共gong同tong使shi用yong概gai念nian的de一yi個ge轉zhuan折zhe是shi浮fu動dong太tai陽yang能neng電dian池chi板ban的de想xiang法fa。在zai這zhe種zhong設she計ji中zhong，太tai陽yang能neng電dian池chi板ban被bei放fang置zhi在zai水shui體ti上shang，這zhe樣yang它ta就jiu不bu會hui占zhan用yong寶bao貴gui的de土tu地di，而er水shui可ke使shi電dian池chi板ban保bao持chi冷leng卻que，從cong而er提ti高gao太tai陽yang能neng轉zhuan換huan效xiao率lv。有you些xie人ren甚shen至zhi建jian議yi將jiang電dian池chi板ban漂piao浮fu在zai抽chou水shui蓄xu能neng水shui庫ku上shang，由you電dian池chi板ban提ti供gong能neng量liang儲chu存cun在zai那na裏li。

 

 

另一個例子被稱為 "農業光伏"，這(zhe)想(xiang)法(fa)是(shi)安(an)裝(zhuang)電(dian)池(chi)板(ban)以(yi)最(zui)大(da)化(hua)空(kong)間(jian)並(bing)允(yun)許(xu)下(xia)麵(mian)的(de)土(tu)地(di)用(yong)於(yu)耕(geng)種(zhong)。太(tai)陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)板(ban)安(an)裝(zhuang)得(de)足(zu)夠(gou)高(gao)，以(yi)便(bian)設(she)備(bei)可(ke)以(yi)在(zai)下(xia)麵(mian)並(bing)有(you)足(zu)夠(gou)的(de)空(kong)間(jian)
，讓(rang)植(zhi)物(wu)獲(huo)得(de)充(chong)足(zu)的(de)光(guang)線(xian)。植(zhi)物(wu)實(shi)際(ji)上(shang)受(shou)益(yi)於(yu)部(bu)分(fen)陰(yin)影(ying)

，土(tu)壤(rang)保(bao)留(liu)了(le)更(geng)多(duo)的(de)水(shui)分(fen)
，從(cong)而(er)節(jie)省(sheng)了(le)水(shui)。此(ci)外(wai)
，由(you)於(yu)下(xia)方(fang)的(de)濕(shi)度(du)增(zeng)加(jia)
，電(dian)池(chi)板(ban)運(yun)行(xing)起(qi)來(lai)更(geng)冷(leng)卻(que)
，當(dang)然(ran)
，還(hai)能(neng)從(cong)太(tai)陽(yang)產(chan)生(sheng)清(qing)潔(jie)能(neng)源(yuan)。

 

無論太陽能發電站在哪裏，都需要一個電力電子轉換器jiangqiyudianwanglianjie。gaizhuanhuanqibaokuoyigekexuandeshengyajiheyigenibianqi，yongyujiangzhiliudianzhuanhuanweiyudianwangtongbudejiaoliudian。zhezhuanhuanxiaolvzhijieyingxiangdaoxiangmudejingjixing。tanhuagui(SiC)是下一代功率開關技術，可提高並網效率，縮小冷卻係統，並降低整個係統成本。

 

太陽能電源轉換器的一個重要趨勢是將進入逆變器的電壓提高到1500 V。這將減少相同功率所需的電流
，從而減小承載電流所需的電纜尺寸。

 

 

另(ling)一(yi)個(ge)趨(qu)勢(shi)是(shi)從(cong)大(da)型(xing)集(ji)中(zhong)式(shi)逆(ni)變(bian)器(qi)轉(zhuan)向(xiang)更(geng)易(yi)於(yu)維(wei)護(hu)的(de)小(xiao)型(xing)分(fen)散(san)式(shi)逆(ni)變(bian)器(qi)。這(zhe)種(zhong)拓(tuo)撲(pu)結(jie)構(gou)也(ye)更(geng)加(jia)強(qiang)固(gu)
，因(yin)為(wei)一(yi)個(ge)逆(ni)變(bian)器(qi)發(fa)生(sheng)故(gu)障(zhang)不(bu)會(hui)關(guan)閉(bi)整(zheng)個(ge)服(fu)務(wu)器(qi)場(chang)。對(dui)於(yu)標(biao)準(zhun)化(hua)的(de)分(fen)散(san)式(shi)逆(ni)變(bian)器(qi)，設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)嚐(chang)試(shi)在(zai)固(gu)定(ding)的(de)重(zhong)量(liang)和(he)尺(chi)寸(cun)規(gui)格(ge)範(fan)圍(wei)內(nei)最(zui)大(da)化(hua)功(gong)率(lv)。

 

 

SiC有助於提供更高能效
，支持這兩個趨勢。與傳統的矽IGBT相比，SiC器件對更高的電壓最為有用。更高電壓的器件可簡化拓撲結構
，從而無需多電平轉換器。

 

SiC逆變器方案的損耗比IGBT方案低。SiC MOSFET的de開kai關guan速su度du也ye更geng快kuai
，這zhe可ke縮suo小xiao無wu源yuan器qi件jian特te別bie是shi電dian感gan的de尺chi寸cun。這zhe兩liang個ge因yin素su增zeng加jia了le功gong率lv密mi度du，從cong而er允yun許xu在zai同tong樣yang尺chi寸cun和he重zhong量liang的de設she備bei中zhong獲huo得de更geng高gao的de功gong率lv。

 

安森美半導體具備用於太陽能轉換器的全係列SiC器件。

 

     • 分立MOSFET和二極管采用各種封裝
，提供靈活性

 

     • 集成SiC續流二極管的混合IGBT，實現成本優化

 

     • SiC混合模塊和全SiC模塊
，實現緊湊的設計

 

我們還提供交互式框圖，以支持您的太陽能逆變器設計需求。

 

 

 

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