在如此廣泛的應用範圍內
，對輔助電源的要求非常多樣化，因而市場上產生了無數替代方案和運用。

 

jinguanzhexiedianyuanshifuzhuxitong
，danrengxuyaoquebaogaokekaoxinghewendingxing，yinqizaiweiguanjianmokuaigongdian，rukenengbaokuohexinkongzhiqideluojijidianlu

，huodaotongheguanduangonglvjinshuyanghuawuguichangxiaoyingjingtiguan(MOSFET)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的門極驅動器。
 

同時
，要求緊湊的設計和出色的性價比
，因為這些係統不是應用的核心部分，因此應花費盡可能少的資源來完成工作。

anquanyeshizuizhongyaode，zaidaduoshuqingkuangxia，xitongbixufuheqichebiaozhun，yeguidingledianciganraoxianzhi。erqie，shiyingguangfandeshurudianyafanweiheshiyingbutongyonglidelinghuoxing

，shiqituoyingerchu。
 

最後同樣重要的是
，輔助電源需要提供高壓隔離，特別是如果法規規定，或功能隔離


，以實現可靠的運行。

 

根據應用相應的上述要求，輔助電源用在不同的拓撲結構-反激、升壓、降壓-升壓等。它們可采用替代的開關機製，如：準諧振或固定頻率，並利用集成或分立技術來傳輸所需的功率。

 

圖1.基於反激式拓撲的隔離型輔助電源原理圖，工作在準諧振峰值電流模式控製下

 

安森美半導體最近推出了四個新方案：高壓輔助電源，適用於基於800 V和400 V電池的BEV和PHEV並提供15 W或40 W功率
，以及用於IGBT和碳化矽(SiC) MOSFET驅動器的隔離型電源。這些方案解決上述挑戰並滿足所需要求。

 

SECO-HVDCDC1362-15W15V-GEVB和SECO-HVDCDC1362-40W15V-GEVB是極高能效和靈活的初級端調節(PSR)輔助電源，優化用於BEV和PHEV汽車動力總成。這些設計可在250 V至900 V的寬輸入直流電壓範圍內提供穩定的15 V，因此適用於400 V和800 V電池係統。

 

該方案利用NCV1362準諧振峰值電流PSR反激控製器、成本優化的NVHL160N120SC1 160mΩ1200 V碳化矽(SiC) MOSFET和FFSD0665B-F085 SiC二極管的多種優點。

 

得益於SiC FET的高阻斷電壓能力和超低門極電荷(34 nC)值，開關損耗顯著減小
，該設計表現出出色的能效

，在低交流電條件下高達86％。 

 

NCV1362控製器出色的驅動能力支持SiC FET在12 V下直接運行，而無需預驅動器，從而簡化了布局並減少了物料單的內容。反激式變壓器提供4 kV的隔離度，且完全通過汽車級半導體和無源器件實現。

 

圖2. SECO−HVDCDC1362−15W15V−GEVB的能效

 

圖3. SECO−HVDCDC1362−15W15V−GEVB框圖

 

圖4.15 W高壓輔助電源的優勢

(SECO−HVDCDC1362−15W15V−GEVB)

 

SECO-LVDCDC3064-IGBT-GEVB是IGBT驅動器的隔離電源，提供所需穩定電壓軌 (-7.5 V和15 V，每個分路50 mA），實現在寬輸入電壓範圍（6 Vdc至18 Vdc）高效開關。還提供了額外的+7.5 V電源軌
，以支持任何其他較低電壓邏輯。

 

該係統利用NCV3064 DC-DC轉換器

，實現緊湊而穩定可靠的設計
，最小化材料單內容。該板完全采用汽車認證的器件實現，並且與商用IGBT DC - DC電源引腳兼容，從而提供了開箱即用的隔離型驅動器電源方案。

 

使用相同NCV3064的另一個SiC變體SECO-LVDCDC3064-SIC-GEVB將適用於SiC MOSFET開關
，為門極驅動器提供+ 20 V /-5V電壓軌。

 

圖5.1.5 W IGBT隔離型驅動器電源的優勢 (SECO-LVDCDC3064-IGBT−GEVB)

 

圖6. SECO-LVDCDC3064-IGBT−GEVB框圖

 

新的電源設計用於400 V和800 V電池係統，隔離型電源用於IGBT和SiC門極驅動器，都經過專門設計，可直接集成到應用係統中。

 

安森美半導體用於汽車輔助電源方案的廣泛產品和工具陣容
，有助於滿足每種應用的要求並提供最佳方案。

 

除了AC-DC控製器和穩壓器、DC-DC控製器和穩壓器
、功率MOSFET、二(er)極(ji)管(guan)和(he)保(bao)護(hu)器(qi)件(jian)的(de)全(quan)麵(mian)產(chan)品(pin)陣(zhen)容(rong)，以(yi)充(chong)分(fen)實(shi)現(xian)廣(guang)泛(fan)的(de)設(she)計(ji)，我(wo)們(men)還(hai)提(ti)供(gong)廣(guang)泛(fan)的(de)硬(ying)件(jian)和(he)軟(ruan)件(jian)評(ping)估(gu)以(yi)及(ji)開(kai)發(fa)工(gong)具(ju)幫(bang)助(zhu)工(gong)程(cheng)師(shi)
，可(ke)加(jia)快(kuai)開(kai)發(fa)階(jie)段(duan)並(bing)縮(suo)短(duan)新(xin)產(chan)品(pin)的(de)上(shang)市(shi)時(shi)間(jian)。

 

 

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