1. 隻需幾 fF 的雜散電容就會導致 EMI 掃描失敗。從本質上講

，開關電源具有提供高 dV/dt 的節點。寄生電容與高 dV/dt 的混合會產生 EMI 問題。在寄生電容的另一端連接至電源輸入端時，會有少量電流直接泵送至電源線。

 

2. 查zha看kan電dian源yuan中zhong的de寄ji生sheng電dian容rong。我wo們men都dou記ji得de物wu理li課ke上shang講jiang過guo，兩liang個ge導dao體ti之zhi間jian的de電dian容rong與yu導dao體ti表biao麵mian積ji成cheng正zheng比bi，與yu二er者zhe之zhi間jian的de距ju離li成cheng反fan比bi。查zha看kan電dian路lu中zhong的de每mei個ge節jie點dian，並bing特te別bie注zhu意yi具ju有you高gao dV/dt 的節點。想想電路布局中該節點的表麵積是多少
，節點距離電路板輸入線路有多遠。開關 MOSFET 的漏極和緩衝電路是常見的罪魁禍首。

 

3. 減小表麵麵積有技巧。試著盡量使用表麵貼裝封裝。采用直立式 TO-220 封裝的 FET 具有極大的漏極選項卡 (drain tab) 表麵麵積，可惜的是它通常碰巧是具有最高 dV/dt 的節點。嚐試使用表麵貼裝 DPAK 或 D2PAK FET 取代。在 DPAK 選項卡下麵的低層 PCB 上安放一個初級接地麵板，就可良好遮蔽 FET 的底部
，從而可顯著減少寄生電容。

 

有時候表麵麵積需要用於散熱。如果您必須使用帶散熱片的 TO-220 類 FET，嚐試將散熱片連接至初級接地（而不是大地接地）。這樣不僅有助於遮蔽 FET
，而且還有助於減少雜散電容。

 

4. 讓開關節點與輸入連接之間拉開距離。見圖 1 中的設計實例，其中我忽視了這個簡單原則。

 

圖 1. 讓輸入布線與具有高 dV/dt 的節點靠得太近會增加傳導 EMI。

 

我通過簡單調整電路板（無電路變化）
，將噪聲降低了大約 6dB。見圖 2 和圖 3 的測量結果。在有些情況下，接近高 dV/dt 進行輸入線路布線甚至還可擊壞共模線圈 (CMC)。

 

圖 2. 從電路板布局進行 EMI 掃描，其中 AC 輸入與開關電路距離較近

 

圖 3. 從電路板布局進行 EMI 掃描，其中 AC 輸入與開關電路之間距離較大

 

您是否有過在顯著加強輸入濾波器後 EMI 改善效果很小甚至沒有改善的這種遭遇
？這很有可能是因為有一些來自某個高 dV/dt 節點的雜散電容直接耦合到輸入線路，有效繞過了您的 CMC。為了檢測這種情況，可臨時短路 PCB 上 CMC 的繞組
，並將一個二級 CMC 與電路板的輸入電線串聯。如果有明顯改善，您需要重新布局電路板，並格外注意輸入連接的布局與布線。

 

 

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