采用額外的肖特基二極管減少幹擾
發布時間:2020-11-10 來源:Frederik Dostal 責任編輯:wenwei
【導讀】在負載點(POL)降壓轉換器領域,同步變化的高邊和低邊有源開關已被廣泛使用。圖1顯(xian)示(shi)了(le)具(ju)有(you)理(li)想(xiang)開(kai)關(guan)的(de)此(ci)類(lei)電(dian)路(lu)。與(yu)使(shi)用(yong)無(wu)源(yuan)肖(xiao)特(te)基(ji)二(er)極(ji)管(guan)作(zuo)為(wei)低(di)邊(bian)開(kai)關(guan)的(de)架(jia)構(gou)相(xiang)比(bi),此(ci)類(lei)開(kai)關(guan)穩(wen)壓(ya)器(qi)具(ju)有(you)多(duo)項(xiang)優(you)勢(shi)。主(zhu)要(yao)優(you)勢(shi)是(shi)電(dian)壓(ya)轉(zhuan)換(huan)效(xiao)率(lv)更(geng)高(gao),因(yin)為(wei)與(yu)采(cai)用(yong)無(wu)源(yuan)二(er)極(ji)管(guan)的(de)情(qing)況(kuang)相(xiang)比(bi),低(di)端(duan)開(kai)關(guan)承(cheng)載(zai)電(dian)流(liu)時(shi)的(de)壓(ya)降(jiang)更(geng)低(di)。
但是,與異步開關穩壓器相比,同步降壓轉換器會產生更大的幹擾。如果圖1中zhong的de兩liang個ge理li想xiang開kai關guan同tong時shi導dao通tong,即ji使shi時shi間jian很hen短duan,也ye會hui發fa生sheng從cong輸shu入ru電dian壓ya到dao地di的de短duan路lu。這zhe會hui損sun壞huai開kai關guan。必bi須xu確que保bao兩liang個ge開kai關guan永yong遠yuan不bu會hui同tong時shi導dao通tong。因yin此ci,出chu於yu安an全quan考kao慮lv,需xu要yao在zai一yi定ding時shi間jian內nei保bao持chi兩liang個ge開kai關guan都dou斷duan開kai。這zhe個ge時shi間jian稱cheng為wei開kai關guan穩wen壓ya器qi的de死si區qu時shi間jian。但dan是shi,從cong開kai關guan節jie點dian到dao輸shu出chu電dian壓ya連lian接jie了le一yi個ge載zai流liu電dian感gan(L1)。通tong過guo電dian感gan的de電dian流liu永yong遠yuan不bu會hui發fa生sheng瞬shun間jian變bian化hua。電dian流liu會hui連lian續xu增zeng加jia和he減jian少shao,但dan它ta永yong遠yuan不bu會hui跳tiao變bian。因yin此ci,在zai死si區qu時shi間jian內nei會hui產chan生sheng問wen題ti。所suo有you電dian流liu路lu徑jing在zai開kai關guan節jie點dian側ce中zhong斷duan。采cai用yong圖tu1所(suo)示(shi)的(de)理(li)想(xiang)開(kai)關(guan),在(zai)死(si)區(qu)時(shi)間(jian)內(nei)會(hui)在(zai)開(kai)關(guan)節(jie)點(dian)處(chu)產(chan)生(sheng)負(fu)無(wu)窮(qiong)大(da)的(de)電(dian)壓(ya)。在(zai)實(shi)際(ji)開(kai)關(guan)中(zhong),電(dian)壓(ya)負(fu)值(zhi)將(jiang)變(bian)得(de)越(yue)來(lai)越(yue)大(da),直(zhi)到(dao)兩(liang)個(ge)開(kai)關(guan)中(zhong)的(de)一(yi)個(ge)被(bei)擊(ji)穿(chuan)並(bing)允(yun)許(xu)電(dian)流(liu)通(tong)過(guo)。

