無論您是需要提高功率密度

、延長電池壽命、減少電磁幹擾
、保持電源和信號完整性，還是維持在高電壓下的安全性
，我們都致力於幫您解決電源管理方麵的挑戰。德州儀器 ( TI ) 是與您攜手推動電源進一步發展的合作夥伴。

 

本文將講解如何實現低噪聲和高精度：增強電源和信號完整性
，以提高係統級保護和精度。

 

要實現精密信號鏈，低噪聲 LDO 穩壓器和開關轉換器、精密的監控和可靠的保護是必不可少的。對於電動汽車電池監測、測試和測量以及醫療等應用，TI 使用專用的電源處理技術以及先進的電路和測試技術，可提高精度
、更大限度地減少失真，並降低線性和開關電源轉換器的噪聲。

 

TI 低噪聲和高精度技術的優勢

 

●     減少 IC 誤差源

●     係統噪聲消減

 

減少 IC 誤差源

 

（1）利用 TI 高度優化的低噪聲互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 工藝來減少工藝的非理想因素

（2）利用先進的電路和測試技術來降低工藝非理想因素的影響

 

圖 1. 噪聲與頻率曲線圖

 

（3）采用了陶瓷封裝和電路板應力管理等先進技術

 

圖 2. 調節器件和電路板應力

 

係統噪聲消減

 

（1）技術的進步支持通過高電源抑製比 (PSRR) 低壓降穩壓器 (LDO) 和片上濾波實現更高的係統級抗幹擾和抗噪性能

 

圖 3. 高 PSRR 可實現更好的濾波

 

和更低的輸出噪聲

 

如何降低 LDO 噪聲

？

 

LDO 中的主要噪聲源來自帶隙基準源
，可使用兩種方法來降低 LDO 中的噪聲。下麵內容詳細說明了這兩種方法。

 

降低噪聲的一種方法是降低 LDO 帶寬，這可以通過降低 LDO 內部誤差放大器的帶寬來實現。但是

，如果我們降低誤差放大器的帶寬，則會降低 LDO 瞬態響應速度。

 

另一種方法是使用低通濾波器 (LPF)。我們知道
，LDO 噪聲的最主要來源是內部的帶隙基準源。因此
，我們可在帶隙輸出和誤差放大器輸入之間插入一個 LPF
，從而在誤差放大器將帶隙噪聲放大之前將其降低。通常，該 LPF由一個內部大電阻器和一個外部電容器組成。此濾波器的截止頻率設置得越低越好，從而濾除幾乎所有的帶隙噪聲。

 

這裏始終有一個問題：為什麼占用大部分芯片麵積的大功率導通元件（主要是 FET）不(bu)是(shi)主(zhu)要(yao)噪(zao)聲(sheng)源(yuan)？答(da)案(an)是(shi)沒(mei)有(you)增(zeng)益(yi)。作(zuo)為(wei)主(zhu)要(yao)噪(zao)聲(sheng)源(yuan)的(de)帶(dai)隙(xi)基(ji)準(zhun)源(yuan)連(lian)接(jie)至(zhi)誤(wu)差(cha)放(fang)大(da)器(qi)的(de)輸(shu)入(ru)端(duan)

，因(yin)此(ci)會(hui)被(bei)誤(wu)差(cha)放(fang)大(da)器(qi)的(de)增(zeng)益(yi)放(fang)大(da)。我(wo)們(men)知(zhi)道(dao)，要(yao)研(yan)究(jiu)輸(shu)出(chu)噪(zao)聲(sheng)
，首(shou)先(xian)要(yao)了(le)解(jie)運(yun)算(suan)放(fang)大(da)器(qi)輸(shu)入(ru)的(de)每(mei)個(ge)噪(zao)聲(sheng)影(ying)響(xiang)因(yin)素(su)；所以，要研究導通 FET 的噪聲
，需要先找到噪聲的影響因素
，即導通 FET 和誤差放大器輸入之間的開環增益。開環增益非常大，因此，導通 FET 的其他噪聲影響因素通常可以忽略不計。

 

 

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