區域有更高的RDSon，因為門極流道吞噬了有源區。

 

我們在該係列博客的下一篇將談談碳化矽功率MOSFET模型驗證
，請繼續關注。

 

 

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