圖1.用於降壓轉換、采用理想開關的同步開關穩壓器。
大多數開關穩壓器使用N溝道MOSFET作為有源開關。這些開關針對上述情況具有非常有優勢的特性。除了具有本身的開關功能外,MOSFET還具有所謂的體二極管。半導體的源極和漏極之間存在一個P-N結。在圖2中,插入了具有相應P-N結的MOSFET。由此,即使在死區時間內,開關節點的電壓也不會下降到負無窮大,而是通過低端MOSFET中的P-N結(如紅色所示)承載電流,直到死區時間結束並且低端MOSFET導通為止。

圖2.用於降壓轉換的同步開關穩壓器,采用N溝道MOSFET和額外的肖特基二極管,可最大限度地減少幹擾。
相應MOSFET中的體二極管有一個主要缺點。由於反向恢複現象,其開關速度非常低。在反向恢複時間內,電感(L1)導dao致zhi開kai關guan節jie點dian處chu的de電dian壓ya下xia降jiang到dao比bi地di電dian壓ya低di幾ji伏fu。開kai關guan節jie點dian處chu的de這zhe些xie陡dou峭qiao的de負fu電dian壓ya峰feng值zhi會hui導dao致zhi幹gan擾rao,此ci幹gan擾rao會hui被bei容rong性xing耦ou合he到dao其qi他ta電dian路lu段duan。通tong過guo插cha入ru額e外wai的de肖xiao特te基ji二er極ji管guan可ke以yi最zui大da限xian度du地di減jian少shao這zhe種zhong幹gan擾rao,如ru圖tu2所示。與低端MOSFET中zhong的de體ti二er極ji管guan不bu同tong,它ta不bu會hui產chan生sheng反fan向xiang恢hui複fu時shi間jian,並bing且qie在zai死si區qu時shi間jian開kai始shi時shi能neng非fei常chang快kuai速su地di吸xi收shou電dian流liu。這zhe可ke減jian緩huan開kai關guan節jie點dian處chu的de電dian壓ya陡dou降jiang。可ke減jian少shao由you於yu耦ou合he效xiao應ying而er產chan生sheng並bing分fen布bu到dao電dian路lu上shang的de幹gan擾rao。
肖特基二極管可以設計得非常緊湊,因為它僅在死區時間內短時間承載電流。因此,其溫升不會過高,可以放置在小尺寸、低成本的產品外殼中。
作者簡介
Frederik Dostal曾就讀於德國埃爾蘭根-紐倫堡大學微電子學專業。他於2001年開始工作,涉足電源管理業務,曾擔任多種應用工程師職位,並在亞利桑那州鳳凰城工作了四年,負責開關模式電源。Frederik於2009年加入ADI公司,擔任歐洲分公司的電源管理技術專家。聯係方式:frederik.dostal@analog.com。
推薦閱讀:
特別推薦
- 噪聲中提取真值!瑞盟科技推出MSA2240電流檢測芯片賦能多元高端測量場景
- 10MHz高頻運行!氮矽科技發布集成驅動GaN芯片,助力電源能效再攀新高
- 失真度僅0.002%!力芯微推出超低內阻、超低失真4PST模擬開關
- 一“芯”雙電!聖邦微電子發布雙輸出電源芯片,簡化AFE與音頻設計
- 一機適配萬端:金升陽推出1200W可編程電源,賦能高端裝備製造
技術文章更多>>
- 具身智能成最大亮點!CITE 2026開幕峰會釋放產業強信號
- 助力醫療器械產業高質量發展 派克漢尼汾閃耀2026 ICMD
- 比異步時鍾更隱蔽的“芯片殺手”——跨複位域(RDC)問題
- 數據之外:液冷技術背後的連接器創新
- “眼在手上”的嵌入式實踐:基於ROS2與RK3576的機械臂跟隨抓取方案
技術白皮書下載更多>>
- 車規與基於V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索
Energy Micro
EPB
ept
ESC
ESD
ESD保護
ESD保護器件
ESD器件
Eurotect
Exar
Fairhild
FFC連接器
Flash
FPC連接器
FPGA
Fujitsu
Future
GFIVE
GPS
GPU
Harting
HDMI
HDMI連接器
HD監控
HID燈
I/O處理器
IC
IC插座
IDT
IGBT





